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通过对掩模的作用原理进行研究,首先给出了行列成比例的二维掩模的矩阵乘法表示,进而得到了掩模的矩阵乘法实现方法,该方法不仅提高了掩模实现的速度,而且避免了处理图像时的加边运算;其次,提出了基于边界的掩模概念,并给出了相应的矩阵乘法表示,在保持原图像大小不变的前提下,避免了算术均值掩模处理后图像的黑边现象;最后,仿真实验验证了以上结论的正确性。尽管以上结论是针对行列成比例的掩模得到的,但仍不失一般性,因为大部分的掩模均可转化为行列成比例的掩模的和或差。 相似文献
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通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45nm及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、均匀性和应力等衬底材料的固有特性严重地影响到掩模加工性能和光刻性能。评述了45nm及以下技术节点对空白材料,掩模及晶片层面的要求。指出了对于关键问题及出现的问题的可仿效实施的方法,最后研究了集成用于高效光掩模工厂的掩模材料的实际情况分析。 相似文献
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MEMS器件设计流程中,为优化MEMS器件,常常需要对MEMS掩模进行精化设计.为了在MEMS精化设计中同步更新MEMS掩模与几何模型,提出一种面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模方法.该方法主要通过建立MEMS器件几何模型和工艺模型之间的依赖关系图,通过变动依赖关系,求出掩模精化所影响的几何元素,而后在几何模型中仅仅更新所影响的几何元素;对于所对应的几何模型存在拓扑突变等情况,该方法采用参数限定或局部几何模拟进行更新.实例分析表明,提出的几何建模方法能快速有效地响应掩模精化,从而有效地促进MEMS器件设计. 相似文献
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在JPEG2000图像中,采用灰度掩模方法对多个任意形状感兴趣区域进行标识时,由于其要求掩模的行数和列数和原图像相同,使得掩模的数据量非常庞大.为减小掩模的数据量,提出了一种块覆盖灰度掩模方法.该方法在研究灰度掩模的基础上,采用由多个像素点组成的分块灰度掩模来代替原单个像素点组成的灰度掩模,以对多个任意形状感兴趣区域进行标识.在对标识要求精度不太高的情况下,可极大地减小掩模的数据量.针对掩模扩张带给掩模数据量影响的问题,利用一个实例进行了数学计算,计算表明,当感兴趣区域面积足够大时,掩模扩张不会对掩模的数据量带来太大影响. 相似文献
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为了采用曝光波长为0.365m的光源制作0.35-0.30μm图形。采用了i线步进方法,并研制了相移掩模。该掩模是由相移法构成图形,同时采用了光的干涉方法进行曝光形成微细图形,最重要的是相移器率和相移,其通过相移器的透过率与玻璃的透过率进行比较而测定,该测定重复性达±0.05%,测定相移量应用微分干涉显微镜原理,为了获得高精度相移量,采用了条纹扫描干涉法,测定重复性达到±1°,相对应的模厚为±0. 相似文献
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为消除用X射线光刻机加工芯片时,光栅变形对图形特征尺寸的影响,提出了用外力控制掩模光栅微小变形方法。用理论分析和有限元计算相结合的方法分析掩模光栅在外力作用下的微小变形及其误差,并对实际结构模型进行实验验证,得到了满足使用要求的最佳设计参数。 相似文献
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本文报道了一种用无掩模腐蚀技术加工对称梁岛结构的微机械加工技术。根据硅台阶在KOH无掩模腐下形状和尺寸的变化规律,可以设计制造出一般掩模腐蚀难以形成的微机械对称当今岛结构。由于该技术工艺简单,易于控制,为制作对称梁岛结构的硅 速度传感器提供了新的加工手段。 相似文献
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采样啁啾光纤光栅理论是实现超高信道数梳状滤波器的理想方案,但是一个啁啾模板只能实现特定波长间隔的光梳状滤波器。提出一种利用光纤布拉格光栅(FBG)直流相移实现任意波长间隔梳状滤波器方法。该方法只需一个啁啾模板与亚微米精度的位移台,在灵活性、简单性和制作成本方面有明显优势。仿真和实验表明FBG直流折射率调制可以引入任意的相位偏移。利用该方法实现了波长间隔为100,50,40GHz的梳状滤波器。最后分析了直流相移光栅长度与相位误差对滤波器边带抑制度的影响。 相似文献
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π相移光纤光栅制作方法的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了目前最常用的两种制作相移光纤光栅的方法,即分步曝光法(或遮挡法)和相位掩膜板移动法,对比分析了两种方法引入相移的物理机制,并利用传输矩阵法理论模型,数值模拟了两种制作方法下的相移光纤光栅透射谱,并分别进行了分布反馈光纤激光器(DFB-FL)的对比实验。结果表明,分步曝光法制作相移光纤光栅时,相移量与光栅中无曝光段的长度及纤芯折射率调制量均有关,难以精确控制相移量的大小,并且存在偏振模竞争问题;而相位掩膜板移动法通过压电陶瓷直线微动台控制掩膜板和光纤相对位移,在光栅中引入相位变换,可以将相移量控制在0~2π范围之内,更容易实现π相移光栅的制作。 相似文献
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100 nm分辨率交替式移相掩模设计 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。 相似文献