高记录密度下磁盘记录信号的热磁衰减现象

通过实验以及定量计算探讨了垂直二层膜介质由热磁衰减引起的输出信号衰减现象.同时讨论了由单磁极磁头带来的一些影响.并指出如果能避免这些影响,垂直磁记录的热磁衰减量要比相应的报道结果小很多.垂直磁记录即使在膜厚度较厚的情况下,由于粒子尺寸很小,仍然能够实现很高的记录密度并保持低介质噪声.     

磁光记录技术的近期发展

一、引言信息化社会的来临带动了个人电脑和工作站性能的提升，硬盘容量的不断增加以及应用软件的日趋多样化，使得人们对外部记录装置的要求进一步提高。其中，磁光记录技术（Magneto-OpticalRecording）的进步尤为突出。而作为一种传统的大容量便携式媒体（PortableMedia），磁光盘得到了迅速的发展。随着其存储容量的增加、传输速率的提高、媒体和驱动器价格的下降以及兼容性和可靠性的改善，其市场占有率逐年上升。这种以图像数据的保存、备份以及工作文件（WorkFile）和多媒体文件的转送为主要用途的大容量记录媒体将随着因特网应用…     

基于磁盘的脉冲雷达信号高速记录系统

介绍了一种基于SCSI磁盘的高速、大容量脉冲雷达信号记录系统 ,详细分析了系统的的工作原理、硬件和软件设计、性能测试和应用情况。该系统能够以 2 0 0MB/s采样频率将脉冲雷达回波信号长时间连续记录到磁盘中 ,事后可对记录在磁盘上的数据进行分析和处理     

纳米晶巨磁光BiAlDyIG薄膜的磁光性能研究

基于对ＢｉＡｌＤｙＩＧ巨磁光材料的紫蓝光波段法拉第角频谱分析，采用新型热分解法工艺合成优质ＢｉＡｌＤｙＩＧ磁光薄膜，经快速循环晶化处理的结果表明，由于晶粒细化，其平均有效法拉第角比常规热处理后的样品大０．５°左右，且随循环数增加而增大。同时由于Ａｌ３＋在四面体和八面体位的取代，导致居里温度下降（１４０～１６０℃），这些结果对提高磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的     

传统磁记录摄像机实施“磁改非”的技术价值分析

本世纪初,新一代使用数字芯片作为记录介质的摄像机欣然问世,就象本世纪初以来数字照相机以其绝对优势和惊人的速度在及短的时间内就淘汰了传统的胶片式照相机一样,这种全数字化记录模式的摄像机大有取代以磁带为记录介质的传统摄像机的趋势。然而,全国总数量超百万台、总价值愈数千亿元的磁记录摄像机目前仍在使用高峰期,短时间内淘汰是不现实的。那么研究、推广使用一种有效的方法、以很小的投入使传统磁记录摄像机得以技术提升并达到延续使用,完成新老设备更新期的过渡,即是本文之分析目的。     

热印头及热印刷记录技术的现状

本文介绍了热印刷记录技术的发展过程、热印头的结构、现状和主要性能。并对国内现状和以后的发展进行了讨论。     

多层结构磁光记录介质的优化设计和制备

本文提出了一种计算磁光多层结构光学特性的新方法,它可以用来计算包含有一层或多层磁性薄膜的磁光多层结构的反射率、Kerr角及椭圆度等光学特性,并得到了应用.     

宽温环境下磁光盘瞬态温度场的研究

本文利用有限单元法,在宽温环境(-20℃～+88℃)下,对层状膜结构磁光盘的瞬态温度场进行了模拟,着重分析了环境温度对磁光盘温度场的影响,研究了不同环境温度下磁光盘记录灵敏度同记录光脉冲宽度的关系,为进一步研究宽温环境下磁光盘的热磁记录和磁光读出特性提供了分析手段。     

高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性

报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关 ;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关。这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间 ,能够用静磁场消除。     

