石墨层间化合物的制备、结构与应用

石墨层间化合物（GIC）是一种二维的纳米级多功能材料，综述了石墨层间化合物的制备方法和结构特点，并对它的应用作了简要介绍。     

石墨层间化合物稳定性的研究

用喇曼散射方法观察了HClO_4、HNO_3、H_2SO_4—石墨层间化合物(GIC)的阶次状态随时间的变化,采用a面及c面入射观察。到HClO_4—GIC的阶次变化过程中ClO_4~-的溢出现象,据此认为层间化合物的阶次不稳定是由于插入的离子与石墨层间的分子力作用较弱。     

石墨层间化合物GIC

石墨层间化合物是一种纳米级复合材料。本文针对ＧＩＣ的近期研究工作,提出了作者的几点见解,供同行参考。     

石墨层间化合物的合成和应用

石墨层间化合物（Graphite Intercalation Compound，简称GIC）是一种重要的化合物，广泛用于各种科学和生活领域，本文介绍了石墨层间化合物合成及其在密封，环保，医药，阻燃等方面的应用。     

气相扩散法制备石墨层间化合物述评

本文从碱金属-石墨层间化合物、碱土金属-石墨层间化合物、稀土金属-石墨层间化合物、金属卤化物-石墨层间化合物、卤素-石墨层间化合物以及其他类型的石墨层间化合物六个方面简要介绍了气相扩散法在石墨层间化合物制备中的应用,指出了气相扩散法存在的问题和进一步的发展方向.     

新型钆石墨层间化合物复合材料的制备及表征

通过Hummers法制备氧化石墨,并以化学吸附法将氯化钆（GdCl3）饱和溶液中的钆离子引入氧化石墨（GO）,合成新型水合碳酸氧钆-氧化石墨层间化合物复合材料。采用XRD、FT-IR和TG-DTA对产物进行分析表征。表明,制备水合碳酸氧钆-氧化石墨层间化合物的最佳质量配比为m（Gd2O3）∶m（EG）=5∶1。通过TG-DTA分析确认,水合碳酸氧钆-氧化石墨层间化合物的还原温度为480℃。     

Fe-KCl石墨层间化合物磁学性能研究

探讨了Ｆｅ－ＫＣｌ石墨层间化合物的某些磁学性能．在宏观上,它能被永久性磁铁吸引,表现出明显的单轴磁各向异性,磁化方向仅为平行于碳网面的一个固定方向．当外磁场撤消,剩磁随之消失．在微观上通过插入物粒度测量及Ｍｓｂａｕｅｒ谱研究证实它有典型的超顺磁性．     

石墨层间化合物（GICs）材料的研究动向与展望

1.前言石墨的晶体结构,在碳原子面上以SP~2杂化轨道电子形成的共价键及P_z轨道电子形成的金属键相连结,从而形成牢固的六角网状平面。碳原子间具有极强的键合能(345kJ/mol);而在碳原子平面间,其结合则是弱的范德瓦尔键(键能16.7kJ/mol)。这种层状结构的特点决定了石墨一系列的理化特性,同时也提供了其它物质插入碳原子平面间,从而形成一类新型材料的可能性。后者就是所谓的石墨层间化合物GlL_(?)(Graphite Intercalation Compounds)。     

石墨层间化合物阶结构的标定方法

阶作为表征石墨层间化合物的主要参量之一,在对石墨层间化合物的结构研究中起着重要作用。本文依据晶体材料X射线分析原理,结合石墨层间化合物的结构特性,对几种阶结构的标定方法进行了介绍和分析。     

石墨层间化合物在插层过程中阶的转变模式

应用原位ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）法,研究了石墨层间化合物（ＣＩＣ）在插层过程中阶次的转变模式。结果表明：不同的插层体系和插层条件产生不同的成核和扩散情况,从而导致在插层过程中试样的不同阶次转变模式。     

膨胀石墨的研究与应用现状

对膨胀石墨的制备方法、性能、应用进行了综合介绍，并对新技术的发展方向进行了讨论。     

膨胀石墨制备及性能研究

采用化学氧化法合成了可膨胀石墨,分析了插层工艺参数对膨胀容积和残余硫含量的影响,初步探讨了可膨胀石墨的插层机理,确定了低硫膨胀石墨的合理工艺参数.最佳配比为石墨∶浓硫酸∶高锰酸钾∶三氯化铁=1.0∶0.33∶0.80∶0.15.其最佳工艺条件反应温度为50℃,反应时间为60min.制得膨胀石墨pH值5.2;水分0.62%;灰分2.8%;挥发分8.6%;硫含量0.48%;膨胀容积235ml/g.     

混酸插层制备膨胀石墨研究

对采用H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2混酸氧化插层体系制备膨胀石墨进行了研究,采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）和热重一差热法（TG-DTA）分析产物,并提出了氧化插层过程和机理。分析表明：插入剂的插入破坏了原有鳞片石墨层的紧密结构,使碳层间距增大,高温膨胀后,膨胀石墨呈蠕虫状或手风琴状蓬松结构,一个石墨蠕虫由许多微胞连接在一起组成,微胞之间呈现较大的狭缝裂开。氧化插层破坏了鳞片石墨原有的晶体结构,但是未破坏石墨的C—C键,20=29．5。处的特征峰是由石墨插层物结晶区引起的。可膨胀石墨片层。间存在SO4^2-、NO2阴离子插层物。可膨胀石墨在500℃之前的热失重和267℃附近较小的放热峰,均是由石墨插层物的气化、分解所致。     

超声波法制备高岭石插层复合物

用超声波法制备了高岭石插层复合物.利用红外光谱、X射线衍射和透射电子显微镜分析了不同产地高岭石结构的差异、插层效果以及它们之间的关系.比较了不同类型插层剂与高岭石的插层产物、插层效果及插层机理.结果表明:相同条件下,多水高岭石(埃洛石)和结构压力大的管状高岭石比普通高岭石更易于插层.在60℃,3 h,超声波条件下,将高岭石/二甲基亚砜(dimethylsulphoxide,DMSO)作为媒介,采用两步插层法快速制备高岭石/乙醇前驱体,但DMSO的插层率优于乙醇的.甲醇钠与苏州高岭石作用后,使部分苏州土片层间剥离.     

高岭石/苯甲酰胺插层复合物的制备与表征

以高岭石／二甲亚砜作为前驱物,用熔融插层法成功制备了高岭石／苯甲酰胺插层复合物,产物用X射线粉晶衍射和Fourier变换红外光谱进行了表征。实验结果表明：高岭石／苯甲酰胺插层复合物中,高岭石的层间距扩张到1.428nm,插层率达到了82．5％;苯甲酰胺分子的氨基与高岭石的内表面羟基形成了氢键,苯甲酰胺分子可能以单分子层垂直排列于高岭石层间。高岭石／苯甲酰胺插层复合物在140～180℃的温度范围内,会发生苯甲酰胺的脱嵌过程。     

高导热石墨砖的研制及其在炼铁高炉上的应用

从原料的选择、配方确定、生产工艺控制关键等方面对高导热石墨砖的研制开发过程进行了阐述。同时，结合大型高炉炉身、炉腹的破损机理、温度分布等特点，对应用在大型炼铁高炉上的高导热石墨砖特性和优点进行了说明，并与国外相关产品的理化性能进行了比较。指出所研制开发的高导热石墨砖完全可以替代国外同类产品，可以很好地用于大型高炉的砌筑和使用。