首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 625 毫秒
1.
六十年代以前,锗一直是作为重要的半导体材料而被大量采用,以后由于硅材料的崛起,致使锗在半导体领域的用量一落千丈。然而由于其在红外、光纤、催化剂、医药、食品等领域的开发应用,锗仍然保持着一定的消耗量。  相似文献   

2.
前言自一九四八年世界上第一只锗晶体管问世,锗一直是重要的半导体材料。六十年代随着硅工业的兴起,锗在半导体的主导地位被硅取代。世界锗的需求量曾一度下降。近年来,由于锗在红外光学、光导纤维、催化剂、医药、原子能等应用领域的开发,锗的需求量再次上升,82年世界锗消耗量已突破100吨。因此,锗不仅仍然是硅所不能完全取代的重要半导体材料并且已成为新技术革命及国防军事上的重要基础材料。  相似文献   

3.
一、前言六十年代以前,锗一直是作为重要的半导体材料而被大量使用的。以后由于硅材料的崛起,致使锗在半导体领域的用量一落千丈。然而由于其在红外、光纤、催化剂、医药食品等领域的开发应用,锗仍然保持着一定的消耗量。由于受到资源等条件的限制,随着上述应用领域的进一步发展,锗的供应会日趋紧张,原料价格还将继续上升。长年来美国和日本一直把锗作为战略物资储备。因此如何进一步开发我国锗的应用和合理利用我国丰富的锗资源,是我国有关工作者的重要任务。  相似文献   

4.
锗是当代高科技产业不可缺少的重要材料,被广泛应用于半导体、光纤通信、红外探测器、医疗、光学、电子学等领域,是国家重要的战略资源。锗并非单独的矿物质,而是与其他有色金属矿和煤矿共存,无法进行单独开采,因此实现锗的高纯度和高效率提取显得尤为关键。文章将对锗资源、锗应用、锗回收利用及提取方法等方面进行探讨,介绍锗的分布、矿石类型,锗的相关应用及湿法冶金回收利用提取方法,为锗的回收利用应用提供参考。  相似文献   

5.
一、引言锗晶体作为半导体材料在电子学领域的应用已在不断下降,但它在核辐射探测器、红外光学及光导纤维等领域的应用却在稳定增长。锗在医药、催化剂等方面的应用也有新发展。由于锗的原子序数大(32)、禁带宽度小(Eg+0.66电子伏)且易干提纯并得到完整的晶体,面对射线又有很高的能量分辨率,  相似文献   

6.
红外探测材料的发展状况及未来发展   总被引:2,自引:1,他引:1  
红外探测仪中,半导体红外探测技术相对较为成熟,逐步由传统半导体材料向半导体异质结、半导体超品格、半导体量子阱和半导体量子点等材料发展;人们发现超导的特性之后,设法研究超导红外探测仪,超导红外探测仪中又分STS、热电子和超导薄膜等类型;近些年又发展了超巨磁阻红外探测仪。技术的发展使材料的灵敏度、工作温度和探测率也在不断的向高层次发展,并不断的发现新的材料。在规模上,红外探测仪将会不断的向大规模焦平面方向发展(即热成像仪);探测波长方面,要由单色向双色和多色发展;随技术的发展,红外探测仪应用也将大大的拓展。  相似文献   

7.
《世界有色金属》2010,(8):66-68
金属锗具有优良的红外光学特性和物理特性,是热像仪理想的窗口、透镜和转鼓材料,其大规模应用于侦察和警戒的夜视仪和热成像仪等领域,在红外光学领域具有不可替代的地位。目前,红外光学行业已经成为锗的第一大应用市场,占锗总消费量的42%左右。  相似文献   

8.
锗在60年代中期以后,由于受到硅的竞争,在半导体领域内一直处于需求下降的地位,长期生产不振。但近年由于锗在半导体以外新的应用不断扩大,形势为之一变,锗市场出现了新的繁荣局面,半导体锗在锗生产中所占比重日益下降。即以锗晶体管和二极管的最  相似文献   

9.
红外和激光是本世纪六十年代诞生的两门尖端技术,二十年来已经广泛地应用在军事、工农业生产、医学、以及科学研究等各个方面、成为当今两门发展最快的技术科学。伴随着红外和激光技术的发展,一门新的材料科学一红外材料在本世纪六十年代中期也开始形成和发展。它包括一些半导体元素,无机化合物的晶体、以及某些特殊成份的玻璃等。除锗单晶和硅单晶两种材料以外,我厂对红外材料的研制和生产,是从1976年开始的。  相似文献   

10.
1972年日本Fujishima和Honda报道了TiO2电极上光电解水现象后,半导体光催化研究引起了国际化学、物理、材料等领域科学家的广泛关注。在纳米半导体TiO2制备、结构以及光催化理论等方面进行了尤为深入的研究,近5年光催化水分解功能提高了100倍,发现TiO2在环境保护和新能源开发方面具有广阔的应用前景,将成为下半世纪利用太阳能净化环境和开发新能源的最有效方法之一。  相似文献   

