ZnO/C-dots/Ag复合材料的制备及其增强光催化降解抗生素性能

通过溶剂热法制备了ZnO纳米棒,进一步在ZnO纳米棒表面沉积碳点(C-dots)和Ag,成功制备了C-dots和Ag共修饰的ZnO纳米复合光催化剂(ZnO/C-dots/Ag)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积(BET)和紫外可见(UV-Vis)分光光谱等分析对系列样品进行了物理表征。结果表明,C-dots的引入可以有效加速Ag在ZnO表面的沉积。在白光下降解抗生素(诺氟沙星)的结果表明,ZnO/C-dots/Ag复合材料的光催化性能相比于纯的ZnO、ZnO/C-dots和ZnO/Ag材料得到了明显的提升,并且光催化性能稳定。表明C-dots和Ag在ZnO光催化降解抗生素过程中起到了协同作用,C-dots起到实现光生电子快速转移的作用,配合Ag的等离子体共振效应共同加速了ZnO的光催化降解过程。     

ZnO纳米线阵列膜的自组装生长及其金属接触特性

以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品的光学特性和I-V特性。结果表明:在相同的生长液浓度下,籽晶层对所生长的纳米线尺度分布有显著影响。所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性。ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性,而ZnO纳米线/Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性。     

溶剂热法制备Ag/ZnO纳米复合材料及其光催化性能的研究

用溶剂热法制备了Ag/ZnO纳米复合材料,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散谱点(EDS)分析了复合材料的表面形貌及结构.以亚甲基蓝为模拟污染物,在紫外光照射下考察了纳米Ag/ZnO复合材料的光催化活性.结果表明,一定量银沉积能有效地改善ZnO时亚甲基蓝的光催化降解性能.     

Ag_3PO_4/ZnO纳米线阵列复合光催化剂的研制及光催化降解罗丹明B研究

水热法制备了ZnO纳米线阵列后,用逐级化学浴沉积法将Ag3PO4沉积在阵列上形成Ag3PO4/ZnO纳米线阵列复合光催化剂。运用XRD、SEM、EDS、紫外-可见漫反射光谱、光电流性能测试、光催化降解等技术手段对Ag3PO4/ZnO纳米线阵列的形貌结构、光电性能等进行表征。探讨了逐级化学浴沉积Ag3PO4的次数对其光催化效率的影响。光电性能测试表明,Ag3PO4/ZnO纳米线阵列具有比纯ZnO纳米线阵列更高的光生电流密度,光响应更好。与纯ZnO纳米线阵列相比,Ag3PO4/ZnO纳米线阵列材料对罗丹明B的光降解效率显著提高,降解速度是纯ZnO纳米线阵列的7.7倍,沉积5次的复合阵列的光催化活性最高。     

ZnO纳米棒水热法生长与表征

采用两步法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO纳米棒,首先利用浸渍-提拉法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO晶种层,然后把有ZnO晶种层的FTO衬底放入盛有生长溶液的反应釜中利用水热法制备ZnO纳米棒.研究了生长溶液的浓度、生长温度和生长时间对所制备的对ZnO纳米棒阵列的微结构和光致发光性能的影响,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向生长,纳米棒的平均直径约为100 nm,长度约为2.5 μm.所制备的ZnO纳米棒在390 nm附近具有很强的紫外发光峰和在550 nm附近有较弱的宽绿光发光峰.     

ZnFe_2O_4/ZnO/Ag异质结的制备及光催化性能研究

首先通过水热法制备ZnFe_2O_4纳米粒子,然后包覆ZnO,最后沉积贵金属Ag,成功制备了ZnFe_2O_4/ZnO/Ag异质结。利用X-射线衍射仪(XRD)、振动磁强计(VSM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)、N_2吸附-脱附仪分别表征了ZnFe_2O_4/ZnO/Ag异质结的晶型、比饱和磁化强度、形貌和孔结构,并研究了其对RhB模拟废液的脱色效果。结果表明,ZnFe_2O_4/ZnO/Ag异质结的比饱和磁化强度为40.0emu·g~(-1),为介孔结构,孔径为17nm,BET比表面积高达97.541 4m~2·g~(-1)。光催化RhB模拟废液脱色实验表明,可见光下照射初始浓度为20 mg·L~(-1)的RhB模拟废液90min,ZnFe_2O_4/ZnO/Ag异质结对RhB的脱色率达到95%。ZnFe_2O_4/ZnO/Ag异质结是一种性能优异的光催化剂。     

ZnO一维纳米材料的热蒸发法制备及光学性能研究

以Zn粉为原料,在1050℃空气气氛中采用热蒸发法成功制备了ZnO一维纳米材料.探讨了覆盖瓷舟对ZnO纳米晶的形成及其形貌和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)分析表明,产物是纯六方纤锌矿结构的ZnO;扫描电子显微镜(SEM)形貌观察显示,产物为ZnO纳米线、微纳米棒和四角针状ZnO;光致发光谱(PL)表明ZnO一维纳米材料主要有3个蓝光发光带;紫外-可见光光谱(UV-vis)显示ZnO一维纳米材料能有效的催化降解次甲基蓝溶液.     

