厚膜混合集成电路的激光修调技术

本文从厚膜混合集成电路用激光调阻系统、切割图形、调阻工艺参数等方面介绍激光调阻技术的现状及发展。     

激光修调厚膜电阻机理浅析

本文着重讨论激光修调厚膜电阻时，激光机的输出功率、Ｑ－开关速率、光斑直径、尖刻尺寸以及所选择的修调图形对厚膜电阻的影响。     

激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响

该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法.实验结果表明,150 ℃储存48 h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础.     

一种高精度快速激光修调方案设计

在激光修调过程中,激光的修调路径和控制策略是影响修调精度和修调速度的关键因素,而常规激光修调方案难以同时满足高精度和快速修调。因此,提出了一种高精度快速激光修调方案,使用“离散+连续”结构的金属薄膜电阻图形提高修调效率和可靠性;利用阶梯形的激光修调路径提升修调精度;采用动态测试步长的控制策略提高修调速度。采用上述方案对60个金属薄膜电阻样品进行激光修调,结果表明：修调精度可达0.004%,平均测试步长为2.53,验证了所提出的修调方案可有效提升修调精度和修调速度。进一步将该方案应用在200个温度传感器芯片的校准中,结果表明200个温度传感器芯片的测温误差均校准至±0.2℃以内,平均测试步长为6.29。     

一种通过激光修调产生精确时钟的方法

文章介绍了一种通过修调,可在片内得到精确时钟的方法。该方法由于内部集成了检测电路,只需通过判断pad的输出结果即可得到修调状态,因此可应用于大规模工业化生产。在文章中给出了修调值的选取方法,同时还讨论了影响修调精度的因素。     

不同波长激光电阻修调的对比研究

微电子线路的被动或主动元件的激光修调技术，经过二十多年的实践已经发展成一项成熟技术了。在生产精确的混合信号、线性和被动网络方面，该项技术已成为必要工序。由于市场要求器件的尺寸更小、性能更高，因此在大多数情况下必须用激光来精确修调电路。同时，被修调的元件尺寸越来越小，公差越来越严格，也推动了激光修调技术走向更高水平。传统的1m激光波长产生的光斑尺寸及其热影响区域（HAZ），可能不够小，不足以维持电阻的稳定性，也难以使阻值温度系数（TCR）的漂移和改变降到最小。 本文研究了用更短波长的激光进行电阻修调，并将结果与传统的1m波长的修调技术作了比较。     

微电子工业中的一种新型激光调修技术

新型激光调修技术与常规的CMOS处理方法完全兼容。用这种方法既可以调修模拟器件，也可以调修模拟和数字混合的微电子器件。该方法是用一束激光烧熔硅体，使两个p-n结二极管之间形成电连接而产生一个电阻器件。在自动设备系统中，1s内就可生产出这种激光扩散电阻，其阻值范围从100Ω到几MΩ，激光的重复调修过程可使电阻精度达到50ppm。用这种方法也可做出温度系数接近0的电阻。本文主要阐述生产这种电阻的方法、主要器件和有关处理方式的关键点。     

激光化学半导体工艺及其应用

激光化学半导体技术及其在半导体器件和集成电路制备中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了这种技术的基本原理、特点和加工方法,重点介绍了它在半导体器件和集成电路制备中的应用,最后展望了它的今后发展方向。     

激光调阻规律初探

本文导出了插入式和L形激光调阻时,阻值随调阻过程切割比例变化的规律,为激光调阻工艺的设计提供了理论依据。     

一种复合型激光调阻工艺

激光调阻是混和电路常用的一种工艺，调阻方式主要有单刀型，双刀型，Ｌ型，Ｊ型，Ｕ型等。本文给出一种复合型调阻方式，它是为避免高精度电阻的Ｌ型调阻可能产生废品而设计的。这种废品的产生，主要是由于电阻器本身的阻值不稳定而重复进行微调时发生的。     

激光用于集成电路调阻

本文报导激光调阻仪在集成电路中之应用。这种设备是集成电路生产线上的基本设备。     

厚膜混合集成电路用的激光调阻系统

介绍厚膜混合集成电路用的激光调阻系统的机理，结构，切割图形及工艺参数。     

用YAG声光调Q激光进行电阻调整

本文综述了用YAG声光调Q激光对薄、厚膜电路进行微调的原理、器件和光学系统。叙述了激光调阻的优点、工艺及影响激光调阻精度的几个参数。给出了激光调阻的二个实例。     

激光调阻机

激光调阻机是片式电阻生产线上必不可少的一种高技术设备,它涉及光学、精密机械、计算机控制、精密检测等多种技术领域。其功能是对片式电阻的阻值进行修整,     

不用激光修调的高速12位D／A转换器

传统的集成12位D/A转换器要求用精密的薄膜电阻网络和电阻的激光修调技术。本文介绍的分段设计技术只需要采用常规的高速双极数字IC工艺,采用扩散电阻方法,不需要微调技术,就能保证其D/A的单调性。它比用激光修调的R—2R薄膜电阻网络结构的12位D/A转换器具有更均匀的台阶尺寸,其电阻的精度要求也比后者放宽了8倍;由于内部采用了ECL电路的结构形式,工作速度快,其建立时间在80～100ns。