铝电解电容器等效串联电阻的分析及控制

文章分析了铝电解电容器等效串联电阻对产品性能的影响,讨论了等效串联电阻的构成及其影响因素,阐述了铝电解电容器生产中控制等效串联电阻的对策,推出了一种改进的铆接工艺,能够有效降低、稳定电极箔与引线间的铆接接触电阻。     

铝电解电容器用低压箔接触电阻超标分析

通过金相分析和铝箔铆接后的接触电阻对比,研究了铝箔的腐蚀形貌、铝箔表面粉状物、氧化膜厚度、引线质量、铆接工序控制等对接触电阻的影响。提出了降低接触电阻的几点建议:①采用多级变频复合腐蚀工艺,以得到“乔木状”的蚀孔。②改进处理工艺,减少粉状物的产生。③调整工艺控制条件,改善腐蚀形貌。     

铝电解电容器容量不稳定现象分析与控制

铝电解电容器的无容量主要是因为接触电阻大、裂箔、铆接不良、铆接花瓣小、正极箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成.容量时有时无主要是铆偏、箔片断片、抽芯、铆花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、露箔等原因而造成.在生产过程中加强铆接、卷绕工序的质量控制,避免出现容量不稳定的现象.     

铝电解电容器制造的关键工序—柳接

铝电解电容器的正、负极通过引出箔或引出线与正、负极箔片柳接而引出，其铆接质量与电容的可靠性密切相关。铆接的方法有刺铆、压铆、超声波焊接等，铆接接触电阻是衡量铆接质量的最重要标志。本文较详细介绍了铆接的基本质量要求与质量控制方法。     

GaAs工艺监测研究

介绍了GaAs MMIC(GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一致性、可重复性和可靠性。针对薄层电阻和接触电阻的阻值以及器件的栅阻和栅长等工艺过程中关键的参数,分别用范德堡结构、开尔文结构和十字桥结构进行监测。采用范德堡结构测得薄层电阻Rs=(π/ln 2)V14/I23,开尔文结构得到接触电阻Rc=V13/I24,十字桥结构可以了解栅阻和栅长。然后通过运用统计过程控制技术对数据进行分析,可以有效改进工艺,提高产品质量。     

平面电阻器新型基材LSC-050F电阻箔复合材料的研制

本文介绍了平面电阻器新型基材-LSC-050F电阻箔复合材料的性能要求、材料结构、制造工艺以及研制背景。研究表明,该材料不仅阻值精度高,而且电阻温度系数低。     

氧等离子体灰化作用对相变存储器氮化钛底电极阻值的影响

相变存储器被认为是最有希望成为下一代的非易失性存储器。为了降低相变存储器单元写功耗的需求,相变单元底电极选用具有低热导以及合适电导的氮化钛材料。然而,在相变存储器40纳米工艺节点制造过程中,用氧等离子体灰化光阻剂这一工艺过程使得氮化钛底电极表面被氧化,从而导致底电极阻值非常高并且阻值非常分散。本文主要研究了氮化钛电极的氧化过程,发现随着氧等离子体灰化时间的增加,二氧化钛层的厚度逐渐增加,并且从非晶态转化为晶态。当二氧化钛层的厚度为4~5纳米时,氮化钛底电极接触通孔阻值几乎是纯氮化钛底电极阻值的三倍,这导致了相变存储器单元的失效。我们通过化学机械抛光工艺有效地去除了二氧化钛层,使得氮化钛底电极的阻值从1E5 欧姆/通孔恢复到正常值6E2欧姆/通孔,并成功地得到了均匀分布的底电极阻值。     

绿色照明用铝电解电容器的研制

通过合理选用原材料、正确设计零部件、开发高稳定工作电解液、使用负极贴箔技术,配合极片与导针间接触电阻的控制、芯包铝箔粉尘的清除以及浸渍和装配的特殊工艺措施,研制出耐高温、耐大纹波电流、长寿命(130℃,2 000 h或105℃,8 000 h)铝电解电容器,满足高品质绿色照明用产品的要求。     

导电胶粘接元件接触电阻的稳定性研究

为解决导电胶粘接元件接触电阻不稳定的问题,研究了在温度及压力应力条件下,导电胶在不同界面的导电性和体电阻率的变化情况,分析了导电胶接触电阻不稳定的机理。试验结果表明,导电胶粘接片式元件的接触电阻的稳定性不仅与工艺加工过程有关,而且与元件端头金属基材表面金属化层的电极电动势密切相关;采用Ag基或Au基端头元件时,其导电胶粘接元件的接触电阻在粘接装配工艺过程中是最稳定的。     

