以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究

实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6. 4 nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能的影响。研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导。PI薄膜基底表面金薄膜导热、导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中。当对PI薄膜基底的热处理时间为1 h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、导电系数呈下降趋势。当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0 h升到6 h,金薄膜的导热、导电性能先下降后上升,并在6 h后趋于稳定。     

基于计量信息模型的电力计量自动化PI点维护方法

佛山供电局海量实时数据采用PI数据库进行存储,目前已经有270多万PI点,是全球首家超过200万点的厂家。目前对PI点的管理缺乏确实有效的方法,本文提出了一种基于业务模型的PI点自动维护方法,从模型同步、PI点创建、完整性检测、PI点清理四个方面实现PI点的自动维护,有效的保证了PI点的准确性、实时性和同业务模型的一致性。     

PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能

利用硬质玻璃为载板,采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备,在聚酰亚胺(PI)塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅(a-Si)太阳能电池;研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明,PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1 200 nm波长范围的透光率为76.63%,方块电阻19.7?/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%,封装后电池组件具有一定的透光性,透光率约达到30.2%。     

基于PI逆模型的快速微摆反射镜的开环控制

由压电陶瓷驱动器构成的快速微摆反射镜平台存在迟滞特性,影响了对快速微摆反射镜的控制。为了能够有效的对快速微摆反射镜进行控制,采用基于PI逆模型的开环控制方法。首先,采用PI模型对快速微摆反射镜平台的迟滞特性建立数学模型,通过最小二乘法辨识PI模型的参数;其次,基于PI模型的可逆性,求解PI逆模型参数;最后,验证基于PI逆模型的开环控制方法的有效性。根据轨迹跟踪实验得到的数据,在正弦波轨迹输入信号下的均方根误差为1.23%,最大误差为2.45%;在三角波轨迹输入信号下的均方根误差为1.3%,最大误差为2.37%。证明了基于PI逆模型的开环控制方法是可行的,能够有效地控制快速微摆反射镜。     

永磁同步电机模糊PI与PI控制性能的比较及仿真

采用32位的高性能DSP TMS320LF2407,系统采用速度环和电流环双闭环结构.电流环为模糊控制器,速度环为PI控制器,组成了模糊PI控制器.从仿真可以看出,同PI控制相比,模糊PI控制使永磁同步电机控制系统的抗干扰能力得到提高,增强了鲁棒性,动态性能得到改善.     

PI膜厚控制方法分析

以凸版印刷机、膜厚测试仪为基础，研究了PI液固含量、PI液补加滴数、印刷速度、Doctor轮压入量等几个因素对PI膜厚的影响，为实际生产中稳定控制PI膜厚提供了依据。     

聚酰亚胺溶液黏度对液晶预倾角的影响

为了制备具有自取向功能的聚酰亚胺(PI)取向膜,避免摩擦工序在取向膜表面造成静电、灰尘、配向不良等不利影响,本实验通过一系列黏度不同且有水平及垂直取向功能的PI溶液,研究了PI液黏度和其取向膜表面粗糙度的关系,进而研究了PI膜表面粗糙度和液晶预倾角(θ_p)的关系。研究发现:取向膜表面粗糙度随着PI液黏度的增大而增大,θ_p随着粗糙度的增大而增大,但当粗糙度大于一定值(3.760nm)后,θ_p增长缓慢并趋于稳定。这主要是因为PI液黏度增大时,阻碍了相邻PI液滴通过分子链段协同运动向彼此扩散的几率,进而形成取向膜表面的"峰谷"形貌,这种"峰谷"形貌表面对液晶垂直取向起到了支撑作用,正是这种支撑作用使得液晶分子获得较大的θ_p。结合液晶面板响应时间对高预倾角的要求和Inkjet PI液滴喷嘴过小对PI液黏度的限制,得出PI液黏度大约为41CP时,此时取向膜表面粗糙度为4.830nm,液晶取向角为5.5°,能较好地满足液晶取向的要求。     

