碳纳米管半导体问世预示硅半导体将被取代

美国马里兰大学(位于美国马里兰州CollegePark)的研究人员发现半导体碳纳米管的迁移率比其他半导体材料高25％,比硅高70％。这些发现有望促使碳纳米管在从计算机芯片到生化传感器的各类应用中取代传统半导体材料。     

半导体硅技术发展的新方向

简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。     

半导体激光器光谱特性测量

本文从可见度函数与光谱结构的关系出发,研究用Michelson干涉仪测量半导体激光器的光谱特性。方法简便、实用。     

半导体激光器特性微机测量系统

建立了一个微机控制的LD特性测量系统.本文重点介绍了系统设计、各部件的功能和有关软件,并且给出了若干实验结果.实验表明,微机测试技术比原有的测试技术好得多,在半导体激光器的制造和应用领域有着广泛的用途.     

利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究

本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究．     

半导体材料的霍耳测量

利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。     

半导体材料技术动向及挑战

引言 半导体制造技术能否持续突破,材料一直扮演着重要的角色,从最早的锗(Ge),到随后普遍应用的硅(Si),近年来又衍生出更多新材料,本文将针对此方面的新材料、新趋势的发展,以及现有的技术难题等进行讨论.     

纳米集成电路用硅基半导体材料

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。     

铝硅合金表面纳米颗粒的原子力显微镜观察

利用原子力显微镜首次观察到２００℃磁控溅射铝硅合金表面存在纳米颗粒，经测量，此纳米颗粒直径约２０ｎｍ、高１ｎｍ。根据此纳米颗粒的分布，讨论了磁控溅射薄的生长机理，同时，还讨论了此纳米颗粒对半导体工艺的影响。     

石墨在半导体行业中将取代硅

碳在元素周期表中的独特位置，为CNT带来许多令人难以置信的特性。它们比钢硬，但比铝轻。它们显示出了在RAM，MEMS（微电子机械系统）、传感器和显示器方面应用的潜力。它们有望首先提高存储器然后是逻辑电路的密度、功率和可靠性。     

红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用

本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。