采用不同中间夹层的双记录层磁光光盘热光特性比较

磁光存储技术是一种颇受关注的下一代光存储技术.为提高单个磁光光盘的存储容量,途径之一是采用多值存储、多波长读出技术,实现所谓三维磁光存储.通常使用不同波长的蓝光来实现信号的读写操作.如果不同波长的激光在磁光存储多层膜中产生热场分布的差异较大,将有利于提高读出信号的信噪比.本文结合光学矩阵法及有限元方法分析了中间夹层分别为SiN、GaP时,磁光存储多层膜的热光特性.结果表明在蓝光波段,用GaP层替代传统的SiN中间夹层,将使磁光光盘具有更好的热光特性.     

退火处理对0.5PZN-0.5PZT陶瓷弛豫性的影响

采用常规陶瓷工艺制备了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Zr_(0.5)Ti_(0.5))_(0.5)O_3 (0.5PZN-0.5PZT)铁电陶瓷,并在氧气氛下进行退火.运用XRD、直流电导率和介电温度谱测试氧气氛退火前后陶瓷相结构与电性能的变化,并对弛豫性与微结构的关系进行探讨.结果表明,氧气氛退火可有效补偿体系中的氧空位,降低四方相含量,材料的弛豫性显著增强.     

大功率半导体激光器热弛豫时间的测量

根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法——利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱。采用此方法对TO封装和厘米-靶条(cm-Bar)阵列的AlGaAs/GaAs半导体激光器的动态热特性进行了测试,得到其热弛豫时间分别为66μs和96μs。     

脉冲激光二极管端面抽运固体激光器中晶体的热弛豫时间

在脉冲激光二极管(LD)端面抽运固体激光器中,存在热效应瞬态过程,即晶体的温度分布具有时变性,晶体温度的时变过程受到热弛豫时间的影响.从热传导方程出发,采用解析法和数值法分别对晶体降温过程中温度的时变性进行计算;采用有限元方法,对晶体热弛豫时间及其影响因素进行数值计算,分析了晶体直径、密度、热传导系数和比热等热物性参数对热弛豫时间的影响;采用流体流动换热理论,充分考虑了冷却水流温度和速度对晶体温度分布的影响.结果表明,通过调整晶体尺寸、冷却系统可以实现对热弛豫时间的控制.根据有限元软件ANSYS的计算结果,分析了晶体抽运端面上径向温度的时变分布,晶体边缘与中心的温差和光程差;初步计算了晶体热透镜不同径向位置处的焦距差.结果表明,晶体冷却过程中,不同径向位置与中心的温差和相对光程差具有时变性,晶体热透镜的聚焦特性也是随时间变化的.     

对MIS结构热弛豫时间的分析计算

对MIS（金属?绝缘层?半导体）结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度xd0、强反型时耗尽区最大宽度xdm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度ND等关键物理量之间的关联进行了推导,并基于MEDICI平台对推导结果完成了仿真验证,从而加强了学生对半导体表面效应的理解,也利于他们未来从事半导体方面的创新研究。     

隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究

针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。     

基于高清晰度数字电视机顶盒的硬盘节目录放功能实现

首先简述本实验室开发的高清晰度数字电视机顶盒结构，然后提出基于该机顶盒的硬盘节目录放功能的实现方法。方法被证明是成功的，满足了高清晰度电视硬盘节目录放功能的性能指标。     

小型化牵动下的硬盘技术

逐一分析了硬盘中的磁头、盘片等主要构件以及飞行高度发展至今的小型化过程,从而显示出当今硬盘技术发展的概貌;分析讨论了超顺磁效应,指出硬盘小型化要想继续下去必须另辟新路。     

某高密度组装模块的热设计与实现

综合化模块组装密度高,热设计方案优劣直接影响模块各项性能指标。采用仿真手段对比优化方案,确定能增加导热通路的夹层结构。测试模块温升路径,通过在模块插槽内垫铝箔及在芯片与壳体之间加垫导热垫的方法降低接触热阻,保证了热设计方案能满足模块性能要求,为类似模块热设计提供了参考。