应用PI/SQC创建SPC控制图

针对尚未创建、纳入SPC管理的过程或工序,基于PI历史实时数据库,对采用PI/SQC（Statistical Quality Control,统计质量控制）创建SPC图的方法进行了研究与实践。应用表明,该方法无风险、无需试验成本、不干扰生产正常运行。对已拥有PI实时数据库的企业,便捷地为PI点创建SPC控制图具有实际参考价值。     

PI数据库在电网信息化中的应用

为促进我国智能电网技术的不断完善,保证系统的实时性和安全性,避免"信息孤岛"。在此通过对PI实时数据库技术及PI实时数据库在电网信息化中典型应用的分析研究,提出了实现PI实时数据库与电网信息系统集成的基本方法。通过PI系统的建设,架设起生产控制系统与管理信息系统之间的桥梁,能够在同一平台上共享来自不同应用的数据。通过网络拓扑实现系统内数据的有机结合,为信息的综合挖掘和服务于企业生产与管理决策提供参考。     

聚酰亚胺溶液黏度对其在TFT玻璃基板粘接性能的影响

为了研究聚酰亚胺(PI)溶液黏度对TFT玻璃基板粘接性能的影响,本实验制备了一系列不同黏度的PI溶液。通过制备5层粘接试样研究了PI液黏度大小对TFT基板粘接强度的影响。研究发现,在PI液黏度从86CP减小到15CP过程中,其和TFT基板的粘接强度呈现先增大后减小的趋势。这是因为当PI液黏度较大时,粘接剂和被粘物表面的接触距离远和接触面积小是抑制粘接强度增大的关键因素,而当PI液黏度较小时,PI膜本身的内聚能小则是阻碍粘接强度增大的关键因素。当PI液黏度为37CP时,能同时满足低黏度和高粘接强度的生产要求。     

聚酰亚胺吸水对挠性板分层的影响

本文详细研究了FPC生产中常用材料(PI补强、CVL、FCCL)的吸水率大小及特点。通过PI吸水对挠性线路板造成分层、爆板的影响试验,发现吸水是造成挠性板分层、爆板缺陷的主要原因之一,并总结出分层、爆板可分为两类情形:一类为PI在挠性线路板外层,吸水会造成热应力测试时分层,而将板烘干后,热应力288℃10s 5次也不会分层;二类是PI在挠性内层,多层压合前PI吸水会造成喷锡或热应力测试时分层,且烘板后再次测试也同样分层。通过研究发现分层是由于PI中水分受热迅速膨胀产生巨大压力造成的。而在多层板中由于铜层或刚性基材层的阻挡,PI吸收的水分残留在板内无法挥发,在喷锡或热应力测试时分层。最后提出了有关PI吸水造成挠性板分层的模型。     

聚酰亚胺表面化学沉铜前处理的微观分析

讨论了聚酰亚胺(PI)沉铜前处理过程对孔内沉铜空洞的可能影响,利用扫描电子显微镜分析了每道前处理后PI的微观表面状态。实验表明,只有当PI表面被PI调整剂粗化后方可以提高沉铜层与PI之间的结合力,而且沉铜层与PI间的结合力还与沉铜时间相关。     

预测模糊PI控制的反激变换器设计与仿真

针对传统控制技术应用于反激变换器时控制精度低、超调大等问题,提出一种预测模糊PI控制策略。在对反激变换器进行频率响应分析、PI和PID补偿分析的基础上,进而分析变换器的非线性特性。基于模糊PI控制提高系统的控制精度,同时引入单值模型预测算法改进模糊PI控制器的输入,最大限度地减小相位滞后的影响。Simulink仿真验证结果表明,相比于PID控制模式,该系统的稳态误差控制在0.55%左右,动态调节时间为0.02 s,超调量几乎为零。仿真结果验证了控制策略的性能。     

有源电子滤波器迭代PI控制器的设计

电流跟踪控制器的设计是有源电子滤波器关键问题之一。电流跟踪控制器的给定为交流信号,本质属于随动系统。由于传统PI控制器在对交流信号的踪上存在静差,影响了有源电子滤波器的控制效果。本文分析研究了迭代PI控制器,证明了该控制器与重复控制的等价性。由于迭代PI控制器具有周期积分器,所以从根本上消除了传统PI的静差问题。文章最后通过Matlab仿真对比了两种控制方法的控制效果。     

