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多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性,研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变坏;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降,这些因素在低温器件设计中应予重视。 相似文献
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本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下载流子冻析效应和浅能能补偿杂质隐阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型,对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与300K和77K下的实测结果进行了比较。 相似文献
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本文描述了一种实现亚100nm基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似BSA(硼硅玻璃自对准)技术,可实现亚100nm的基区结深,还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比,这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题:二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极,RTA(快速热退火)用于形成晶体管的单晶发射区,为提高多晶发射区的杂质浓度 相似文献
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不管集成电路如何发展,分立器件永远不会被集成电路完全取代。而在分立器件中,高一颗小功率管产量占有相当大的比重。但直到现在,高频小功率管的生产基本上仍然是沿用了传统的老工艺。因此,对于这类器件生产工艺的改进就有着带普遍性的非常重要的意义.我们针对现行小功率管制造中存在的问题,以3DG142为代表品种,试验使用LPCVD多晶硅薄膜工艺,以掺杂多晶硅发射极结构取射传统的池发射极TIAI结构,改善了器件性能,提高了成品率和可靠性,取得了良好的结果。一、问题高濒,尤其是超高频小功率晶体管,芯片几何尺寸细微,以致做好… 相似文献
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已有的理论和实验都已证明,多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作,但至今为止,其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟,特别是进行定量的计算。本文定量地模拟了低温77K和常温300K下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益与集电极电流密度的关系,并且分析了低温和常温下决定该晶体管电流增益大注入效应的主要物理效应。 相似文献
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报道了一种用来制作自对准SiGe基区异质结双极晶体管降低热处理周期的磷发射极工艺,短的热处理周期导致极窄的基区宽度,并维持轻掺杂的隔离层不消失,这种隔离层是为了提高击穿特性而制作在发射极0基极和基极-集电极内的,已获得了35nm基区宽度的晶体管,其发射极-基极反向漏电小,峰值截止频率为73GHz,本征基区薄层电阻为16kΩ/□,用这些器件获得的最小NTL和ECL门延时分别为28和34ps。 相似文献
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低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。 相似文献
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A unified model of low temperature current gain of polysilicon emitter bipolar transistors based on effective recombination method is presented, incorporating band-gap narrowing, carrier freezing-out, tunneling of holes through polysilicon/silicon interface oxide layer and reduced mobility mechanism in polysilicon. The modeling results based on this model are in good agreement with experimental data. 相似文献
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本文研究了非晶硅发射区双极晶体管的低温特性,得出了如下结论:低温下电流增益随基区杂质浓度的上升而下降,不同于常规同质结双极晶体管的情况,集电极电流则随基区杂质浓度的上升而上升。这些结果将为低温双极晶体管的设计提供理论依据。 相似文献
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