一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计

基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔。在集成电路中,基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块。基于0.5μm BCD GaN HEMT工艺,提出了一种GaN基准电压源的设计方案。Cadence Spectre仿真结果显示,该GaN基准电压源在-40～150℃范围内可实现2.04 V的稳定电压输出,温度系数为3.7×10^-6/℃。在室温27℃下,当电源电压由5 V增至20 V时,输出电压的线性灵敏度为0.13%/V。该GaN基准电压源具有高温度稳定性,后续可与不同的GaN基电路模块组合构成功能丰富的GaN基集成电路。     

精密基准电压源LM399系列

精密基准电压源ＬＭ３９９系列是迄今为止同类产品中温度系数最低的器件，内部有恒温电路，可保证器件的长期稳定性，本文主要介绍了该系列基准电压源的结构原理和性能特点，并简要说明了应用方法。     

一种新型基准电流源电路设计

模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。     

一种用于AC/DC控制器中电压基准源的设计

提出了一种新颖的可用于AC/DC控制芯片中的基准电压源电路。此电路以PTAT（proportional to absolutetemperature）电流为偏置电流,利用二极管连接的MOS晶体管迁移率和阈值电压的温度系数可相互补偿的特性,产生与温度无关的栅源电压。该电路结构简单,既无启动电路也无运放,避免了运放失调对基准源的影响,设计采用CSMC0.5μm BCD工艺。仿真结果表明,该基准电压源具有较低的温度系数和高电源电压抑制比,可作为AC/DC控制芯片中迟滞比较器的参考源。     

低压CMOS带隙基准电压源设计

基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。并基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果。     

一种新型的高噪声抑制比及高温度稳定性的基准电压产生器

基准电压源 (或基准电流源 )在CMOS模拟电路中被非常广泛地采用 ,因其在一定的温度范围内随温度的变化很小。本文介绍一种新型的CMOS基准电压产生器 ,采用CSMC6 0工艺和5 0V的工作电压 ,在 - 10℃到 +85℃的温度范围内 ,它能够产生约为 95 8± 3 5mV的基准电压 ,而且此基准电压在低频时的电源噪声抑制比PSRR达 15 5dB ,可以为各种中低功耗的CMOS集成电路提供稳定的工作电压     

几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计

本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源.在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压-电流转换电路获得稳定的基准电流.HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004.     

一种带隙基准电压源设计

基准电压源是在电路系统中为其它功能模块提供高精度的电压基准,它是模拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块。文中主要研究了带隙基准基本原理的基础上,设计了一款应用于折叠插值ADC中粗量化电路部分CMOS带隙基准源。最后通过Pspice仿真给出了实验仿真的结果。     

高精度CMOS带隙基准源电路的设计

在模拟或数字电路设计中,高温度稳定性的电压源电路是一种应用广泛的重要模块.本文在分析基准源输出电压的温度特性基础上,阐明了运算放大器的失调电压对输出电压的温度精确度的影响,设计了一种基于MOS混合工艺的减小失调电压影响的一阶温度补偿的带隙基准源电路.Hspice仿真结果表明,该电路的零温度系数在40℃处实现,0℃～100℃范围内温度系数为0.96ppm/℃,可用于温度稳定性要求很高的模拟集成电路中.     

低功耗高精度基准源研究综述

本文介绍了基准源电路的发展脉络及研究进展.按照电路功能进行分类,基准源可以分为基准电压源和基准电流源.对于基准电压源,分别对于带隙基准源、混合基准源和CMOS基准源三个类别的发展历程及最新研究成果进行了总结和讨论;分析了这些电路在降低功耗、提高精度方面的创新之处、优点和存在的问题.对于基准电流源,主要讨论了电流直接补偿以及由电压源得到电流源两种设计方法.基于以上讨论,对于基准源未来的发展前景进行了展望.     

基于BiCMOS技术设计的CS/VR电路

运用双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）的先进技术,设计了几个实用的电流源／基准电压源（CS／VR）电路,并籍助于通用电路模拟软件PSpice3.00,对它们进行了仿真研究。     

一种0.18 μm CMOS 1.0V高精度电压基准源

在此基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。该基准源的供电电源电压为1.8 V,输出电压为1.0 V,电路的总电流小于5μA。在-40~80℃范围内的温度系数为5.7 ppm/℃。当频率在100 k Hz以内时,电源抑制比始终保持在-75 d B以下。该基准电压源具有低功耗、低温度系数、高电源抑制的特性,能够很好地应用于低压供电的集成电路设计中。     

带隙电压基准源的设计与分析

介绍了基准源的发展和基本工作原理以及目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结构的基准源电路,重点对自启动电路及放大电路部分进行了分析,得到并分析了输出电压与温度的关系。文中对带隙电压基准源的设计与分析,可以为电压基准源相关的设计人员提供参考。可以为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压,也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。     

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～＋120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。     

基准电压源电路REF19X系列

基准电压源电路是常用的器件，常用于数字仪表的ADC电路、数据采集系统、工业过程控制、测试设备及便携式中作小电流输出的电源等。美国模拟器件公司（ADI）开发的一种通用基准电压源REF19X系列电路与传统的基准电压不同之处是有睡眠模式，并且具有精密、微功耗、输出电流大、压差低的特点。该系列的输出电压从2．048V～5．00V有7个品种、3种封装、可满足各种电路对基准电压的需要。     

CMOS电压基准的设计原理

电压基准是集成电路一个重要的构成单元。结合多年设计经验，介绍了五类CMOS电压基准的设计原理、理论推导、参考电路、特点和主要性能指标，给出了主要参数的计算公式。最后，对各种CMOS电压基准的性能进行了比较。     

一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计

文章介绍了一种O.35μm工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。     

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

设计一款应用于电压调整器（LDO）的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。     

CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法

基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法的CMOS带隙基准电压源核心电路以及他们的设计原理、理论推导、参考电路和特点。最后,对于所讨论的基准源电路进行了性能比较和优缺点分析。     

一种电流镜型的BICOMS带隙基准电压源

传统的带隙基准源电路中存在运算放大器，其性能指标在很大程度上受到运放失调电压（Offset）、运放电源电压抑制比（PSRR）等参数的限制。要想进一步其性能，就需在电路结构上进行改进。 为此，笔者设计了一种新型基准源电路，其采用电流镜复制技术，没有使用运算放大器，避免了运放输入失调和电源抑制比的限制，并利用深度负反馈技术，极大地提高了电源抑制比。