变频器的温升及其试验方法探讨

变频器越来越广泛在电机系统节能和提高工艺起到重要作用,变频器的工作环境以及散热问题,对变频器的可靠性的影响是非常大的。本文分析了变频器发热的主要原因,并重点介绍了变频器的温升重点部位及试验方法,以利于变频器用户掌握了解变频器温升及温升试验。     

低压变频器中的温升及其试验方法

低压变频器（交流进线l000V以下）越来越广泛的深入到人们的生活和生产中，我们正确认识及使用变频器，尤其是其工作环境以及散热问题，对变频器的可靠性的影响是非常大的。本文分析了变频器发热的主要原因，并重点介绍了变频器的温升重点部位及试验方法，以利于变频器用户掌握了解变频器温升及温升试验。     

水冷四象限功率单元开发与测试

功率单元的设计是四象限高压变频器的核心。本文提出一种水冷散热方式的单元结构,通过理论计算、热仿真分析,得到水冷板的温升等数据;并对功率单元进行试制,进行了温升测试。通过对比,验证该功率单元结构的可行性。     

电气设备的温升试验与热仿真分析

阐述电气设备温升试验和热仿真分析的过程。温升试验记录了设备在不同工作条件下的温度变化，得出了设备的热特性。利用热仿真分析技术，预测设备在不同工作条件下的温升状况。     

多电平单元串联高压变频器功率单元的热设计

多电平单元串联电压源型高压变频揣的核心——变顿器的通用系统是功率单元，功率单元的热稳定性是高压变频器热发全的核心。在对兆瓦级高压变频器研发中，根据IGBT和DOIDE的参数特性，计算其热损耗功率。结合热分析公式研发变频器功率单元的热沉系统．并利用相关的热分析行业软件，完成300A电流等级的通用功率单元的热设计。     

三相异步电动机热试验直接负载法与叠频法的比对

电流经过三相异步电动机定子绕组时,不仅会产生旋转磁场带动转子转动,而且也会产生热量,使定子绕组发热,在电动机运行达到稳定时,这部分热量与环境温度的差值便是电动机的温升。温升是电机性能考核中的重要指标。根据国家标准GB/T 1032—2012 《三相异步电动机试验方法》,温升可按热试验方法测得。其中,热试验的方法分为直接负载法和间接法。通过试验对比直接负载法跟间接法中定子叠频法中的现象,记录试验数据,并对差异进行了分析。     

导光纤维损耗的测量——2.测辐射热计测量仪表

本文叙述用热温升技术测量导光纤维传输损耗的二种方法。在短段(～10厘米)纤维上能迅速而方便地测出损耗。用～100毫瓦的传输光功率可以测量出低至～10~(-7)/厘米(0.043分贝/公里)的损耗值。     

浅谈变频器供电条件下电动机的温升与对策

随着变频调速技术的蓬勃发展，变频器供电电机的温升问题已引起人们的广泛关注。本文首先讨论了电动机的温升限度；然后结合感应电机温升实验的相关数据分析了变频器供电对电动机温升的影响及其原因；最后从降低发热量和提高散热能力两方面提出缓解电机温升的措施，并指出了实际应用中应注意的问题。     

基于有限元分析的单相GIS母线电磁热流耦合场仿真

高压开关GIS设备在电力系统中应用广泛,但导体触头温升过高会引发重大事故。为准确分析GIS导体触头的损耗发热问题,运用有限元分析方法和电磁场、热场的理论,对问题进行分析,以单相GIS隔离开关为例,建立其损耗发热的流场求解模型。     

矿用XLPE电缆老化状态对温升的影响

通过分析电缆绝缘参量的温度效应和老化特征,明确运行中矿用高压电缆的介质损耗不可忽略,并据此建立了老化对在役矿用XLPE电缆温升影响的评估方法.根据单芯电缆温升计算式,给出了兼顾老化因素的三芯电缆温升解析式,进行稳态温升预测.基于导体损耗的温度正相关性,利用ANSYS有限元仿真软件,建立热电耦合迭代模型来确认理论模型,并对电缆温升进行仿真计算.算例对比分析了老化电缆水树附近和老化电缆整体的温升,为实际运行中电缆的状态监测提供参考依据.     

