半导体光电器件

半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要包括利用半导体光敏特性工作的光电导器件，以及利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。     

固态发光器件前景光明

介绍无机及有机半导体发光器件即固态发光体的发展、基本原理和结构。它们具有廉价、环保的特点 ,将会成为取代白炽灯、荧光灯的新一代人造光源。     

半导体金钢石薄膜功率器件

微电子学与集成技术的长足进步,带动了硅电力电子器件的飞速发展.然而,受硅材料特性的限制,在兼顾高频大功率和提高工作温度方面不可能再有更大的突破.从大功率应用目的来看,制造电力电子器件的理想材料应同时具备禁带宽、载流子迁移率高、热导率大等特点.相比之下,在众多的半导体材料中,硅单晶并非是最理想的选择.功率器件的进一步发展不应再囿于器件工作原理和结构的研究,必须从所使用的材料突破硅的限度而开发新的领域.     

有机材料的电致发光和发光器件

引言早在 1953年 ,Ｂｅｒｎａｎｏｓｅ就发现了有机材料的电致发光现象[1] 。随后在很长的一段时间里 ,进行了大量有机材料电致发光的研究 ,但仅出于对有机材料中电子态和电子过程的兴趣 ,基本上属于基础研究 ,未考虑其实际应用。近年来 ,随着对有机材料研究的深入 ,新的有机材料不断出现 ,对它的发光机理也有了更多了解。在此基础上 ,开展了有机材料电致发光的应用研究和器件开发 ,并取得了很大成功 ,成为当前发光器件和显示器件的研究热点之一。有机材料电致发光器件的研究、开发历史还不长 ,但它已显示出强大的生命力 :它的驱动电压低 (…     

测量半导体制冷器件的好坏

在购买半导体制冷器件时，不可能带着大容量的电源去测试制冷器件的好坏，此时可用两节5号电池接在半导体制冷块的两端（见图1），大约30s左右如果半导体制冷块有一面明显发凉，一面明显发热就说明半导体制冷块是好的。因半导体制冷块耗电较大，5A的制冷块，     

半导体金刚石薄膜器件综述

本文介绍了半导体金刚石的优异电学性能概述了金刚石薄膜器件的器件的研究现状，最后展望了金刚石薄膜功率器件的潜力。     

半导体湿敏器件及其应用

人类的生存,动物的生长及工农业生产,都与周围环境的湿度有密切关系。为了创造一个舒适的生活环境,给动植物的生长提供一个合适的湿度条件,必须对周围的空气湿度进行检测控制。 大气中含水汽的多少用湿度来表示,大气湿度的表示方法有多种,经常用的是绝对湿度、相对湿度等。相对湿度为待测空气中的水汽分压与同温度下的水的饱和     

大功率半导体灯的制作及其应用

人类的生产和生活离不开照明，电能照明开创了人类文明的新时代，用电能照明需要有电光源。伟大的发明家爱迪生发明了第一代电光源——白炽灯。随着技术的进步，电光源经历了白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯三个时代，发光效率越来越高，人们的生活也随之更加丰富多彩。     

半导体精密基准源

本文简要介绍了半导体集成精密基准源的原理特点。通过电路实例分析了两种常用集成器件的应用方法。     

毫米波铁氧体器件技术的进展及其应用

本文对毫米波铁氧体器件近年来的发展进行了综合评述,讨论了有关技术方面的基本问题,概述了它的主要应用。     

AD公司TMP04半导体温测器件及应用

介绍了数字温度计的特点，并着重介绍了美国AD公司开发的TMP04型半导体温度计的使用及一些设计参数的计算。     

GaN发光二极管型器件的介绍

因部分读者要求,本文专门刊登介绍白色LED的发光晶体———GaN方面的详细材料,从生产到应用,从构造到制造,由于篇幅较长,将分期刊登。     

量子点发光材料及其在照明光源器件中的应用

本文介绍了一种新型的发光材料--量子点发光材料,描述了量子点材料的制备方法、发光特性,以及这种材料在照明光源器件中的应用前景.文中给出了我们制备的不同粒径的CdSe量子点材料的发光特性.     

认证元器件应用讲座第四讲连接器件(2)

4带螺纹型端子的分类带螺纹型端子是最常见的一种的连接器件,根据导线夹紧件的不同,又可以分为柱型端子、螺钉端子、螺栓端子、鞍型端子以及罩式端子(示例参考图3)。柱型端子是指将导线插入孔或槽中并夹紧在螺钉端部之下的螺纹型夹紧端子。螺钉端子是指导线夹紧在一个或多个螺钉头下面的端子。螺栓端子是指导线夹紧在螺母下面的形状经过适当加工的的垫圈或中心销(如螺母是帽式螺母)或通过能将螺母压力传递到槽内导线上的等效部件来施加。5整机标准中对端子的附加要求通常情况下,按照I E C60998标准组认证过,并按照部件的使用要求应用在整…     

半导体GaN功率开关器件的结构改进

针对现有的光伏逆变器半导体GaN（氮化镓,Gallium nitride）功率开关器件以难以适应现代电力电子系统高要求的问题,提出一种光伏逆变器半导体GaN功率开关器件结构改进方法。由于集电极-发射极击穿电压和饱和压降是衡量器件可靠性的重要指标,因此采用绝缘栅混合阳极二极管取代平面肖特基势垒二极管,解决集电极-发射集击穿电压和饱和压降输出不合理问题。改进后的器件阳极由肖特基栅极和欧姆阳极金属短接组成,阴极为欧姆金属;改进器件制作主要采用隔离、钝化、凹槽刻蚀、介质淀积等工艺,更好地实现功率开关和功率转换功能。经测试分析可知：改进后的功率开关器件能有效减少反向饱和漏电状况,且改进器件的温度与电压、比导通电阻成正比,高温下性能良好。