VDMOSFET低导通电阻改良研究

文章通过对VDMOSFET导通电阻模型的分析,结合VDMOSFET芯片生产过程中用到的等离子刻蚀工艺理论,探索通过优化刻蚀工艺以改善VDMOSFET器件导通电阻的途径。文中以实际VDMOSFET生产的引线孔刻蚀工艺为例,阐述了通过SOFT-ETCH工艺,改善接触孔表面损伤以达到降低VDMOSFET导通电阻的实现方法,通过详实的实验数据对比,证实SOFE-ETCH工艺对导通电阻的改良作用。     

中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究

采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6～1.0μm,孔深34～36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。     

储能放电用高压大容量铝电解电容器

对储能大电流放电用高压大容量铝电解电容器，要求其漏电流小、等效串联电阻值小、电容量稳定性好、一致性好等。为确保这些特性要求，可通过稳定介质膜性能，研制相应的工作电解液，优配电极片，降低引出条和极片之间的接触电阻等工艺措施达到。对电容器的组合应用，要注意均衡性     

晶体硅太阳电池烧结工艺优化

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一。首先对晶体硅太阳电池的烧结工艺进行了优化,利用平台式烧结温度曲线代替陡坡式烧结温度曲线。然后,采用Core Scan方法测试工艺优化前后晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅之间的接触电阻Rc,并测试了工艺优化前后电池片的IV特性。数据显示烧结工艺优化后可减小银电极与硅的接触电阻,从而提高了太阳电池的光电转化效率。平台式烧结温度曲线更适用浅结高方阻的电池结构。     

高频低阻抗铝电解电容器生产工艺的探讨

开关稳压电源中输出滤波器用的高频电解电容器要求高频低阻抗。探讨了高频低阻抗铝电解电容器的生产工艺。刺铆卷绕:箔片、铆接点、极间距离的考虑。浸渍工艺:浸渍时间、温度等条件的确定。老练工艺:老练温度、时间、电压的斟酌。材料:电解液、铝箔、电解液、密封橡胶塞的选择。用确定的工艺制得了合格的产品。     

一种背面深槽填充P型多晶硅RC-IGBT

提出了一种新型RC-IGBT,在背面阳极处设置了填充重掺杂P型多晶硅的深槽和FOC浮空电极。器件正向导通时,利用重掺杂P型多晶硅与N型衬底的接触电势差,将槽间的N型衬底部分耗尽,增强了阳极PN结的短路电阻,在较短背面阳极尺寸的条件下实现了RC-IGBT在开启过程中不出现电压折回现象。在器件反向开启过程中,空穴电流经过FOC浮空电极流入P型多晶硅,降低了多晶硅与N型衬底之间的势垒,提高了反向二极管的开启速度,降低了开启过程中二极管的过充电压。仿真结果表明,提出的新型RC-IGBT完全消除了电压折回现象,反向电流的均匀性得到了提高。相比于传统RC-IGBT,该新型RC-IGBT的元胞背面尺寸减小了88.89%,关断损耗降低了26.37%,反并联二极管的反向恢复电荷降低了13.12%。     

High‐Resolution Characterization of Pentacene/Polyaniline Interfaces in Thin‐Film Transistors

We present the first detailed report that directly correlates the reduced contact resistance in organic thin‐film transistors (TFTs) with fundamental structural and morphological characterization at the organic semiconductor/conducting polymer interface. Specifically, the pentacene grains are similar in size and continuous across the channel/electrode interface in bottom‐contact TFTs with polyaniline (PANI) electrodes. On a molecular level, the fused rings of pentacene are oriented perpendicular to the surface both in the channel and on PANI. Accordingly, the contact resistance is small in such devices. In TFTs with gold electrodes, however, the pentacene grains are different in size and are discontinuous across the channel/electrode interface. Further, the fused rings of pentacene are oriented perpendicular to the channel surface and parallel to the gold surface. Such differences across the channel/electrode interface lead to structural and electronic disorder, which manifests itself as a significantly larger contact resistance in devices with gold electrodes.     

铆钉防护对其导电性能影响研究

本文分析某型直升机在铆接过程中,对于铆钉做电搭接时,根据技术文件规定需要对铆钉进行了去氧化防护层处理之后在进行铆接。在此过程中,工人无疑增加了工作量,降低了工作效率,因此为探究铆钉防护对其导电性能是否影响很大,进行了铆钉防护对其导电性影响试验,通过试验发现分别用有无表面氧化防护层的两种不同的铆钉HB6231半圆头钉和HB6315埋头钉进行铆接后,经过仪器测试后,其电阻值并没有较大波动,由此证明铆钉有无表面氧化防护层对其导电性能无影响。