特种变频电源叠频法在电机温升试验中的应用

简述了叠频法电机温升试验的基本原理,建立了采用四象限变频电源并联的电机试验平台,通过仿真软件Matl ab对变频电源叠频输出进行仿真,并进行了电机温升试验。仿真与试验结果表明,用变频电源进行叠频试验简便准确,并联结构提高了变频系统容量,且运行安全可靠。     

浅谈变频器散热技术的发展现状

随着变频器的越来越广泛的应用,变频器的散热技术的研究变得越来越重要。目前电力电子设备常用的散热技术有自然空气散热、强制风冷、水冷和热管等,本文阐述了这几种散热技术的工作原理及其特点。     

变频器在电厂凝结水泵上应用的经济性分析及出现问题的分析与解决

本文分析了广州发电厂凝结水泵改变频州速所获得的良好经济效益，并对改造后运行中出现的机柜散热、马达振动大等问题进行分析，提出了解决办法。这些经验对同类型的变频器应用可以提供参考价值。     

不同方法制备的螺旋线慢波组件的散热性能的研究

利用电阻温度系数法对冷弹压法、缠钼带热挤压法、石墨热挤压法、磁控溅射覆膜法及新型的无变形热挤压法制备的慢波组件散热性能进行了实验研究,结果表明石墨热挤压法、磁控溅射覆膜法和无变形热挤压方法比冷弹压法和传统的缠钼带热挤压法制备的慢波组件散热性能强许多.传统的石墨热挤压法可与无变形热挤压法制备的组件的散热能力相比拟,但石墨热挤压法会引起慢波组件的两次变形,使慢波组件的微波反射点增多增强,溅射镀膜法比无变形热挤压法制备的慢波组件散热性能强一些,但由于焊接法工艺的复杂性降低了其优势.这些结果为制备散热性能强的慢波组件提供了有益的实验结果.     

电力电子设备常用散热方式的散热能力分析

本文对电力电子设备中常用的风冷和水冷两种散热方式的散热能力作了综合分析。分析结果表明,以散热器底面热源的均匀热流大小作为散热能力的标准,在保证电子设备正常工作的条件下,有散热空间限制时,风冷系统散热极限约为40W／cm2,如果不受散热空间的限制,散热能力会更高。水冷系统的散热能力比风冷系统高出1到2个数量级,其散热潜力还未得到充分挖掘,目前水在微通道内强制对流的冷却方式是水冷系统中具有最大散热能力的方式,其散热能力可达790W／cm2。这两种冷却方式散热能力的分析结果可作为热设计人员选择经济合理的散热方式的依据。．     

高压变频器在烧结机余热风机上的应用

本文介绍了高压变频器在首钢京唐公司1#烧结机余热风机上的应用案例,以及采用新型空-水冷却系统解决高压变频器散热问题的情况,通过对利德华福高压变频器的实际运行数据分析,说明其具有良好的节能效果。     

Fast 1V bootstrapped inverter suitable for standard CMOStechnologies

The authors propose a novel low-voltage bootstrapped inverter, designed in a standard high V_T 0.35 μm CMOS technology. To enhance the switching speed of a CMOS inverter at low-voltage operation, an NMOS device is used in the pull-up section. A bootstrapping scheme is used to avoid the V_TN reduction of the output swing     

TLM method for thermal investigation of IGBT modules in PWM mode

The insulated gate bipolar transistor (IGBT) is popularly used in high power, high frequency power-electronic applications such as motor control and inverters. These applications require well designed thermal management system to ensure the protection of IGBTs. Choice simulation tools for accurate prediction of device power dissipation and junction temperature become important in achieving optimised designs.In this paper, thermal analysis of a 1200 A, 3.3 kV IGBT module was investigated and analysed using the three-dimensional transmission line matrix (3D-TLM) method. The results show a three-dimensional visualisation of self-heating phenomena in the device. Since the comparison TLM results with the analytical solutions do not exist for this IGBT module, we use the MSC.NASTRAN tool to find the similar range of the temperatures. Results are compared.Typically, IGBT is used in a three-phase inverter leg where the control signals are generated via PWM scheme so, the prediction of the temperature rise is important in the pulse operation conditions for the IGBT device. A view of the dynamic thermal temperature rise is obtained with 100 W-step pulse dissipation applied at IGBT chips. The temperature rises are calculated using TLM method during the PWM load cycles. Simulations give clear indications of the importance of the spreader material and are helpful in selecting the proper one.TLM has been successful in modelling heat diffusion problems and has proven to be efficient in terms of stability and complex geometry. The three-dimensional results show that method has a considerable potential in power devices thermal analysis and design.