电沉积法制备电致变色材料

应用电沉积法制备WO3、NiO、M0O3,WO3/M0O3等电致变色薄膜。WO3薄膜、NiO薄膜、M0O3薄膜具有较好的电致变色特性,漂白态和着色态的透射率之差平均为30％左右。WO3/M0O3掺杂薄膜漂白态和着色态的透射率之差平均为40％左右,显示掺杂有利于增强薄膜的电致变色特性。WO3 NiO互补型电致变色体系漂白态和着色态的透射率之差平均为40％左右,显示互补型电致变色材料有利于增强电致变色特性。在双注入模型的基础上,根据过渡金属配合物显色机理,提出解释电致变色机理的“配位场模型”,认为在电致变色中可能存在三种电子跃迁方式。     

电子束蒸发氧化钨薄膜电致变色性能的研究

报道了电子束蒸发制备的氧化钨薄膜的电臻变色特性和开关寿命，给出了电极电压和电解浓浓度对氧化钨薄膜电致变色性能的影响。     

磁控溅射电致变色非昌态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨近于最佳的工艺条件，在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ＾２，溅射气体压强１．４３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０民化学循环后，漂白     

五氧化二钒薄膜结构与电致变色效应

采用反应蒸发制备Ｖ２Ｏ５薄膜,用Ｘ射线衍射分析和分光光度计分别测量薄膜晶体结构和光谱特性,利用标准三电极法从锂离子电解质溶液中向Ｖ２Ｏ５薄膜注入锂离子,实验结果表明：刚制备的薄膜为非晶结构,热处理使得膜结晶：Ｖ２Ｏ５薄膜呈较强的阳极电致变色和较弱的阴极电致变色双理效应;     

磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ２，溅射气体压强１．３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０次电化学循环后，漂白态与着色态的可见光透射率之差约为０．５７，其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，Ｈ＋注入后着色态膜内出现了Ｗ５＋、Ｗ４＋。对电致变色机理也作了讨论。     

NiOxHx能效窗口薄膜的电致变色性

介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光密度的变化关系，以及不同厚度的电致变色薄膜与光透过度的关系。同时对电色薄膜的时间响应性、光密度变化与注入的电荷密度的联系也进行了研究。     

氧化钨薄膜电致变色状态下物相组份及表面形貌变化的研究

通过对直流磁控溅射方法得到ＷＯｘ膜层的电化学和光学性能测试，以及ＸＰＤ和ＳＴＭ的物相，形貌分析，发现该ＷＯｘ膜层具有良好的电致变色性能，原始沉积态ＷＯｘ膜层为非晶态，其着退色状态仍在非晶特性，而晶ＷＯｘ膜层在着色态和退色态之间发生物相组份的可逆变化，且表面形貌有很大差异。     

电致变色器件及其应用

电致变色器件在不同电压作用下具有可逆的光学性能转换的特征。本文讨论了电致变色器件的构筑方式和几种不同应用方向的工作原理,综述了电致变色器件在节能智能窗、先进显示器、防眩汽车后视镜等领域的研究和应用进展。     

住宅窗户的节能研究

通过研究窗户热工参数的模拟计算方法,定义了表征窗户节能效果的两个参数：ER和ERC,并根据典型的建筑平面图,计算分析了多种因素对建筑节能的影响,得出了北京和哈尔滨两个城市的判断住宅窗户节能效果的经验回归公式,为设计人员和普通用户因地制宜地选择节能窗户提供了便捷有效的计算方法。     

氮化锆薄膜腐蚀和摩擦性能的研究

采用磁控溅射沉积在金属或玻璃基体表面上的氮化锆薄膜，具有良好的抗腐蚀和耐摩擦性能，摩擦系数小，显微硬度高达２１９５ｋ／ｍｍ＾２，是一种性能优良的功能薄膜材料。     

用几何靶溅射方法制备AlSb多晶薄膜

采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30%和200℃),然后在N_2气氛下,300～540℃,对沉积的薄膜进行退火.用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形貌.结果表明:几何靶可以很好地控制薄膜中Al和Sb原子的比例.制备的ALSb薄膜经过退火之后形成了面心立方结构的AlSb半导体化合物,平均晶粒大小约28rm.较高的退火温度有利于AlSb薄膜的晶粒生长.     

掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性

采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8．0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85％。     

一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。     

真空气相沉积制备碲化镉薄膜的电学和光学特性

用真空气相9沉积法，同时蒸发Cd和Te材料，在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。对CdTe薄膜掺杂In，并氮气作保护气体，在不同温度和时间下对薄膜进行热处理，研究薄膜的电学特性和光学特性。结果表明，用真空气相沉积法制备的CdTe薄膜的电学、光学特性和由其他方法制备的CdTe薄膜的电学和光学特性基本一致。