一种新型异步FIFO的设计

本文详细说明了一种新型异步FIFO的设计方法。该异步FIFO的宽度为8位,深度为16,支持深度为1的buffer模式。水位可编程。它具有四种FIFO状态,对于DMA和中断的支持非常有用。     

一种电真空器件的失效研究

电真空器件的失效期表现为浴盆曲线,可分为早期失效期、偶然失效期和耗损失效期三个阶段。本文分析了电真空器件的失效因素,指出各个因素对电真空器件失效的影响大小。提出了用电真空器件管内真空度的变化来计算电真空器件偶然失效期的模式。并以速调管为例说明电真空器件管内压强的测量方法。     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

一种有效的FIFO复位策略

介绍了一种有效的FIFO复位策略。在逻辑设计中,经常需采用FIFO来缓存数据包。当系统发生异常时,FIFO有可能出现如丢包后数据包对应关系错乱且不可恢复问题,此时,为了用最小的代价使得整个逻辑恢复正常,通常采用软件控制复位FIFO来解决。但由于软件复位FIFO时是随机的,复位有可能发生在数据包传递过程中,造成不完整的数据包写入FIFO,而导致新的不可恢复故障。因此,有必要针对复位FIFO操作进行相应处理,以达到正确复位的目的。     

CQFP器件焊点开裂失效分析

CQFP器件由于其可靠性高的优势已经广泛应用于军事、航天航空领域,但是在实际使用中,特别是在温度和力学条件下容易出现焊点脱落和引脚断裂等问题。针对在工作中遇到的一次典型焊点开裂失效案例进行分析,对问题产生的根源进行了定位,对焊点开裂的失效机理进行了分析,最后简要介绍了提高CQFP器件焊接可靠性的一些工艺措施。     

一种GaAs PHEMT器件的失效分析

随着Ga As PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件的广泛应用,器件的可靠性及失效分析方法越来越受到人们的重视。该文采用半导体参数分析仪、聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDX)等分析方法对一种PHEMT器件进行失效分析,为实际生产和加工过程中的失效分析提供了参考。     

电子设备可靠性设计中器件的失效评估

本文主要针对设备可靠性设计中的器件失效问题展开讨论,对器件在工作中失效性进行了评估,通过失效评估为后期的设计工作打下了基石,提高了整机的性能指标.     

一种用于数字视频信号处理的嵌入式FIFO

介绍了一种适用于数字视频处理中垂直滤波的嵌入式ＦＩＦＯ的结构，可同时写入并读出多行数据。电路采用了三管动态存储单元和带缓冲的Ｉ／Ｏ单元，并针对Ｙ－Ｃ分离算法的要求对控制电路进行优化，经先进半导体制造１．０μｍ多晶栅双层铝布线工艺流片测试，在４０ＭＨｚ时钟下工作正常。     

有机发光器件的一种失效机制

制备了结构为铟锡氧化物(ITO)/NPB/插入层/Alq/LiF/Al的有机电致发光(EL)器件,测量了器件发光随电压变化的光谱和电压-电流-亮度特性,观察到这种结构器件在电压升高的过程中总是在某电压附近有一个光谱、亮度和效率等性能突变的不可逆过程,这是由于在发光区域附近的纳米薄层材料将导致电荷在该区域的局部聚集,并引起该薄层材料局部破坏。这一失效的机制表明,尽管在器件制备过程中可能需要在器件中使用几纳米厚的有机层,但是应当考虑尽量避免,以使器件内载流子分布合理,避免此类失效过程发生。     

电子仪器失效(故障)分析

本文结合具体实例着重介绍了电子测量仪器失效分析中最通用的方法--根据故障部位分析故障产生的原因.为广泛开展失效分析活动,提高电子测量仪器可靠性水平提供重要参考.     

片式多层陶瓷电容失效模式研究

介绍了片式陶瓷电容的基本结构和材料特性及其常见的短路、开路和参数漂移失效模式;分析了失效的主要原因.结合工程实践,从器件选型、用前筛选、版图及结构设计和装配工艺选择等方面,给出了提高多层陶瓷电容使用可靠性的建议.     

强实时性FIFO类

本文基于面向对象技术和嵌入DOS系统下的PC定时中断系统,设计并实现了具有强实时性特点的FIFO类.它不仅能够实时接收并存储以20ms为周期的实时数据,弥补嵌ADOS系统实时性不强的缺陷,而且可以避免采用价格高出数倍的高速FLASH电子盘存储数据,大大降低系统的硬件成本.文章讨论了强实时性FIFO类的设计及实现技术,并给出实例.     

EEPROM失效机理初探

在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。     

硅基梳齿式MEMS器件及封装的失效调查

对典型硅基梳齿式MEMS器件进行失效调查和分析,验证其主要失效模式,分析其失效机理.利用电子扫描显微镜(SEM),X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM),X射线能谱成份分析(EDX)、金相切片分析、封装气体分析及电性能测试等分析技术,发现在工艺制造中的机械失效是造成此类器件失效的主要原因.另外,此类器件的封装失效主要表现为气密性失效和装配工艺失效.     

集成电路陶瓷外壳析出物失效模式分析

为了集成电路的可靠性保证,往往需要对集成电路外壳进行验收。验收项目中,有一个耐湿试验分组,用来加速评定外壳的抗腐蚀性能及相应的质量可靠性能。在该试验分组中发现,陶瓷外壳失效除了已有的常规模式外,还有一种很严重的析出物失效模式。发现焊框与陶瓷结合处有胶体状析出物,析出物以流质状态析出,然后凝固,严重的还会造成焊框漏气,从而引起外壳失效。     

异步FIFO的设计分析

基于FIFO的工作原理依次论述了异步FIFO的读写控制逻辑和空满状态判断逻辑,突破了传统的方法,采用分别为读、写指针增添一位附加位的方法来更快、更准确地判断异步FIFO的空、满状态,设计了一款具有转发功能的FIFO。测试结果表明:此款FIFO的转发功能正常,读写速率可达到165 MHz。     

高速大容量FIFO的设计

为了解决标清数字视频的帧同步器中的帧缓冲器设计问题,文中描述了一种可以支持实时数据流处理的高速大容量FIFO设计方法.该方法用SDRAM做为存储体,用FPGA设计双口SDRAM状态机控制SDRAM工作,并在FPGA内部实现数据接口同步,对数据流进行流水线式处理,完成数据的无缝缓冲,保证输入输出数据流的连续性.通过下载调试,该FIFO设计方法可用做视频帧同步器中的帧缓冲器.     

集成运放在可靠性筛选中致命性失效现象的分析

本文研究了低功耗集成运算放大器在可靠性筛选中出现的致命性失效现象,提取了必要的模型参数,藉助于Spicc-Ⅱ程序进行了失效现象的分析.模拟结果与实验的模式较为符合.