聚二甲基二烯丙基氯化铵元件的氨敏性能研究

采用聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDAC)作为敏感膜材料,以聚酰亚胺(PI)薄膜为柔性衬底制备了气敏元件,利用能谱分析(EDX)和原子力显微镜(AFM)对PDDAC敏感膜的组成和形貌进行了表征,通过检测元件电阻随氨气浓度的变化对元件的氨敏性能进行了研究。结果表明:室温下,该元件对体积分数为200×10–6的氨气的响应灵敏度为82%,且具有较好的响应-恢复特性,响应时间和恢复时间分别为68 s和63 s。     

基于模糊自适应PI的无刷直流电机调速系统研究

针对采用传统PI控制算法的无刷直流电机(BLDCM)调速系统存在精度低、抗干扰能力弱等问题,提出一种基于初始比例值优化的模糊自适应PI控制算法。建立BLDCM转速、电流双闭环调速系统数学模型,对其转速环进行模糊自适应PI控制,并提出一种初始比例值优化的方法。应用Matlab/Simulink进行系统设计和仿真,对比传统PI、普通模糊自适应PI和优化后模糊自适应PI三种控制算法的仿真结果。结果表明,优化后的模糊自适应PI控制算法使BLDCM调速系统具有更好的动态性能,达到了较好的控制效果。     

AFPI:一种基于模糊控制的队列管理新算法

以PI算法为基础提出了一种模糊自适应PI算法AFPI,可通过利用模糊控制动态设置PI算法中的有关参数。ns-2模拟实验表明,相对于PI算法,AFPI具有更快的收敛速度和更小的队列抖动。     

电压模式Buck-Boost变换器变论域模糊PI控制

电压模式Buck-Boost变换器是一个典型的非最小相位系统。根据DC-DC Buck-Boost变换器的工作特性,运用状态空间平均法建立其小信号模型,据此设计PI控制器参数。Buck-Boost变换器是一个时变的非线性系统,传统PI控制难以达到最优的控制效果,由此采用模糊PI控制来规避PI控制的弊端。针对模糊PI控制在被控量变化较大时,控制精确度变差的问题,设计了模糊论域自适应伸缩变化的变论域模糊PI控制器,对Buck-Boost电路进行控制。通过Matlab/Simulink环境仿真,实验结果表明,变论域模糊PI控制具有更好的动态控制性能。     

薄膜有机集成电容的制作工艺

以PI-5型聚酰亚胺(PI)电子涂料为介质层,在99瓷氧化铝陶瓷基片表面通过磁控溅射、光刻、电镀、蚀刻等传统薄膜电路工艺制作有机集成电容。分别研究了PI旋涂转速、旋涂时间、热处理制程等参数对PI厚度和均匀性的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到厚度与设计值相符的PI膜层,且膜厚均匀性优于±5%,有机电容的容值精度优于±5%。PI有机电容与薄膜及半导体电路工艺高度兼容,在集成无源器件(IPD)制造中有着广阔的应用前景,有利于新一代系统的微型化、多功能和高密度集成。     

串联死区算子的压电微夹钳PI迟滞模型

针对Prandtl-Ishlinskii(PI)模型要求被描述对象的初载曲线为凸函数,且模型与其逆模型都应关于算子中心对称的不足,通过引入死区算子对PI模型进行改进,以使其更好地描述具有非凸、非奇对称的压电陶瓷材料的迟滞特性。基于实测的压电微夹钳初载曲线,采用等分阈值方式,并通过使改进PI模型与实测初载曲线间的误差函数为最小,辨识出改进PI模型的参数,建立了压电微夹钳的迟滞模型。实验结果表明,在微夹钳15.2μm的最大位移范围内,模型误差的变化范围为-0.310~0.156μm,所建模型能很好地描述压电微夹钳的迟滞特性。