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高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 总被引:2,自引:2,他引:2
报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW. 相似文献
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根据垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作特性,设计了一种新型的易于实验室普及使用的VCSEL特性测试系统,并对VCSEL进行测试,得到了相关测试曲线。该系统使用方便,成本适中,有重要的实际应用价值。 相似文献
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垂直腔面发射激光器的动态特性分析 总被引:4,自引:1,他引:4
本文给出了动态的垂直腔面发射速率方程,并由此推出了瞬态下的衰减因子和张弛振荡频率和计算公式,以及小信号调制下的光子、载流子的响应函数表达式。计算结果表明,在瞬态下衰减因子随β的增加明显变大,它使张弛振荡过程变短;在小信号调制下,多量子阱的周期增益结构比一般的垂直腔面发射结构有更大的调制带宽。 相似文献
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介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述。 相似文献
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根据发展历史的顺序,对量子阱垂直腔面发射激光器微腔物理进行了概述,其中包括垂直腔面发射激光器、腔量子电动力学和半导体微腔物理。给出半导体垂直腔面发射激光器及其微腔物理思想来源的详细图像。 相似文献
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基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10dB以上,最高达到16.56dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96dB。最终,得到偏振抑制比为16dB、水平发散角为8.349°、垂直发散角为9.340°的单偏振稳定输出795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),为实现单偏振高光束质量VCSEL激光光源提供了实验基础。 相似文献
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垂直腔面发射激光器是先进光学信息系统的关键 器件之一,具有低成本、低发散角、窄线宽等优点。 为满足垂直腔面发射激光器在微型原子钟、军事通信等领域的应用,优化激光器的结构参数 来改善腔模位置以及在 顶层集成光栅改善出光信号的光场分布就变得尤为重要。基于增益腔模失谐技术以及光栅优 异的光束会聚、偏振分 束功能,提出一种基于非周期性亚波长光栅的894 nm垂直腔面发射激 光器。利用光栅的偏振分束功能,可使器件输 出端口的消光大于30 dB。通过改善腔模位置以及氧化孔径,器 件在20 ℃范围内基本工作性能保持稳定 , 在85 ℃环境下工作波长满足微型原子钟的要求,输出光功率为2mW ,为下一代微型原子钟、军事通信等的发展提供了良好的理论基础。 相似文献