银负载树枝状二氧化硅吸附甲巯咪唑的研究

以正硅酸乙酯为硅源,采用水热法制备了树枝状纤维型二氧化硅KCC-1.以KCC-1为载体,通过直接浸渍法在其表面负载了银纳米(Ag NPs)颗粒,以扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪、红外、氮气吸附脱附等手段对产物进行表征.结果 表明,合成的材料Ag NPs/KCC-1表面的银质量分数为19.78％.制备的Ag NP...     

CoO/CdSe复合材料的制备、表征及其光学特性

采用水热法在FTO导电玻璃上制备出Co O纳米线,并将Cd Se纳米颗粒电沉积在Co O纳米线上得到Co O/Cd Se复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究样品的物相结构、微观形貌和光学特性。研究表明,所得样品由立方相Co O纳米线和六方相Cd Se纳米颗粒组成,且Cd Se纳米颗粒组装在Co O纳米线表面,成功制备Co O/Cd Se复合材料。光学特性研究表明,Co O/Cd Se复合材料比Co O纳米线表现出更为优异的光吸收性能。     

CoO/CdSe复合材料的制备、表征及其光学特性

采用水热法在FTO导电玻璃上制备出Co O纳米线,并将Cd Se纳米颗粒电沉积在Co O纳米线上得到Co O/Cd Se复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究样品的物相结构、微观形貌和光学特性。研究表明,所得样品由立方相Co O纳米线和六方相Cd Se纳米颗粒组成,且Cd Se纳米颗粒组装在Co O纳米线表面,成功制备Co O/Cd Se复合材料。光学特性研究表明,Co O/Cd Se复合材料比Co O纳米线表现出更为优异的光吸收性能。     

氧化锌纳米棒的制备与表征

本论文探索一种良好制备ZnO纳米棒的方法。通过高分子络合软模板法在硅衬底和聚丙烯酰胺膜中间生长出顶面平滑具有六棱柱形结构的ZnO纳米棒。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对ZnO米棒微观形貌和结构进行分析:SEM观察到纳米氧化锌呈棒状,分布均匀且排列整齐;XRD图谱分析显示ZnO纳米棒为六方晶系的红锌矿型ZnO,且具有良好的晶体结构。     

ZnO纳米棒的形貌控制规律及脱硫性能EI北大核心CSCD

在催化领域,氧化锌纳米棒因其在径向上具有纳米粒子的小尺寸效应、纵向上具有体相材料的宏观特性,而受到越来越多的关注。采用改进的溶剂热法合成ZnO纳米棒,采用分步法加入Zn^(2+)与NaOH。通过X射线衍射,扫描电子显微镜等方法对样品进行表征,探究了聚乙二醇(PEG)辅助ZnO纳米棒合成的作用机理以及NaOH的加入方式对ZnO纳米棒形貌控制规律的影响,研究了不同长/径的ZnO纳米棒的脱硫性能。结果表明:PEG的分子量对ZnO纳米棒的形貌有着显著影响,PEG分子量为20000时,能够在温和的溶剂热条件下,控制合成出长度为3~4μm,直径为250 nm左右的ZnO纳米棒,分步法加入NaOH优于一步法加入NaOH。将合成的ZnO纳米棒负载金属氧化镍制成脱硫剂,大长/径的棒状ZnO脱硫剂的脱硫率高达98.2%,同时具有良好的再生性能。     

Pt纳米粒子/ZnO纳米管修饰的钛片葡萄糖传感器

基于钛片载Pt纳米颗粒修饰的ZnO纳米管电极制备了葡萄糖生物传感器。用电化学沉积法制备了ZnO纳米棒阵列,并用化学腐蚀法制备了ZnO纳米管。Pt纳米颗粒采用恒电位沉积法修饰在ZnO纳米管表面。用扫描电子显微镜和X-射线衍射表征了纳米Pt-ZnO/Ti修饰电极。该修饰电极在0.05 M的NaOH中对葡萄糖的催化氧化表现出很好的响应,线性范围为1×10-5～1×10-2mol/L,响应时间小于4 s,并且具有良好的重现性。     

