Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性驰豫

迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚柬电子衍射技术测量并模拟计算了ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变层超品格的横截面电镜样品中的弹性驰豫和样品厚度的关系。     

（Ge）n／（Si）n应变层超晶格的电子结构

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。     

Si_（1—x）Gex／Si应变层超晶格的结构稳定性研究

利用喇曼散射谱研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ合金型超晶格的结构热稳定性．对超晶格中折叠声学模和各类光学模的散射谱所作的定量分析表明：在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽已经非常严重；相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关．对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％．同时，我们也从理论上证实并且在实验上观察到：折叠声学模的带隙随超晶格界面展宽而减小．     

GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究

采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.     

Ge_xSi_（1－x）／Si超晶格红外探测器最佳结构

通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格机理的研究，算出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格红外探测器的最佳结构参数，以对１．３μｍ红外光有最大的利用率。     

Si／Si_（1－x）Ge_x应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量

采用高分辨喇曼光谱仪测量了Ｓｉ／Ｓｉ_（１－ｘ）Ｇｅ_ｘ应变层超晶格中折叠纵向声学支（ＦＬＡ）声子的非弹性散射谱．通过改变激光波长得到了拆叠布里渊区边界附近ＦＬＡ声子的色散曲线，并第一次获得了四级ＦＬＡ声子带隙．将ＲＲｙｔｏｖ理论和精确测量结果进行了比较，讨论了Ｒｙｔｏｖ理论的应用范围及限制，发现在拆叠布里渊区边界上Ｋｙｔｏｖ理论与实验有明显分歧．高分辨喇曼谱还揭示出ＦＬＡ声子峰的精细结构和系列卫星线，讨论了产生这些精细结构的机制以及用于材料标识的可能性．     

超晶格（Ge_xSi_（1－x）1／（Si）_m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在Ｘ＝０．０１～０．１范围内随Ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在ｘ＝０．０１～０．１范围内，ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）形式的超晶格，而获得准直接能隙结构的材料，以提高其光的发射和检测能力。关键词：     

本征缺陷对（Ge）n／（Si）n应变层超晶格电子结构的影响

本文研究了（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ应变层超晶格（ＳＬＳ）中存在Ｇｅ或Ｓｉ空位时的性质。用Ｒｃｃｕｒｓｉｏｎ［’］方法计算了空位近邻原子的局域态密度（ＬＤＯＳ）和分波态密度（ＰＤＯＳ），计算了超晶格晶胞的总态密度，并得出了各原子的原子价．通过计算我们得出，空位附近原子在带隙中央存在缺陷电子态，空位区形成正电中心，且有空位与没有空位的薄层间存在局域的内建电场。     

GexSi1—x／Si应变层超晶格的结构特性与器件应用

近年来,Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格的研究日渐活跃与成熟。本文试从半导体物理与器件应用的角度出发,着重介绍了这种超晶格的各种结构特性,并简要评述了以 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结形成的各种新型半导体器件的研究进展。     

GexSi1—xSi应变层和超晶格及其临界厚度

异质外延层的性能和质量,往往取决于异质结构的特性。文章讨论了Ge_xSi-(1-x)/Si 应变层和应变层超晶格中的应变、位错和临界厚度,并比较了实验结果。     

超晶格（GeXSi1—x）1／（Si）m（001）的电子能带结构

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在ｘ＝０．０１～０．１范围内随ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在Ｘ＝０．０１～０．１范围内，Ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（０     

CexSi1—x／Si应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性驰豫

迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚束电子衍射技术测量并模拟计算了ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性弛豫和样品厚度的关系。     

GexSi1－x／Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数

从ＰＩＮ波导探测器性能参数的定义出发，阐述了各参数之间的内在联系，说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。通过对具体结构及参数的分析比较，说明结构与参数之间的影响方式以及ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格波导探测器的特有性质，进一步论证了波导探测器的优点     

在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．     

GeSi／Si应变超晶格退火及离子注入研究

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格不适应做过多的热处理．同时测定Ｐｄ＋注入在ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格的杂质能级为ＥＣ＝０．２８ｅＶ，与体Ｓｉ中的Ｐｄ杂质能级一致．