11.
半导体材料的红外光学特性及应用   总被引:7,自引:1,他引:6  
苏小平  黄炫云 《稀有金属》1997,21(6):469-474
综述了半导体材料的红外光学性能及相关的力学、热学性能,讨论了影响红外透过率的主要因素,介绍了几种半导体材料在红外光学方面的应用  相似文献   

12.
一、前言 锗是重要的半导体材料,近年来,随着探测器技术的发展,对锗的纯度提出了愈来愈高的要求。在锗的工艺中,锗的中间产品GeCl_4的纯度在很大程度上决定了锗的质量。因此,工艺上迫切需要解决高纯GeCl_4纯度  相似文献   

13.
    
半导体锗、硅的生产比例从1969年开始倒转以来,七十年代锗的市场益趋衰落,但近年来在半导体外增加触媒、医药等新用途,而又有光明前途. 市场动态 1955年开始,五十年代我国电子工业即晶体管用的半导体材料锗占主流,打下了电子工业飞跃发展的基础.但1965年以来到六十年代后期与其相竞争的材料硅由于性质优越和成本低,而占领先地位. 从1979年12月半导体硅、锗元件的生产比较来看,晶体管中硅管三亿五千万个,锗管八百万个仅占1/40弱.二极管硅三亿七  相似文献   

14.
7月份锗、铟、镓、铋市场简评   总被引:1,自引:0,他引:1  
供不应求——锗市涨声不断从今年2月底开始,金属锗价开始攀升,到7月初,金属锗价已经达到了7600-7800元/公斤的高位,出口价格也在840-860美元/公斤左右。市场参与人士认为,锗价之所以持续上涨,是因为军事领域和红外设备制造业需求强劲,另外,锗也开始在太阳能电池板和计算机芯片等新的领域得到应用,而锗的供应却明显不足。  相似文献   

15.
锗目1886年问世以来,特别在第二次世界大战以后,随着电子技术的发展,锗半导体器件被大量制造和应用,使锗—跃而成为半导体领域(特别是电子技术)十分重要的元素。但是,从六十年代中期,随着硅半导体器件的发  相似文献   

16.
锗为稀散元素,在自然界几乎难以找到独立的矿床,而其作为高新技术材料之一,在光纤通信、国防、航空航天、医疗保健、地质勘探、化工、半导体等领域中的应用日趋广泛。由于锗资源的相对缺乏,从锗的伴生矿床、锗的二次资源中回收锗就显得尤为重要。 目前,世界年产锗100多t,我国年产不足20t。据有关专家预测,2000年,世界锗需求量将达到200t以上,而且在近5a内,锗的市场价格平均在8000元/kg以上。受资源和提取技术的限制,锗市场的波动性、风险性均相对较小。特别是美国、日本两个世界上最大的锗消耗国均严重…  相似文献   

17.
《稀土》2015,(5)
<正>《人工晶体学报》(ISSN 100-985X,CN11-2637/O7)是由中材人工晶体研究院有限公司主办,是国内唯一一本专门刊登人工晶体材料这一高新技术领域研究热点的国际性刊物。《人工晶体学报》以论文和简报等形式报道我国在晶体材料:半导体材料、超导材料、红外材料、发光材料、新能源材料(太阳能电池材料、锂离子电池材料、固体氧化物燃料电池材料)、纳米材料、超硬材料和高技术陶瓷在理论研究、生长技术、性能表征、加工以及生长设备等方面的最新科研成果,忆成为世界了解我国人工晶体材料研究领域的重要窗口。《人工晶体学报》为中文核心期刊、中文科技核心期刊,美国"工程索引"(EI)核心期刊。全  相似文献   

18.
锗是稀散元素,一直作为半导体材料使用。但随着硅材料的发展,锗在半导体上的应用逐渐被硅所代替。 早在四十年代就有人对锗的化合物(C和GeO_2)的生物化学特性进行了研究,并得出锗的毒性很低的一致结论。同时还有人根据燃煤(煤中含锗)工业区因空气中含一定数量的GeO_2,其结核病率低于一般环境工业区这一情况,实验了锗对结核  相似文献   

19.
高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度,(杂质)载流子浓度越低,纯度越高。为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究。同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12~13) N,载流子浓度1×10~(11)/cm~2,电阻率2×10~3Ω·cm,迁移率1×10~4cm~2/(V·s)。  相似文献   

20.
金属锗基于其资源的稀缺性和在军工、通信、新材料、新能源等领域应用的独特性,越来越被广泛关注。相对于金属锗市场的活跃,国内金属锗行业的管理却相对滞后,企业各自为政,每年廉价出口大量金属锗产品,中国具有的锗金属资源优势、供应优势和行业主导优势不能发挥作用,形势也迫切需要国家有关部门成立相关行业管理机构,维护锗企业、锗行业和国家的利益,维护锗行业正常生产秩序和保障金属锗产业的可持续发展。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号