ZnTiO_3催化剂制备条件的优化及光催化性能

为优化纳米钛酸锌(ZnTiO_3)光催化剂的制备条件,在溶胶-凝胶法的基础上采用水热辅助制备ZnTiO_3。通过RhB水溶液的脱色率,探究了煅烧温度、煅烧时间以及模板剂添加量对ZnTiO_3光催化活性的影响,并通过单因素-正交实验优化确定了Zn TiO_3的制备条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析其晶体结构和微观形态。结果表明,煅烧温度为800℃,煅烧时间为5 h, CTAB添加量为20 wt%时,ZnTiO_3光催化性能最佳,对RhB的降解率为89.5%。此条件下制备的样品为纯六方相ZnTiO_3。     

AgBr/ZnO复合材料光催化剂及其光催化性能

通过一步水热法制备了AgBr/ZnO复合光催化剂,并采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外–可见光漫反射光谱仪和光致发光光谱仪对样品进行表征,分析了AgBr/ZnO体系的合成对材料光催化性能的影响。以罗丹明B溶液为目标污染物,研究复合催化剂的光催化活性。结果表明:在制备的复合样品中,Ag Br与ZnO摩尔比为1:5时(AgBr/ZnO-2)光催化活性最好,在可见光照射下,60 min对罗丹明B的降解率可达98.98%,相比于ZnO光催化活性明显提升,降解速率常数提升了11.08倍;与商用TiO2(P25)相比,降解速率常数提升了10.14倍,这主要归因于Ag Br/ZnO拥有比ZnO更低的电子空穴复合概率,且复合催化剂的光学吸收带边发生红移,从而增强了对可见光的吸收。     

纳米ZnO晶体的制备与表征

采用一种简单的直接物理蒸发法制备了纳米ZnO晶体,该生长过程在无催化剂的条件下于900~1 200℃下进行的。所得产物用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行了表征。结果表明所得的产物属于纤锌矿结构的高纯度六方相ZnO,在实验中发现在900 ~1 000℃的条件下容易生成纳米棒,在1 000 ~1 100℃的条件下容易生成纳米线,在1 100 ~1 200℃的条件下容易生成纳米梳。并简单讨论了其生长机理,提出所得纳米结构是通过简单的VS(Vapor-Solid)机制生长的。     

ZnO纳米纤维制备及其性能表征

以PVP为前驱体溶液,采用静电纺丝法制备了PVP/Zn(CH3COO)2复合纤维,通过煅烧进一步制得了ZnO纳米纤维。并对所得样品进行了扫描电子显微镜(SEM)分析,TG-DTG分析,并对纳米ZnO纤维和纳米ZnO颗粒的抗菌性能进行了测试。     

ZnO纳米纤维制备及其性能表征

以PVP为前驱体溶液,采用静电纺丝法制备了PVP/Zn(CH3COO)2复合纤维,通过煅烧进一步制得了ZnO纳米纤维。并对所得样品进行了扫描电子显微镜(SEM)分析,TG-DTG分析,并对纳米ZnO纤维和纳米ZnO颗粒的抗菌性能进行了测试。     

活性炭负载纳米ZnO的结构及常温脱除H2S的性能

采用均匀沉淀法分别以煤质炭和椰壳炭为载体,纳米ZnO为活性组分制备了活性炭负载纳米ZnO脱硫剂。利用X射线衍射和扫描电子显微镜对脱硫剂的结构进行表征,并在固定床反应器上考察了H2S的吸附性能。结果表明:所制备的脱硫剂表面负载了纳米ZnO晶体,活性炭表面孔的数量影响纳米ZnO的晶粒尺寸,椰壳炭负载的纳米ZnO晶粒尺寸为11.4nm,而煤质炭上纳米ZnO晶粒为68.9nm;活性炭载体提高了脱硫活性组分的利用率,椰壳炭负载后样品的脱硫活性明显好于煤质炭。当空速为4600/h时,300℃焙烧1h的椰壳炭负载纳米ZnO样品的穿透时间可高达48min。炭表面纳米ZnO晶粒尺寸是影响H2S脱除性能的主要因素。     

模板法组装Ag纳米线阵列及其微结构

以多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,利用直流电沉积法,在AAO模板孔洞中成功组装了Ag纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Ag纳米线的长度分布十分均匀,其长度随着沉积时间的延长而线性增长,生长速度约为5μm/h。透射电子显微镜(TEM)表明,Ag纳米线粗细均匀,直径约为200 nm。选区电子衍射(SAED)分析表明,所得Ag纳米线具有多晶结构。