振荡器市场硝烟弥漫，Si500重拳出击

长久以来,振荡器市场一直是石英振荡器的天下,这种采用机械式共振器来产生频率的振荡器产品是所有电子系统的心脏,针对这一领域的市场争夺和技术革新也在不断进行并愈演愈烈。随着半导体工艺及技术的飞速发展,一批硅振荡器产品应运而生,但由于其抖动及相位噪声等关     

世界晶体与振荡器市场将持续增长

2003年全球晶体与振荡器市场摆脱颓势,销售额比2002年增长17%,超过23亿美元。iSuppli公司预测,继2003年增长后,2004年世界晶体与振荡器市场销售额将比去年增长5%,达到近29亿美元;而且2002~2008年全球晶体与振荡器市场的年均增长率为7%,其2008年销售额将达到38亿美元。晶体与振荡器市场的好转主要源于手机需求的增长以及无线通信市场的复苏。(耐和)世界晶体与振荡器市场将持续增长@耐和     

迈吉伦科技引进SiTime MEMS低抖动可编程振荡器挺进高速串联传播、影像及储存等市场

全球以MEMS(微机电)技术发展振荡器的革命先驱-SiTime,全面发展一系列低抖动并可编程振荡器,并可提供样品供业界测试,该SiT8102系列振荡器目标锁定在高速传播以及储存等市场,同时提供5 ps区间抖动的高性能,在最小PCB面积当中,其输出频率亦可达1 MHz～200 MHz,并以更薄的包装以及更低的成本,挑战传统石英振荡器!数字广播来势汹汹     

基于CMOS振荡器技术的硅频率控制

高精度、低噪声和低功耗的无晶体固态振荡器技术让频率控制器件可以通过常见的 CMOS 技术被移植到最低成本的架构中.尽管其固有的Q LC tank 较低,但创新的设计达到了与业界标准晶体或MEMS振荡器相媲美的性能.该白皮书详细地描述了创新的技术打破石英占领多年市场的局面.     

无线设备中CMOS频率源的应用趋势

自从60年前的数字革命开始,电子行业已经发生了许多变化,但有一种情况却一直未变:每个电子系统中的同步数据传输参考频率由石英晶体和陶瓷振荡器产生.然而,最近几年,这个数十亿美元的市场发生了技术变革,包括像微机电振荡器,精密压电谐振器和单片标准CMOS器件等.     

高功率掺镱光纤振荡器:研究现状与发展趋势

近年来,高功率掺镱光纤振荡器的输出功率和光束质量不断提升,在工业、科研等领域得到了越来越广泛的应用。目前,多模掺镱光纤振荡器的输出功率已经突破17.5kW,近单模光纤振荡器输出功率已经突破8kW。本文对掺镱光纤振荡器在科研和工业领域的研究现状进行详细介绍,分析掺镱光纤振荡器未来的发展趋势;对进一步提升掺镱光纤振荡器功率和光束质量的各项关键技术进行剖析,给出了万瓦级近单模高功率掺镱光纤振荡器的技术方案,以期为更高功率光纤振荡器的发展提供技术参考。     

意法半导体(ST)推出市场上最灵活的高性能宽带射频合成器

正2014年9月29日——随着越来越多的无线标准和频带支持越来越多的应用,意法半导体开始支持市场对高性能和高集成度的需求。意法半导体新推出的STW81200射频合成器采用BiCMOS(SiGe)制造技术,单片集成宽带压控振荡器(VCOs,voltage-controlled oscillators)、双架构分数整数锁相环(PLL,phaselocked-loop)内核、低噪稳压器,以及符合各种射频要求的可编程硬件选件。     

压控振荡器技术的回顾与展望

论述了压控振荡器技术发展的历程和趋势,介绍了SiGe压控振荡器技术.     

全硅振荡器取代石英振荡器抢占消费市场

振荡器的应用十分广泛。传统石英振荡器生产工艺复杂,性能单一,而且成本下降空间较小,因此一些应用市场提出了对硅振荡器的需求。模拟与混合信号IC厂商Silicon Laboratories（芯科实验室有限公司）近日发表具有极高稳定性的全CMOS振荡器Si500,以此进入消费电子市场领域。     

太赫兹返波振荡器的应用及研究进展

太赫兹返波振荡器是一种功率高、宽带可调谐、可在常温下连续波工作的辐射源。本文介绍了太赫兹返波振荡器在太赫兹技术研究中的应用需求及其发展现状,说明返波振荡器在太赫兹技术研究中的重要作用和前景,并对太赫兹返波振荡器的最新动态、技术难点进行了分析,可供该种管型研究的参考。     

