共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 总被引:3,自引:0,他引:3
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击.在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中.通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向. 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
TFT栅线及阵列的缺陷分析 总被引:2,自引:2,他引:0
对TFT(ThinFilmTransistor)的栅线及阵列缺陷的表现及成因进行了分析。在实际工艺过程中避免这些缺陷有利于提高器件成品率,改善显示质量 相似文献
7.
液晶显示器尺寸越来越大,液晶栅极启动信号持续时间变短,液晶电容和存储电容的充电时间也随之减少,导致对液晶电容和存储电容充电不充分,造成横向微弱亮线的产生,使得画面品质下降。本文设计出TFT阵列基板电容充电电路,在当前行像素显示时,对下一行像素预充电,解决了液晶电容和存储电容充电不充分的问题。 相似文献
8.
薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明:氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(RITO)及过孔接触电阻(Rcontact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使RITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使Rcontact减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。 相似文献
9.
日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。 相似文献
10.
11.
12.
13.
14.
15.
TFTLCD是英文Thin Film Transistor Liquid Crystal Display的缩写,即薄膜晶体管液晶平板显示器,是有源矩阵类型液晶显示器(AM—LCD)中的一种。它因为具有使用特性好:低压应用、低驱动电压、固体化、使用安全性和可靠性高;平板化、轻薄体积小、节省了大量原材料和使用空间;低功耗,它的功耗约为CRT显示器的十分之一; 相似文献
16.
阵列波导光栅(Arrayed-waveguideGrating,AWG)是密集型波分复用(DWDM)系统中的关键器件之一。本论述了AWG的原理及其制作工艺(主要是反应离子刻蚀和化学气相沉积),分析了AWG的一些重要性能参数,提出了一些改进其性能的方法。最后,阐述了AWG在波长路由器、光上/下路复用器(OADM)、光交叉互连(OXC)等的应用。 相似文献
17.
PECVD a—Si:H薄膜对TFT有源矩阵性能的影响及其淀积工艺研究 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了a-Si:HTFT有源层──a-Si:H薄膜质量和厚度对于a-Si:HTFT关键性指标(通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率)的影响,深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si:H薄膜组分、结构的影响,并在实验的基础上给出了它们之间的关系曲线,确定了最佳淀积工艺参数,从而获得了高性能的7.5cm372×276象素a-Si:HTFT有源矩阵。 相似文献
18.
对poly-Si TFT的制作工艺进行了研究,采用准分子激光晶体法制备了多晶硅薄膜,并以Mo,Al两种金属直接与有源层接触形成源漏电极,对这两种不同金属源漏电极ploy-Si TFT的性能进行了比较。研究了退火其性能的影响,结果表明材料性能是符合要求的。 相似文献
19.
基于Parylene的柔性微电极阵列微加工工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基底集成的柔性微电极阵列(MEAs)从一个全新的角度演绎了植入式神经系统,对神经进行电刺激并记录神经电信号.以一种新型聚合物材料聚对二甲苯(parylene)为基底,制备出了用于神经接口的柔性神经微电极阵列.采用MEMS加工技术,设计了一种基于parylene柔性神经微电极阵列的加工工艺方法,并讨论了在流片过程中的关键问题,如掩膜层的选择、电极的剥离及焊接与封装等.该柔性微电极阵列在用于视觉假体的神经接口方面具有独特的应用优势. 相似文献