低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.     

PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究

本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。     

采用常温CVD法淀积形成多层布线层间绝缘膜

一、前言VLSI必须采用多层布线技术。特别是在逻辑系列器件中，布线层数现已达到4层以上，这就要求布线更加微细、更加可靠。要解决应力迁移和电子迁移的问题。对于应力迁移最大问题是要降低层间绝缘膜生成后的残留应力和由于热循环而产生的热应力。本文介绍在以往难以采用的低温，特别是在常温下也能形成良好的SiO2系绝缘膜的常温CVD法以及在层间绝缘膜上的应用。二、以往的CVD技术以往，层间绝缘膜是采用等离子CVD法、光CVD法等淀积而成。但要得到优质的SiO2膜，衬底温度至少要达到300℃左右。近年来，已在广泛研讨采用有机硅化物…     

光学薄膜淀积监控方法研究

薄膜的光学特性决定于其各膜层的厚度和折射率,监控各膜层的淀积厚度是淀积过程中最重要的工艺.本文分析比较了直透监控法、分离控制法、高级次监控法以及变波长监控和晶体振荡监控等光学薄膜淀积监控的几种方法.直透监控法的各层膜膜厚监控误差大,但监控光带宽的减小和膜层厚度误差的补偿作用,使得薄膜峰值波长定位精度很高;它对监控系统的精度要求非常之高,一般要求不低于40 dB.相对而言,分离控制法可以保证较大的变化幅度,在5‰的监控精度下(23 dB)就可以保证膜层的合理蒸镀,得到膜厚监控误差较小的成膜;但监控片的更换割裂了整个膜系的各层膜之间有机补偿作用,成膜的中心波长会向长波方向漂移.高级次监控方法可以提高极值法对膜层的监控精度,但膜料在不同波长处色散影响膜系的结构.变波长监控法在镀制非规整膜系时可取得较高的监控精度.晶体振荡法是监控多腔窄带滤光片匹配层的有效方法.结合光纤通信用窄带滤光片要求,提出了窄带滤光片应采用直透法过正监控和晶体振荡法相结合的监控方法.(PH8)     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究

采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(1120)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11(2)0]GaN ||[1(1)02]sapphire,[0001]Gan||[(11)01]sapphire和[(11)00]GaN[11(2)0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.     

r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究

采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(1120)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11(2)0]GaN ||[1(1)02]sapphire,[0001]Gan||[(11)01]sapphire和[(11)00]GaN[11(2)0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用

本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。     

GD Si:H薄膜的结构和电传导性质

用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质.     

磷硅玻璃膜的等离子活性淀积及特性

研究了由等离子体活化反应系统(P—PSG)淀积的磷硅玻离膜。分析了对应不同淀积参数的P—PSG的基本特征。在该等离子体淀积方法中,利用反应气体SiH_4、PH_3和N_2O进行淀积, P—PSG有高的淀积速率〔大约为百分之10(W/O)P摩尔重量〕。用这种方法淀积的P-PSG膜与常压下(AP-PSG)淀积的常规PSG膜比较,显示出良好的薄膜性能,如在热处理期间具有较强的抗裂性,保真的台阶覆盖和可控的压应力等。     

金属与导电材料

Y2000-62562-182 0103555铜工艺(含5篇论文)=Cu process[会,英]//Proceed-ings of the IEEE 2000 International Interconnect Tech-nology Conference.—182～196(ZC)本部分有关铜工艺的5篇文章讨论了采用 DC 和脉冲反向工艺的电化学淀积 Cu 膜的间隙填充后的薄膜特性与表面剖面,化学汽相淀积铜薄膜淀积,室温电镀铜的显微结构,铜金属化用反应溅射 TaNx 层的扩散阻挡层的评价,以及先进铜互连应用的电镀后现场快速退火工艺。     

SiO_x(X≈2)膜的淀积/氧化生长工艺

本文报道了SiO_X(X≈2)膜的淀积/氧化生长工艺,通过控制氧含量X的值而达到控制膜折射率的目的,所生长的膜已应用于半导体集成光电子电路中聚酰亚胺P.I/SiO_X(X≈2)介质光波导的研制工作中.     

溅射淀积的氧化铂膜的光学特性

利用铂靶和rf-激励的氧放电通过溅射淀积生长一系列铂氧合金。膜在水冷单晶硅和玻璃基体上淀积,用分光光度计对在近紫外—可见—近红外区域的光特性进行了研究,光反肘和透射的变化与膜化学特性和结构的变化有关。用X—射线光电子谱来鉴别,确定了α—PtO_2的半导电氧化铂相的吸收率和通过带隙的两种红外光的跃迁。这些跃迁发生在1.30ev(0.95μm)和1.47ev(0.84μm)。     

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等     

离子辅助淀积镀膜技术的应用

在亚利桑那大学和其它单位正在继续进行一项有很大希望的离子辅助淀积镀膜技术。用普通方法淀积的透射膜，各次工作之间的折射率会发生变化，有时甚至单层膜也如此。周围环境的湿度由于微气孔对水的吸收或解吸也使折射率变化。因此清除这些气孔和其它结构特性(由于到达基底的附加原子的有限迁移率所致)，可以形成更致密、更稳定和更均匀的淀积层。这样，就能制作更完善的多层光学膜。     

低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定

本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采用俄歇电子能谱仪(AES)和二次离子质谱仪(SIMS)测定膜的组份比和膜中的氧含量,特别是用(AES)法详细分析了氮化硅膜的抗氧化能力.     

一种提高极值法监控精度的方法

提出了一种提高极值法监控薄膜淀积层厚精度的方法。该监控方法通过改变各层膜的反射率极值过正量而将被镀膜层精确地停镀于其膜厚的设计值。这一方法既可提高淀积规整膜系时的层厚监控精度,也可提高淀积非规整膜系时的层厚监控精度。     

光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用

介绍了光化学汽相淀积法的原理以及ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律，特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。     

硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究

本文报道在氮氧混合气体中用射频反应溅射法在硅表面成功淀积氮氧铝膜的实验研究结果。给出膜淀积工艺、膜的原子组元和浓度、含有不同氧原子浓度的膜的折射率和击穿电场强度以及膜的X-光衍射谱。