某些稀土离子对电沉积 CdTe 薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋和Ｎｄ３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５—３．０×１０－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ／Ｔｅ比等，有利于提高ＣｄＴｅ光电性能。经测试，其光电转换效率可增大到２．６—３．３％。     

电沉积制备中络合剂对光伏材料CdS的影响

利用电沉积（Electrodeposition)方法来制备六方相的CdS薄膜。实验指出从0．04mol/L Na2S2O3,0.04mol/L,CdSO4和0.04mol/L柠檬酸钠组成的溶液中，在pH值为5．4，温度为60℃的条件下，在ITO玻璃上电沉积得到CdS的前驱体。在300℃氮气氛下中热处理1h后，经X射线衍射（XRD）分析表明薄膜是呈六方相的CdS，且几乎沿（002）方向定向生长。扫描电镜（SEM）表明CdS晶粒为亚微米尺寸。研究表明，利用这种方法，可以得到结晶良好的六方相CdS薄膜。     

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法,电沉积制备出ＧａＡｓ薄膜。扫描电镜和Ｘ射线衍射仪测试结果表明,薄膜成分更接近化学计量比１：１,各次试验数值分散性小,厚薄均匀。     

pH值对电沉积ZnS薄膜的影响

研究了pH值对电沉积ZnS薄膜结构、成分和表面形貌的影响.由薄膜的成分和结构分析可知:pH值高会使薄膜中的锌含量增加,薄膜变厚,且Zn/S偏离理想值1;如果pH值很大,则薄膜几乎接近锌的单质;pH=1.8的情况下获得的薄膜Zn/S应该最接近理想值1,300℃热处理1.0h时薄膜可以获得较好的结晶度.     

不同工艺条件对电沉积n—cdte薄膜性能和结构的影响

通过改变电解液组分,使衬底镍层和CdTe 薄膜质地致密,改善了由它组成的光电化学电池的光电性能。CdTe 薄膜经氩气中退火或空气中热处理后,品粒明显长大,线性尺寸可达3000-4000,并伴有孪晶,从而进一步提高了CdTe 薄膜光阳极的光电性能。     

电共沉积InGaAs薄膜材料

阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于1.3-1.5um的InGaAs薄膜材料,用能谱分析仪进行薄膜成分分析,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率,同时测量了薄膜I－V特性,导电类型,厚度及其表面形貌,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。     

GaAs薄膜电沉积的机理与工艺研究

报道了电共沉积制备ＧａＡｓ薄膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。     

阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究

在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2 ]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72~-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。     

电沉积法制备CuxS薄膜及其性质研究

利用电沉积的方法制备CuxS薄膜，研究了不同的络合剂，不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现：不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜，用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)，当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31Sl6其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)，当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的CuxS其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高，薄膜的结晶程度有了很大的提高，晶粒有了明显的长大，不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。     

真空气相沉积碲化镉薄膜特性研究

用一种简便的制备CdTe薄膜的方法－真空气相沉积法，在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。在真空度为133μPa真空室中，同时蒸发Cd Te材料，形成CdTe薄膜。为改善其性能，采用改良Cd:Te的原子配比和在Cd Te材料中掺杂In，用N2作保护气体，要不同温度下对薄膜进行热处理。通过SEM、XRD，SAM和AES等测试分析，分别研究了热处理前后CdTe薄膜的结构、组分及工艺条件对薄膜性能的影响。     

在电共沉积GaAs薄膜上制作肖特基势垒的研究

应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒。经测试Ag-SiOx-nGaAs结构和Au-SiOx-nGaAs结构的I-V特性,表明所制备的肖特基势垒具有良好的整流特性。     

电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上，以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料，从简单盐水溶液中，按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。     

