共查询到9条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
设计了一种新型无运放带隙基准源。该电路使用负反馈的方法,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压对基准源精度的影响,同时还提升了电源抑制比,且降低了功耗。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。该设计基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺在Candence Specture环境下进行仿真,电源电压采用3.3 V,温度范围为-55~125℃,电源抑制比为82 d B,功耗仅有0.06 m W。 相似文献
2.
采用预先放大信号及触发器对信号锁存处理的设计理念,提出了一种新型的高精度低功耗动态比较器的设计方法。与传统比较器相比,该比较器采用了一种动态结构作为输出缓冲级,使得整个电路都是在时钟控制下工作,有效降低电路功耗,以达到高精度低功耗的效果。在CSMC 0.35 m标准CMOS工艺模型下,使用HSPICE仿真器对电路进行仿真模拟。在VCC=5V,T=25℃,100 MHz的时钟频率下,比较器精度达0.2m V,功耗仅1.2m W。 相似文献
3.
一种快速的二维高分辨波达方向估计方法——混合波达方向矩阵法 总被引:10,自引:0,他引:10
本文利用两个具有位移特性的二维传感器子阵列信息构成一种新的矩阵-混合波达方向矩阵。混合波达方向矩阵的特征值和特征矢量分别为信号源方位角与高低角的混合方向元素和方位角与高低角的混合方向矢量。合理选择子阵列构造可以解决兼并信号源分辨问题和降低阵列孔径损失。 相似文献
4.
基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得到压差电压为57 mV;在-55~125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V和负载100 nA~50 mA的变化范围内,线性调整率为0.452 mV/V,负载调整率为0.074 mV/mA。满载50 mA和电源电压1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°。负载100 nA时静态电流2.5μA。负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns。此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品。 相似文献
5.
本文利用两个具有位移特性的二维传感器子阵列信息构成一种新的矩阵混合波达方向矩阵。混合波达方向矩阵的特征值和特征矢量分别为信号源方位角与高低角的混合方向元素和方位角与高低角的混合方向矢量。合理选择子阵列构造可以解决兼并信号源分辨问题和降低阵列孔径损失。 相似文献
6.
7.
当阵列天线存在互耦效应时,传统多重信号分类(MUltiple SIgnal Classification, MUSIC)算法的测向性能急剧下降。为了有效估计阵列互耦矩阵(MCM)与入射信号的波达方向(Direction Of Arrival, DOA),该文提出一种阵列互耦矩阵与波达方向的级联估计方法。利用互耦矩阵的结构特点,变换阵列流形,实现对互耦矩阵与DOA的解耦合。求解线性约束下的二次优化问题,利用谱峰搜索,得到阵列互耦矩阵和入射信号DOA,完成互耦误差自校正。通过计算机仿真验证了该文方法估计性能的有效性和优越性。 相似文献
8.
提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿.电路采用标准的0.6 μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40~ 120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4~5.5 V下工作,其总电流仅为4 μA. 相似文献