H3O+(H2O)n(n=0～4)与甲醇、乙醇反应的实验研究

在流动余辉质谱装置上，利用He的空心阴极放电产物与H2O反应制备了反应物离子H3O (H2O)n(n=0～4)，并观察了H3O (H2O)n(n=0～4)与CH3OH、C2H5OH反应的产物离子，对它们进行了归属，分析了各种产物离子形成的离子-分子反应机制。     

低压微波等离子体催化甲烷偶联生成C2烃的研究

研究了矩形波导微波化学反应器在纯甲烷、低气压47Pa～5000Pa条件下,生成微波等离子体。研究了甲烷转化率,C2烃收率积炭率与气体压强的关系,以及乙烯、乙炔的选择性与气体压强的关系。实验结果显示,在上述气压范围内,甲烷转化率高达（75％～94％）,当压强在800～5000Pa范围内,反应产物全部为乙炔。     

甲烷/氮气辉光放电产物的红外吸收光谱研究

甲烷(CH4)和氮气(N2)是很多类地星体的主要气体成分,HCN、CN、C2H2等分子是以这两种混合气体为母体的主要产物.实验利用CH4/N2放电等离子体模拟主要产物分子的形成过程,并基于中红外波长调制吸收光谱技术,通过测量HCN和C2 H2的吸收光谱研究了其浓度演化过程.实验结果表明HCN和C2 H2的相对浓度依赖母...     

SAW器件用金刚石膜的制备工艺研究

针对声表面波( SAW)器件对金刚石膜的要求,采用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置,研究了不同气体体系对金刚石膜生长速率、电阻率、表面形貌、表层C化合态及相对含量(粒子数分数Xc)的影响.结果表明:在H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2三种气体体系下,金刚石膜的生长速率分别...     

甲醇/乙醇/水混合团簇多光子电离质谱

利用355nm激光电离由氩气载代的甲醇/乙醇/水脉冲分子束,飞行时间质谱观测到多个序列的质子化团簇离子:(CH3CH2OH)nH ,(CH3OH)(H2O)(CH3CH2OH)nH ,(CH3OH)(CH3CH2OH)nH ,(CH3CH2OH)n(H2O)2H 和(CH3CH2OH)n(H2O)H (n=0至4)。通过改变激光与分子束之间的延时,观测到团簇离子强度分布的变化特征。     

阵列式碳纳米管制备研究

CVD工艺制备碳纳米管阵列,二甲苯(C6H4(CH3)2)作为碳源气体,二茂铁(C10H10Fe)作为催化剂前驱体,反应温度为700～800℃,碳纳米管直径30～60nm,长度50～60μm。     

微波等离子体化学气相沉积法制备C_3N_4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜。X-射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;FT-IR谱和Raman谱支持C-N键的存在。     

C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析

化学气相淀积金刚石薄膜过程中 ,CH3 和C2 H2 是金刚石生长的主要前驱基团。C2 H2 与CH3 浓度比 ( [C2 H2 ]/[CH3 ])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型计算了C H体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2 H2 浓度和CH3浓度随淀积条件的变化 ,并进一步获得了 [C2 H2 ]/[CH3 ]随衬底温度和CH4浓度的变化关系 ,从理论上探讨了金刚石薄膜 ( 1 1 1 )面和 ( 1 0 0 )面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中 ,[C2 H2 ]/[CH3 ]逐渐升高 ,导致金刚石薄膜的形貌从 ( 1 1 1 )晶面转为 ( 1 0 0 )晶面。     

氟化非晶碳薄膜(a-C:F)的制备与表征

以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质.实验中薄膜的沉积速率可达220nm/min,测得的介电常数为2.14～2.58.X光电子能谱表明,随着甲烷含量增大,薄膜中CF3,CF2结构含量减少而CF和C*-CFx(x=1～3)交联结构增多;原子力显微镜表明,在采用C4F8为前驱气体时,高分子基团C Fy在成膜时造成了粗糙不平、多孔渗水的薄膜表面形貌.结果表明,CF基团成分增加而CF2基团成分减小导致了薄膜电子极化增强,介电常数增大.     

在SixGe1-xC0.02衬底上直接生长石墨烯

基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯.研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比和生长温度对石墨烯质量的影响.利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)以及喇曼光谱对衬底和生长的石墨烯进行了表征分析.喇曼光谱结果表明,Si0.5Ge0.85C0.02衬底在750℃下可以生长出石墨烯,调节气体H2与CH4的体积流量比为50∶0.5时,生长出的石墨烯是双层的.OM和SEM结果表明,锗硅碳衬底具有比锗更好的热稳定性,高温下不会升华.     

