喷涂聚脲弹性体材料

喷涂聚脲弹性体（ＰＳＵＡ）材料是采用喷涂工艺制成的１００％固含量、无溶剂、无污染的瓣型材料。该材料具有强度高、柔韧性好、耐介质、抗腐蚀、耐老化、施工方便等特点。已在建筑、影视、造船及交通运输等领域成功应用。介绍了该材料的技术原理、材料性能及应用。     

适用于生物薄膜材料的压电驱动高精度疲劳试验机构

为研究生物薄膜材料的疲劳行为及其机制,对其进行疲劳测试,利用压电振子作为疲劳试验机构的驱动力源,并基于系统共振方法设计了适用于昆虫薄膜材料的疲劳试验机构．首先,介绍压电驱动式疲劳试验机构的工作原理,然后建立动力学模型,获得机械系统的动态特性,并制作了样机．最后利用样机在蜻蜓翅翼上施加给定循环特性R=0．1的交变应力,通过对试验结果的观察,分析了蜻蜓翅翼由于疲劳破坏所引起的一系列裂纹产生、扩展的机理．制成的样机满足对生物薄膜材料进行疲劳试验所需的载荷小、加栽精度高、共振稳定可靠和抗干扰能力强等要求．     

锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应

用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基片上制备了近等原子比的压电ＰＺＴ薄膜,在准同型相界附近的ＰＺＴ薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应,内电场导致薄膜的自发极化定向,使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。     

一种新型的传感材料—压电复合材料

简述了压电复合材料的概念和分类，介绍了几种主要压电复合材料的特性，制备方法以及性能影响因素，最后阐述了压电复合材料研究中存在的问题和发展方向。     

无铅铁电／压电薄膜材料的研究进展

微电子技术的迅猛发展和集成化程度的急速提升，致使铁电／压电薄膜材料愈来愈受到人们的关注与重视。本文从三方面介评了铅基和铋类铁电／压电薄膜材料的研究进展：（1）主要制备方法：脉冲激光熔融法（PLD）和金属有机物分解法（MOD）；（2）无铅铁电／压电薄膜微器件：铁电薄膜存储器和压电薄膜传感器；（3）铁电／压电薄膜及其微器件的可靠性。     

氮化铝压电薄膜的晶面择优取向

采用直流磁控反应溅射方法,在Ｓｉ（１１１）基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以（１００）面和（００２）面择优取向的Ａ１Ｎ薄膜,研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对Ａ１Ｎ薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明,溅射气压低,靶基距短,有利于以（００２）面择优取向;相反,溅射气压高,靶基距长,则对（１００）面择优取向有利;溅射功率过高或过低均不利于晶面择优取向。并从Ａ１－Ｎ化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度探讨了Ａ１Ｎ压电薄膜晶面择优取向。     

宽温域压电材料的研究进展及其柔性化设计

近年来,随着汽车、石油、核电和航空航天等高温领域的发展,应用于极端环境中的无损检测、可持续自供电设备用宽温域压电材料成为研究热点。然而,具有优异压电性和高温稳定性的宽温域压电材料,由于质脆、硬度大,致使所制器件无法兼具柔性及高温稳定性而在高温精密化作业、可穿戴健康检测等应用中受到极大限制。因此基于宽温域压电材料的柔性化设计,以实现耐高温柔性压电装置的制备并最终大幅拓宽压电装置的高温工作潜力,成为目前压电器件的重要发展方向。本文首先针对300℃以下环境中应用的压电材料(锆钛酸铅、钛酸钡和碱金属铌酸盐)和500~1000℃环境中应用的Ⅲ族氮化物的研究进展进行了介绍,然后分析基于这些材料的柔性化设计技术及柔性化设计过程中所用衬底或复合基体的种类对最终器件高温稳定性的影响。     

界面聚合聚脲/聚氨酯双层微胶囊相变材料的研制与性能

以硬脂酸丁酯为芯材,苯乙烯马来酸酐共聚物(SMA)为乳化分散剂,采用界面聚合制备双层微胶囊相变材料,其外壳体为甲苯-2,4-二异氰酸酯(TDI)和二乙烯三胺(DETA)反应形成的聚脲壳层,内壳体为TDI与聚丙二醇2000(PPG2000)反应形成的聚氨酯壳层。采用差示扫描量热仪(DSC)、热重分析仪(TGA)、扫描电镜(SEM)、光学显微镜等分别对微胶囊的热性能、表面形态做了研究和分析。结果表明,所制备的双层微胶囊表面光滑致密,相变温度24.1℃,相变热85 J/g。所制备双层微胶囊的致密性和耐热稳定性均比单层微胶囊有很大程度的提高。     

AIN压电薄膜研究进展

介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别釆用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨。最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势。     

AlN压电薄膜研究进展

介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别采用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨.最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势.     

氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究

氟化非晶碳(a-C：F)薄膜是一种电、光学新材料。介绍了它的制备方法，对其制备工艺作了较全面的探讨；分析了该膜制备方法和工艺参数对薄膜组分及化学键结构的影响；研完了该膜的电学、光学、热学、力学等物理性质及其在相关方面的应用，并对该膜的物理性质与制备工艺参数的关联作了详细的论述；指出介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该膜实用化的主要原因。