KCl浓度对电沉积ZnO量子点敏化太阳能电池光电性能的影响

文章采用恒电位沉积法在导电玻璃上制备了ZnO薄膜,研究了沉积液中KCl浓度对ZnO薄膜结构的影响,将制备的ZnO薄膜应用于量子点敏化太阳能电池(QDSCs)的光阳极,而后分析了该太阳能电池的光电转换效率。文章还利用X射线衍射(XRD),以及扫描电子显微镜(SEM),表征ZnO薄膜的结构和形貌,以紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征量子点敏化前后光阳极的光吸收特性,利用电化学工作站测试不同形貌ZnO-CdS太阳能电池的光电转换特性。分析结果表明:当KCl浓度为0.075 mol/L时,ZnO薄膜呈现出均匀多孔的纳米片结构,以该ZnO薄膜为光阳极的QDSC的开路电压为0.35 V,短路电流密度为3.17 mA/cm~2,光电转换效率为0.36%;与未添加KCl的ZnO薄膜相比,多孔片状ZnO薄膜的活性位点能够与电解液充分接触,这样提高了光阳极内光生电子的注入效率,从而使太阳能电池具有更高的的光电转换效率。     

电化学沉积法制备CuSCN固体电解质薄膜的研究

采用电化学沉积法用水作溶剂在ITO透明导电玻璃上制备出了P-CuSCN薄膜。研究了络合剂对电沉积液为CuSO_4,KSCN水溶液的CuSCN薄膜沉积效果的影响,探讨了利用电化学方法实现CuSCN阴极式沉积的机理,并研究了p-CuSCN薄膜的结构特性和光电学特性。结果表明,制备的薄膜为β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.8eV,表面电导率为0.8×10~3S·cm~(-1),各项参数符合染料敏化PEC电池的基本要求。     

电化学沉积GaAs薄膜的实验和理论分析

通过物理和化学的理论分析及实验研究，阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2导电玻璃氏材料上沉积原子化学计量比接近1：1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素，从而获得最佳的沉积工艺条件。该研究方法有助于用电化学方法沉积化合物半导体薄膜材料及薄膜性能改善，为规模化生产的工艺条件设计和薄膜的应用提供了理论根据。     

超声电沉积-硒化制备CuInSe_2薄膜

采用超声电沉积法在钼基底上制备了Cu-In合金预制膜,随后在硒蒸汽进行硒化处理,得到了CuInSe2(CIS)薄膜.分别用SEM、EDS和XRD分析了合金预制膜和CuIrISe2薄膜的表面形貌、成分及相组成.结果表明:超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu-In合金薄膜,并且可以利用电流密度控制预制膜中的Cu/In比率;随着Cu含量的增加,CIS薄膜的结晶性变好;富铜的CIS薄膜中除了CuInSe2以外还有CuSe相,CuSe的含量随铜含量的增加而增加.     

水溶液中阴极电沉积半导体CdTe薄膜性能的研究

研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件（搅拌、加温）下，沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对ＣｄＴｅ膜层成份及导电类型的影响，通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体ＣｄＴｅ薄膜。对沉积膜形貌和结构分析表明，室温搅拌条件下沉积的ＣｄＴｅ薄膜，整体均匀性好，呈非晶结构，氮气氛中高温退火后，ＣｄＴｅ膜沿一定方向有较明显取向。     

添加EDTA电共沉积GaAs薄膜工艺研究

采用恒电流电共沉积技术,以SnO2导电玻璃为基片制备了CaAs薄膜.通过观察实验过程和对比各次实验结果,研究了在电解液中加入络合剂EDTA对成膜质量的影响以及实验过程中的烧焦现象和电火花现象.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪测试表明,沉积膜为GaAs多晶薄膜,加入络合剂EDTA明显改善了薄膜的表面形貌,提高了沉积膜的厚度,降低了各次实验数值分散性,而且使沉积膜中As与Ga的化学计量比更接近1:1.选择适当的沉积工艺可以避免烧焦和电火花的出现.     

真空气相沉积制备碲化镉薄膜的电学和光学特性

用真空气相9沉积法，同时蒸发Cd和Te材料，在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。对CdTe薄膜掺杂In，并氮气作保护气体，在不同温度和时间下对薄膜进行热处理，研究薄膜的电学特性和光学特性。结果表明，用真空气相沉积法制备的CdTe薄膜的电学、光学特性和由其他方法制备的CdTe薄膜的电学和光学特性基本一致。