IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

本文主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度.分析了影响光刻对准的各个主要因素.主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法.     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。     

TFT制造工艺简化

三星电子公司开发了三次套刻工艺来制造TFT器件。一般TFT制造采用四次或五次套刻工艺来完成。采用三次套刻工艺后，比四次套刻工艺不仅提高生产能力20％，而且节省原材料、缩短生产节拍，将提高产量，提高竞争力。     

新颖的TFT LCD制作工艺

日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。     

TFT—LCD的基本结构和TFT制造技术

ＴＦＴ—ＬＣＤ的基本结构和ＴＦＴ制造技术１引言随着信息社会的高度发展，用于人─—机联系的显示越来越重要了。由于计算机趋向于小型化，因此，与计算机连接的显示器件也要求体积小、重量轻、耗电少。从根本上来说，就是要以新的显示器件来取代持续４０多年唱主角的Ｃ...     

三道光刻TFT制造技术

LG菲利蒲公司开发了三道光刻TFT制造技术，而现在的TFT制作普遍采用四～五道光刺技术。随着光刻技术的减化，不仅压缩了工艺流程，降低成本，而且提高生产能力减化工艺也是TFT企业竞争的主要手段之一，因而LG菲利蒲公司靠三道光刻工艺技术将提高TFT—LCD产品的竞争力。     

TFT阵列工艺简化

三星电子成功开发了3套掩模版TFT阵列工艺技术。一般TFT阵列工艺采用5或4套掩模版技术制作TFT阵列，3套掩模版工艺与4套掩模版工艺相比较，缩短工序，降低生产成本，生产能力提高20％，将增强企业的竞争力。     

光刻掩模的静电放电损伤及其防护

半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术.而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件.随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战.     

新书推荐——薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术

本书主要介绍非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术，共13章，内容从TFT元件的结构及特点，到TFT的检查与修复，包括TFT阵列制造清洗工艺、成膜工艺、光刻工艺、不尉辑析和检查修复。本书从11可阵列大规模制造的角度，第一次比较全面地介绍了TFT LCD牛产线的TFT阵列制造工艺技术、工艺参数、生产工艺技术管理、工艺材料规格、设备特性、     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。     

TFT LCD技术的发展

本文介绍了近期ＴＦＴ ＬＣＤ技术发展动态，简述了ＴＦＴ ＬＣＤ发展趋势。     

光刻工艺稳定性研究

光刻技术是一种精密的表面加工技术，它是一种图形技术与图形刻蚀工艺相结合综合性工艺，是平面工艺中至关重要的一步，其工艺质量是影响器件性能、可靠性及成品率的关键因素之一。本文主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法，并通过分析和实验得出了稳定性方案。     

TFT LCD技术的进步

叙述近年来ＴＦＴＬＣＤ品质的改善和技术进步以及信息系统集成在ＴＦＴＬＣＤ屏上的新技术。     

工艺制造

欧姆龙加强传感技术本地化研发；中芯国际获高通1．2亿美元订单；Hynix-ST无锡300mm存储芯片生产线投产。     

2009年全球TFT—LCD设备行业30项排名

水清木华日前发布了2009年全球TFT—LCD设备行业市场报告,报告中指出,从2009年1季度到2011年4季度,全球新投入的TFT—LCD生产线有三星的第二条8代线、LG的8代线、友达的一条7．5代线和一条8．5代线、奇美的一条8代线、群创的6代线、夏普的10代线、京东方的合肥6代线,IPS ALPHA的8代线。此外,京东方在8月底宣布投资280亿人民币建设8代线,昆山龙飞光电投资33亿美元建设8．5代线,昆山龙腾光电32亿美元建设8代线,夏普南京建设8代线。     

彩色PDP显示电极的制造工艺

本文叙述了一种低温制造透明电极的技术．该技术能克服高温喷二氧化锡产生变形的缺点。从而满足了彩色PDP显示器的要求。另一方面．也叙述了汇流电极的制造方法。同时．也指出了光刻技术和印刷技术在彩色PDP显示器上的重要应用。     

光学光刻工艺中邻近效应的定量分析

随着超大规模集成电路 (VLSI)图形密度的增大 ,邻近效应已成为光学光刻的关键问题之一。通常在平整硅片上对 0 5 μm图形采用 0 5 4NA和传统的单层i线抗蚀工艺时 ,密集图形和孤立图形间的线宽差异大约为 0 0 8μm。然而 ,这一线宽差异已严重地影响了实际生产的工艺稳定性。阐述了邻近效应对图形尺寸、线条与间隙占空比、衬底膜种类、曝光过程的散焦效应、与抗蚀剂厚度变化有关的抗蚀工艺条件和显影时间的依赖性。同时 ,采用 2种不同抗蚀剂实验监测了不同潜像对比度引起的关键尺寸 (CD)偏差。为减小实际图形因抗蚀剂厚度变化引起的CD差异 ,获得最佳抗蚀剂厚度 ,进行了一种模拟研究。