亚稳态原子Ne(~3P_(0,2))与卤代甲烷分子的传能反应

本文用流动余辉技术研究了亚稳态原子Ne(~3P_(0,2))与CH_3F、CHF_2Cl、CH_2I_2等分子的传能反应,获得了自由基碎片CH(A,B,C)、CH_2(b~1B_1)和CF_2(A~1B_1)的化学发光光谱,并初步探讨了反应机理。     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。     

乙醇/水混合团簇的多光子电离质谱研究

利用激光器(输出波长355nm)激发乙醇和水二元混合团簇中的离子-分子反应,运用飞行时间质谱技术检测反应后生成的团簇离子.实验观测到多个序列的质子化团簇离子:(C2H5OH)nH 和(C2H5OH)n(H2O)mH (n=1-12,m=1-4),其产生是通过团簇内的质子转移反应.通过对团簇离子的峰强度同乙醇数目n和水分子数目m的关系的研究发现,团簇离子(C2H5OH)8(H2O)H 是幻数结构.     

266nm激光作用下1,3-二溴苯的多光子电离和解离研究

在波长为266 nm的激光作用下对1,3-二溴苯分子的多光子电离解离过程进行了研究,获得了溴苯分子的MPIF-TOF质谱,并测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系.用这些实验结果分析1,2-二溴苯分子的多光子电离解离机理,得出1,3-二溴苯的MPI过程主要是母体分子解离-中性碎片电离C6H 4,C5H 3,C4H 2,C3H 等碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的,并给出了可能的解离通道.     

Si(CH_3)_4分子的多光子电离和解离研究

对Si(CH_3)_4分子在280.0nm波长的激光多光电子电离和解高产物离子的飞行时间质谱进行了测定,结果表明:Si(CH_3)_4分子解离和电离后的主要正离子产物为:Si(CH_3)_2~+、Si~+和CH_x~+(x=0,1,2,3)离子等。本文还讨论了不同激光功率下Si(CH_3)_4分子产生不同碎片产物离子的机理。     

NH3与H2之比对碳纳米尖端阵列形成的影响

以CH4,NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si上制备了碳纳米尖端阵列.利用原子力显微镜和扫描电子显微镜分别对碳膜和碳纳米尖端进行了研究,发现碳膜的表面粗糙不平,有许多凸起,在NH3与H2的比例为1/7和1/1时,可形成碳纳米尖端阵列,利用有关等离子体刻蚀理论对碳纳米尖端阵列的形成进行了分析,结果表明,只有在这两个比例下,离子对碳膜内凸起两侧有相同的溅射刻蚀速率,因此可形成碳纳米尖端阵列.     

激光辐照化学反应体系中磁场作用的实验探讨

本文观察到激光辐射溴与乙炔合成产物加溴的混合液（Ｃ２Ｈ２Ｂｒ２＋ＣＨＢｒ３＋Ｃ２Ｈ３Ｂｒ３＋ＣＢｒ４＋Ｃ２Ｈ２Ｂｒ４＋Ｂｒ２）在有无磁场存在时，各组份浓度出现不同的变化，对这种变化的原因进行了分析讨论。     

CVD金刚石薄膜的抗腐蚀性研究

用微波等离子体化学气相沉积法在硅衬底上生长了金刚石薄膜;通过扫描电子显微镜和喇曼散射光谱对其性质进行了表征,将生成的样品分别放在氢氧化钾,四乙基氢氧化铵以及氢氟酸,硝酸和冰到混合液中进行腐蚀研究,结果发现在氢氧化钾腐蚀液中,金刚石薄膜出现片状脱落现象,而在后两种腐蚀液中却表现出良好的抗腐蚀性。     

热处理对(Ba,Cd)TiO3纳米粉体制备的影响

从Ba（CH3COO）2-CA（NO3）2-Ti（OC4H9）-H2O-CH3COOH--CH3CH2OH体系,采用溶液．溶胶-凝胶法研究多层陶瓷电容器用（Ba1-xCAx）TiO3（x=0．05）（BCT）超细粉体的制备。利用热重差热分析仪（TG--DSC）研究BCT前驱体干凝胶加热过程中各阶段的反应历程。借助X射线衍射（XRD）、比表面积测定仪研究了热处理温度对BCT粉体的物相组成、晶粒尺寸、比表面积等的影响。得到晶相单一、颗粒尺寸在35-40nrn左右、比表面积为12．9m^2／g的BCT超细粉体。