单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件,并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。     

SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

深入地研究了ＳｉＮｘ钝化膜厚度对ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｐＨＥＭＴ电性能的影响,实验结果表明,ｐＨＥＭＴ器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;妆膜厚超过２００ｎｍ时,将影响ｐＨＥＭＴ器件电特性。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

K波段单片功率放大器

报道了Ｋ波段的ＰＨＥＭＴ ＭＭＩＣ的设计与研制。ＰＨＥＭＴ器件采用０．５μｍ栅长的３ｉｎｃｈ ＧａＡｓ标准工艺制作。三级的ＭＭＩＣ放大器在１８ＧＨｚ处,线性增益１７ｄＢ,输出功率Ｐ－１＝１９ｄＢｍ。Y     

迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析

在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁殉增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明：用ＭＥＥ方法生长 材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡｓ（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。     

GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。     

GaAs—InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ初底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃ ｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｇ／ｍｍ，可满足与长波长光这器件进行单片集成的需要。     

电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在５０ＫＶ加速电压下,其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２,曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍,分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ,首先,用Ｉ线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了０．５μｍ栅长的ＧａＡｓＰＨＥＭＴ。将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余     

2.5～10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

主要坑速光纤通信系统中调制器驱动电路ＨＥＭＴ ＩＣ设计开展研究。着重讨论了ＰＨＥＭＴ器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对２．５￣１０Ｇｂ／ｓ ＰＨＥＭＴ ＩＣ光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足２．５￣１０Ｇｂ／ｓ高速光纤通信系统需要。     

砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

着重讨论南京电子器件研究所（ＮＥＤＩ）在ＧａＡｓ ＭＭＩＣ研制方面的近期进展。在详细介绍ＭＭＩＣ有源器件（ＭＥＳＦＥＴ,ＰＨＥＭＴ及ＨＢＴ）的ＣＡＤ模型建立技术及ＭＭＩＣ ＣＡＤ设计优化技术的基础上,以ＮＥＤＩ近年开发的各种ＭＭＩＣ为实例,包括发射,、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果。此外,简要介绍了ＮＥＤＩ在移动通信手机用ＭＭＩＣ技术开发方面的前期结果。     

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

用固态源ＭＢＥ技术生长了ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ中的结构参数,如多量子阱中ＩｎＧａＡｓＳｂ的阱宽,ＡｌＧａＡｓＳｂ的垒宽及垒层中Ａｌ组分和阱层中的Ｉｎ组分,多量子阱中的阱数等,来提高ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱的ＰＬ强度。     

GaAs的ICP选择刻蚀研究

选择刻蚀在ＧａＡｓ工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能。感应耦合等离子刻蚀（ＩＣＰ）是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在ＧａＡｓ器件的制造中有突出的优点。本工作进行ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ     

用柠檬酸盐-凝胶法低温合成单相Ba(Mg1/3Ta2/3)O3

本文利用ＸＴＤ、ＤＴＡ、ＴＧＡ、ＳＥＭ、ＴＥＭ等分析手段研究了用柠檬酸盐－凝胶法低温（６００℃）合成单相Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３的方法。结果发现，与传统的固相反应合成ＢＭＴ的方法相比，柠檬酸盐溶胶－凝胶法能在６００℃的温度下合成单相ＢＭＴ，睽怕粉体具有１０￣２０ｎｍ的单颗粒尺寸。     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

REPORT ON ELECTROMAGNETIC METROLOGY IN CHINA DURING 1990-1992

ＲＥＰＯＲＴＯＮＥＬＥＣＴＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣＭＥＴＲＯＬＯＧＹＩＮＣＨＩＮＡＤＵＲＩＮＧ１９９０－１９９２￥ＹａｎｇＸｉａｏｒｅｎ；ＲｅｎＤｉａｎｑｉｎｇ；ＬｉＺｉｚｈｏｎｇ（ＣｏｍｍｉｓｓｉｏｎＡ，ＣｏｍｍｉｔｔｅｅｆｏｒＣｈｉｎｅｓｅＵＲＳＩ）...     

FROM THE DRAWING OFFICE TO ELECTRONIC IMAGE HANDLING

ＦＲＯＭＴＨＥＤＲＡＷＩＮＧＯＦＦＩＣＥＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＩＭＡＧＥＨＡＮＤＬＩＮＧ￥／／ＴｈｅｔｉｍｅｗｈｅｎａｌｌｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇｄｒｗｉｎｇｓＷｅｒｅｄｒａｗｎｂｙｈａｎｄｏｎａｄｒａｆｔｉｎｇｔａｂｌｅ，ｗｅｒｅｒｅｐｒｏｄｕｃｅ...     

铬酸锶镧材料的制备和性能研究

利用Ｇｌｙｃｉｎｅ－Ｎｉｔｙｒａｔｅ－Ｐｒｏｃｅｓｓ合成了Ｌａ１－ｘＳｒｘＣｒＯ３－δ粉体材料,并采用ＸＲＤ,ＤＴＡ／ＴＧ、ＴＥＭ和粒度分析等方法,对粉体性能进行了研究。用Ａｒｃｈｉｍｅｄｅｓ法,直流四探针法和ＸＲＤ分别研究了烧结体的烧结性能,电性能和相结构。     

GE欲扩大PPE,Shell拟增产PTT

设在美国Ｐｉｔｔｓｆｉｅｌｄ,Ｍａｓｓ的ＧＥ塑料公司总部８月２日宣布２０００年将在全球范围内扩大ＰＰＥ树脂的生产能力,使设备能力增加２９０００ｔ／ａ,以满足各方面的需求。ＧＥ塑料的ＰＰＥ主要生产厂设在美国Ｓｅｌｋｉｒｋ,ＮＹ和荷兰的ＢｅｒｇｅｎｏｐＺｏｏｍ及日本的Ｍｏｋａ。ＧＥ塑料的ＰＰＥ树脂主要用于包括Ｎｏｒｙｌ和ＮｏｒｙｌＧＴＸ等改性聚苯醚产品生产中。ＰＰＥ树脂在电信产品、电视机及汽车领域具有广泛的应用。在电视机方面,以往大多使用阻燃型高抗冲聚苯乙烯,而目前,人们指望由ＰＰＥ得到新的环保型产…     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

A Comparison of Laser Cladding Ni-based Coating on an Aluminium Alloy with CO_2 Laser and Nd: YAG Laser

ＡＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｏｆＬａｓｅｒＣｌａｄｄｉｎｇＮｉ－ｂａｓｅｄＣｏａｔｉｎｇｏｎａｎＡｌｕｍｉｎｉｕｍＡｌｏｙｗｉｔｈＣＯ２ＬａｓｅｒａｎｄＮｄ：ＹＡＧＬａｓｅｒＬｉａｎｇＧｏｎｇｙｉｎｇＥｒｉｃ．Ｔ．Ｔ．ＷｏｎｇＨ．Ｃ．ＭａｎＸｉ’ａｎＪｉａ...