Infineon与日月光推更高集成度半导体封装

英飞凌科技和日月光近日宣布，双方将合作推出更高集成度半导体封装，可容纳几乎无穷尽的连接元件。与传统封装（导线架层压）相比，这种新型封装的尺寸要小30％。英飞凌通过全新嵌入式WLB技术（eWLB）成功地将晶圆级球阵列封装（WLB）工艺的优越性进行了进一步拓展。与WLB一样，所有操作都是在晶圆级别上并行进行，标志着晶圆上所有芯片可以同时进行处理。     

英飞凌SuperS08无铅封装OptiMOS3系列提升功率密度

英飞凌公司推出采用SuperSo8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V,60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在以下击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻.     

英飞凌苏州封装厂首批存储器将于年底下线

日前，德国英飞凌科技公司宣布，首批存储器产品将于2004年底从其苏州封装厂下线，批量生产计划将于2005年初开始。英飞凌的苏州封装工厂也被正式命名为英飞凌科技(苏州)有限公司。同时，英飞凌还在苏州成立了一个专门致力于生产工艺的IT开发中心。     

英飞凌有铅小信号分立器件全在无锡封装

1996年在无锡设厂的英飞凌科技(无锡)有限公司,一直以承接成熟工艺进行批量封装测试定位,主要从事英飞凌科技小型化分立器件和智能卡芯片后道封装。但到2011年,英飞凌通过在资金、技术和制造设备上投     

英飞凌力推FCOS智能卡封装工艺

日前,智能卡芯片供应商英飞凌科技有限公司在无锡展示了其最新推出的基于FCOS（Flip Chip on Substrate,板上倒装芯片）工艺的智能卡IC封装生产线。此项先进的智能卡IC封装工艺,使得智能卡在节省智能卡IC封装内部芯片空间及智能卡封装空间、成本效率、减少周期和提升性能方面都有了很大的提高。     

英飞凌有铅小信号分立器件全在无锡封装

1996年在无锡设厂的英飞凌科技（无锡）有限公司,一直以承接成熟工艺进行批量封装测试定位,主要从事英飞凌科技小型化分立器件和智能卡芯片后道封装。但到2011年,英飞凌通过在资金、技术和制造设备上投入约1．5亿美元,将使其成为英飞凌科技有铅小信号分立器件和智能卡芯片全球制造基地,并同时兼具创新工艺开发功能。     

FCOS无锡落成投产 英飞凌再扩中国业务版图

英飞凌（Infmeon）公司基于FCOS（Flip Chip on Substrate，板上倒装芯片）工艺的智能卡IC封装生产线近日在无锡工厂正式投产。此项先进的智能卡IC封装工艺，使得智能卡在节省智能卡IC封装内部芯片空间及智能卡封装空间、成本效率、减少周期和提升性能方面都有了很大的提高，能够满足不断创新的智能卡应用的需求。     

其他

英飞凌三维多棚技术大幅度改善能源效率；Vishay将IrDA收发器与遥控接收器集成在3透镜封装中；莱尔德科技用于电路板的散热型屏蔽解决方案；[编者按]     

意法半导体、STATS ChipPAC和英飞凌在晶圆级封装工业标准上树立新的里程碑

英飞凌科技股份公司、意法半导体和STATS ChipPAC近日宣布，在英飞凌的第一代嵌入式晶圆级球栅阵列（eWLB）技术基础上，三家公司签订协议，将合作开发下一代的eWLB技术，用于制造未来的半导体产品封装。     

一种更薄更简洁的芯片卡封装技术

英飞凌科技公司和捷德公司联合研制出一种专用于芯片卡应用的创新芯片封装工艺。FCOS(Flip Chip on Substrate，板上倒装芯片)技术首次将芯片卡集成电路“倒装”在芯片卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料。新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

英飞凌推出采用超小型SOT23封装的高精度、高能效TLE496x霍尔传感器

英飞凌科技股份公司推出了针对要求最高精度、最低能耗和最小空间的汽车和工业应用的霍尔传感器。全新TLE496x传感器提供全球最小的霍尔传感器封装(SOT23)。该产品以英飞凌开发的全新0.35μm工艺技术为基础。凭借这种全新技术,英     

英飞凌推出低通态电阻的全新OptiMOS3系列

英飞凌科技股份公司宣布推出采用SuperS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperS08封装与标准TO（晶体管外形）封装相比,可使功率密度增大50％,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用SuperS08封装的器件可以只用20％的占位空间提供与DLPak封装相同的通态电阻。     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Teehnologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

采用T0—220FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出采用TO一220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的T0220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。     

英飞凌推出第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO-220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,     

功率半导体挖掘节能潜力

英飞凌科技(中国)有限公司汽车、工业及多元化电子市场部高级总监欧洲功率电子中心执行主席Leo Lorenz博士成功三宝:技术、封装和销售英飞凌(Infineon)在功率半导体市场保持数一数二的位置,主要原因有三:1,拥有前沿性技术、前端生产线和后端生产线。     

飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5mm×6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术

英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件，将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能（例如：大功率密度的直流DC/DC转换器）。     

低通态电阻MOSFET功率密度提高50％

英飞凌日前推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比,可使功率密度增大50％,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。     

英飞凌扩展存储器业务 完善中国市场布局

9月24日,英飞凌(fineon Technologies)在苏州建立的存储后道封装工厂正式落成开业.首批存储器产品将于2004年底走下后端生产线,批量生产计划将于2005年初开始.英飞凌科技公司首席市场官鲍尔(Peter Bauer)说,新工厂将根据全球半导体市场的发展和趋势分几个阶段建设,整个项目计划投资约10亿美元,完全竣工后,英飞凌苏州生产厂的最大生产能力将达到每年10亿块存储器芯片.