硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

研究了硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点自组织生长的影响.硼原子的数量由0单原子层变到0.3单原子层.原子力显微镜的观察表明,硼原子不仅对量子点的大小,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响.当硼原子的数量为0.2单原子层时,获得了底部直径为60±5nm,面密度为6×109cm-2,且均匀性很好的Ge量子点.另外,还简单讨论了硼原子对Ge量子点自组织生长影响的机制.     

硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)

在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66nm,高11nm,密度4.5×109cm-2。利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的。Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299cm-1和417cm-1,说明Ge量子点是应变的并且界面存在互混现象。采用光荧光谱分析了Ge量子点的光学特性。     

Ge/Si量子点的控制生长

采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010 cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型.     

二维Ge岛成核早期阶段的动力学蒙特卡罗模拟

采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段.引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正.研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响,结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用,采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程.     

二维Ge岛成核早期阶段的动力学蒙特卡罗模拟

采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段.引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正.研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响,结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用,采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程.     

二维Ge岛成核早期阶段的动力学蒙特卡罗模拟

采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si／Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段，引入吸附原子导致的应力场，对原子扩散的势垒进行了修正，研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响，结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用，采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程。     

多层Ge量子点的生长及其光学特性

用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV) ,Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM )为46meV ,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用     

磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究

采用磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品.用室温光致发光(PL)、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征.结果表明:Ge/Si多层膜中的PL发光峰主要来自于Ge晶粒,并且Ge晶粒生长的均匀性对PL发光影响较大,生长均匀的Ge晶粒中量子限域效应明显,随着晶粒的减小,PL发光主峰发生蓝移;在Ge晶粒均匀性较差时,PL发光峰强度较弱,量子限域效应不明显.     

Si基Ge量子点光电探测器的研究

采用UHV／CVD方法在Si（100）衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温（10K）PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87meV的蓝移。在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器。室温下,测得其在1．31μm和1．55μm的响应度分别为0．043mA／W和0．0014mA／W,覆盖了体Si探测器所不能达到的响应范围。     

基于Matlab对Spice二极管特性受温度影响的研究

为了对Spice程序下的二极管模型的伏安特性和等效电容受温度变化的影响进行研究,在此以软件Matlab的仿真环境为基础,Spice二极管物理模型D1N4002为研究对象,在仿真软件Matlab中编写程序代码,建立了二极管模型D1N4002的伏安特性和等效电容的函数模型,绘制出不同温度下二极管伏安特性和等效电容的曲线,并结合仿真曲线对由温度变化产生的影响进行分析,得出了温度对二板管模型在反向击穿和正向导通状态下的伏安特性及等效电容有明显的影响这一结论。该研究方法以一个新颖的视角,运用Matlab构造特性函数,以温度为变量,研究了Spice二极管模型的特性,同时也为其他更加复杂的半导体器件特性的研究打下了基础。     

基于CAS的单点登录系统应用研究

随着信息系统的迅速发展,各类信息化应用系统逐步建立,但是各应用系统之间自成体系,从而导致了每使用一个系统就要重新登录一次,给用户的使用和管理员的管理带来了很多不便.本文研究基于CAS的单点登录系统应用,很好地解决了使用和管理困难问题,介绍了基于CAS的单点登录系统应用设计研究,系统采用用户管理LDAP轻量级目录服务、CAS中央认证服务,设计了一个统一管理界面,通过Web服务传递用户参数,实现了多应用系统的整合.     

提高超微粒乳剂分辨率的研究

对提高超微粒乳剂分辨率的问题进行了讨论,分析了影响分辨率的因素,提出了相应的解决办法.     

信息化战场多传感平台应用探讨

多传感平台是实现未来信息化战场“网络中心战”概念的一组必要的装备系统．结合战争形态由机械化战争向信息化战争转变的趋势,分析了信息化战场多传感平台应用背景与要求,研究了其体系结构、信息融合方法和具体应用,为未来信息化战场多传感平台发展与使用提供依据。     

平视显示器的装机工程设计研究

介绍了平视显示器的装机工程设计过程中应遵循的一般设计准则,以保证平显安装定位后有较大的下视角和合理的总视场与瞬时视场位置关系.     

基于ANSYS分析温度对荧光粉发光性能的影响

采用有限元方法模拟了LED集成封装光源和LED远程荧光集成封装(LED RPIP)光源各部分的热量分布。通过结合模拟和实验数据分析得到:随着LED结温升高,荧光粉温度随之上升,发光性能不断衰退,LED硅胶板和LED远程荧光板温度从室温35℃分别升高到73.794和73.156℃,光源光通量分别降低了30.53和22.39lm。最后得出硅胶板和远程荧光板中荧光粉发光性能分别下降了0.943%和0.78%。     

云计算虚拟化安全技术研究

近年来,伴随云计算服务的发展和普及,其安全问题也逐渐凸显.而其中的虚拟化安全则是云服务商和安全厂商关注的重点.梳理了云计算虚拟化环境中主要面临的安全威胁,提出了云计算虚拟化安全技术架构,包含基于KVM的虚拟化安全技术框架和虚拟化集中管控平台两个部分,并依照技术架构开发了“沃云”安全管理平台原型系统,对云计算虚拟化安全技术架构进行了理论验证.     

基于SOPC的EPON OLT端的研究

作为新一代的接入网技术,EPON将光纤通信应用于接入网领域,从而解决了长期以来困扰业界的接入网瓶颈问题.文章从SOPC的角度对EPON OLT端的控制芯片进行研究.结合ML310以及相应的软硬件开发工具,探讨高集成度的OLT控制器的实现问题.     

屏蔽对电子设备EMC性能影响分析

针对电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)测试标准对电子设备机箱屏蔽效能的需求,首先从屏蔽机箱的反射损耗与吸收损耗等方面入手,分析了屏蔽机箱的屏蔽效能,描述了如何根据实际使用情况对屏蔽机箱的材料及其厚度进行选择。根据屏蔽机箱实际使用情况,分析了孔洞和缝隙对其屏蔽效能的影响。结合2个电子设备的EMC测试实例,分别描述了如何对屏蔽机箱上的孔洞和缝隙进行处理,从而提高设备的EMC性能。分析并讨论了如何在设计阶段采取措施,通过加强屏蔽,改善设备的EMC性能。     

掺杂对钽丝电性能影响的研究

通过显微组织观察、直流漏电流测试,研究了掺杂元素种类(A、B两类)及其掺杂量在不同退火温度下对钽丝微观组织以及直流漏电流的影响。结果表明:随着掺杂量的增加,钽丝的再结晶温度升高,组织晶粒细化,其中掺B比掺A细化效果更加明显;掺A和B的钽丝比仅掺A的钽丝或纯钽丝直流漏电流性能要好,且掺400×10-6(质量分数)的A与掺400×10-6的A、400×10-6的B钽丝的直流漏电流数值在同类钽丝中最低,可达到约0.007×10-6A·cm-2。