微波超低相噪光电振荡器的实验研究

微波光子学将对未来雷达技术发展产生重要影响。微波光电振荡器是一种新颖的、有发展前途的高质量微波信号源,将是振荡器领域的革命性突破。分析了微波光电振荡器工作原理,结果表明,环路中各部件的低噪声、环路高增益和环路等效长时延是实现光电振荡器低相位噪声的有效技术路径。给出了一种双回路X波段低相位噪声光电振荡器的实验研究结果,与高性能电子频率合成器和国际先进光电振荡器进行了对比。对比结果表明,光电振荡器噪声基底较传统高性能电子频综器有极大的性能优势,而近载频相位噪声较传统高性能电子频综器的性能有待进一步提高,主要原因是光电器件的温度特性漂移较大。最后对未来的技术发展路径进行了讨论与展望。     

TriQuint：专注RF前端技术，瞄准3G市场

关于RF技术,过去我们对基带和收发技术关注得比较多,而在无线信号的发送传输链路中,RF前端技术也是非常重要的一环。信号从基带部分经收发器、振荡器处理后,需进入模拟的处理过程,通过功放、滤波对信号进行放大和提纯,再进入下一传输环节。这个放大和滤波的阶段就是RF的前端技术。     

压控振荡器技术的回顾与展望

论述了压控振荡器技术发展的历程和趋势，介绍了SiGe压控振荡器技术。     

一种基于0.18 μm CMOS工艺抗辐照压控振荡器

采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器。分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因。针对辐照下NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿技术。基于该技术,提出了一种工作频率在0.5~1 MHz的抗辐照压控振荡器。仿真结果表明,与普通压控振荡器相比,该压控振荡器在输出频率和占空比的稳定性与准确性方面有较大提升。     

降低光电振荡器相位噪声的方法研究

随着光电振荡器(OEO)技术的飞速发展,改善光电振荡器的相位噪声成为了一个新的研究和发展方向。文章在对光电振荡器的工作原理和特性进行阐述和分析的基础上,对降低光电振荡器相位噪声的技术手段和方案进行了总结,分析了各种方案的基本原理及性能指标。讨论了制约光电振荡器进一步降低相位噪声的因素,提出了可能的发展方向和改进措施。     

Silicon Labs推出以全硅振荡器部分取代石英振荡器

日前,高性能模拟与混合信号IC设计公司silicon Laboratories宣布推出全CMOS振荡器,以此进入消费性定时市场。新产品不仅交货时间较短,成本较低,可靠度较高且性能更佳,成为一种在中等频率范围内,在消费性应用市场取代石英振荡器（XO）的理想方案。在所有针对大量消费性应用的振荡器中,新推出的Si500系列的频率范围在0．9MHz～200MHz内;具有最差分和单端时钟选择,     

Silicon Labs推全硅振荡器 欲取代传统石英产品

模拟与混合信号IC厂商Silicon Laboratories（芯科实验室）近日推出一款全CMOS振荡器,并以此进入消费性定时市场。新推出的Si500硅振荡器交货时间短、成本低且可靠度高,成为一种取代石英振荡器（XO）的理想方案。     

介质陶瓷谐振器在移动通讯系统中的应用及市场

介绍用于制造谐振器的五种介质陶瓷材料及其主要性能和三种常用的谐振模。详细地列举了小型化天线双工器，基地站发射多工器，压控振荡器等微波介质器件的结构及其在移动通讯系统中的应用。阐述了美国、日本、欧洲及我国的移动通讯系统的发展及市场。     

寄生不灵敏的开关电容三相振荡器

本文提出并讨论了两种使用开关电容技术设计振荡器的新方法。设计出的振荡器产生三相对称正弦信号,在通信、信号处理等领域有广泛应用。本文使用了两类RC振荡器作为模拟振荡器原型:一类是SD振荡器,另一类是三状态变量振荡器。由此实现的SC振荡器均易于集成,其振荡频率与时钟频率的关系是线性的,并具有电路特性对寄生电容不灵敏,电容比较小的显著特点。文中给出了比较结果和实验结果。实验结果与理论值相符。     

无线传声器用调频振荡器

本文介绍了无线传声器用调频振荡器的技术概况,并以频率稳定性为中心,比较了各种调频振荡器的性能,进而给出了 LiTaO_3晶体振子调频振荡器的基本电路和性能。