飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Teehnologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技Clnfineon Technologies）宣布．两家公司就采用MLP3×3（Power33）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrenchR非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分,为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。     

飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司就采用MLP3×3(Power33TM和Power Stage 3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）宣布与四川长虹电器股份有限公司（长虹）达成供需合作协议。进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。     

飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司宣布与四川长虹电器股份有限公司(长虹)达成供需合作协议,进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。     

飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司宣布与四川长虹电器股份有限公司(长虹)达成供需合作协议,进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。     

飞兆半导体与北京清华大学签署重要合作协议

高性能系统功率优化产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与中国著名学府清华大学签订了一项战略性多边合作协议。按照协议,飞兆半导体已在北京和上海分别设立了集成电路研发实验室,并聘请毕业于清华大学的设计工程师,负责在实验室中开发和设计新的半导体产品,全力支持飞兆半导体为多元终端市场提供系统功率优化方案的策略。     

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

英飞凌科技股份公司和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。 此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已拥有自己的半导体工厂，     

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

2009年3月27日，德国Neubiberg和斯图加特讯——英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已拥有自己的半导体工厂，英飞凌也将采用该厂的工艺为博世生产和供应元件。     

飞兆半导体与北京清华大学签署合作协议

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与清华大学近日签署合作协议，飞兆半导体将在北京和上海设立的集成电路研发实验室中，聘请毕业于清华大学的设计工程师，负责在实验室中开发和设计新的半导体产品，全力支持飞兆半导体为多元终端市场提供系统功率优化方案的策略。     

飞兆半导体收购碳化硅功率晶体管公司TranSiC

为了满足半导体应用提高效率和性能的需求,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild）宣布收购碳化硅（Silicon Carbide;SiC）功率晶体管企业TranSiC公司,     

飞兆半导体于IIC China 2012展出功率与便携重点技术创新

高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）将在2月23日至25日举行的IIC China2012展会上展示其新的行业领先技术。     

飞兆半导体在Electronica China 2011展会上重点展示功率技术解决方案

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）在3月15—17日干上海新国际博览中心举行的Electronica China2011展会上,展示超过20款用于高能效电子应用的创新解决方案,展台编号为1310。     

飞兆与英飞凌就创新型汽车MOSFETH-PSOFT0无铅封装技术达成许可协议

飞兆半导体和英飞凌日前宣布已就英飞凌的H—PSOF（带散热片的小外形扁平引脚塑料封装）先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。     

飞兆半导体电池充电器荣获《今日电子》杂志十大DC-DC功率产品大奖

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布,公司荣获《今日电子》杂志2011年度十大DC-DC功率产品奖项。飞兆半导体凭着FAN5400 USB兼容锂离子电池开关式充电器,被评委会第七次颁发这一声望卓著的奖项。     

飞兆半导体引入碳化硅技术扩展产品创新

<正>为了满足半导体应用提高效率和性能的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布收购碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率晶体管企业TranSiC公司,扩展其领先的技术能力。     

飞兆半导体推出业界最薄的MicroFET(0.55mm)MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20VP沟道     

飞兆半导体：为功率和模拟器件发展提速

在飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）重新成为独立公司的8周年庆典大会上，飞兆半导体新任总裁兼首席执行官Mark Thompson宣布了该公司迈入新纪元的新战略。