TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击.在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中.通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向.     

TFT制造工艺简化

三星电子公司开发了三次套刻工艺来制造TFT器件。一般TFT制造采用四次或五次套刻工艺来完成。采用三次套刻工艺后，比四次套刻工艺不仅提高生产能力20％，而且节省原材料、缩短生产节拍，将提高产量，提高竞争力。     

向列型TFT——LCD的制作新技术

制作技术对于LCD器件性能具有决定性的作用。本文对一些新的TFT—LCD制作技术作了说明。     

新书推荐——薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术

本书主要介绍非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术，共13章，内容从TFT元件的结构及特点，到TFT的检查与修复，包括TFT阵列制造清洗工艺、成膜工艺、光刻工艺、不尉辑析和检查修复。本书从11可阵列大规模制造的角度，第一次比较全面地介绍了TFT LCD牛产线的TFT阵列制造工艺技术、工艺参数、生产工艺技术管理、工艺材料规格、设备特性、     

TFT制造工艺的简化

随着TFT—LCD电视市场的需求，TFT—LCD基板尺寸不断扩大，使TFT制造工序简化已是迫在眉睫。一般TFT制造工序有5～8道光刻工艺，韩国LG菲利蒲公司于2000年开发了4道光刻TFT制造工序，并于2004年7月起该公司80％TFT生产线采用4道光刻技术。目前该公司正在开发3道光刻技术，而且三星公司也采用了4道光刻技术。4道光刻技术不仅简化了TFT制造工艺，降低制造成本，而且将成为TFT制造主导技术。     

TFT栅线及阵列的缺陷分析

对ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）的栅线及阵列缺陷的表现及成因进行了分析。在实际工艺过程中避免这些缺陷有利于提高器件成品率，改善显示质量     

TFT阵列基板的电容充电电路的设计

液晶显示器尺寸越来越大,液晶栅极启动信号持续时间变短,液晶电容和存储电容的充电时间也随之减少,导致对液晶电容和存储电容充电不充分,造成横向微弱亮线的产生,使得画面品质下降。本文设计出TFT阵列基板电容充电电路,在当前行像素显示时,对下一行像素预充电,解决了液晶电容和存储电容充电不充分的问题。     

TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究

薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明：氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(R_ITO)及过孔接触电阻(R_contact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使R_ITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使R_contact减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。     

新颖的TFT LCD制作工艺

日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。     

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。     

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2绝缘层的去除方法,并对这两种方法进行了比较,给出了各自的优缺点。     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

精缩机制版阵列插图研究

介绍了利用3696精缩机进行制版阵列插图的研究工作,总结了插图工艺制作的基本方法、常见问题及解决办法.通过具体应用实例,对多种形式的阵列插图制作进行了有益的探讨,对光掩模版的制造具有一定的指导意义.     

三道光刻TFT制造技术

LG菲利蒲公司开发了三道光刻TFT制造技术，而现在的TFT制作普遍采用四～五道光刺技术。随着光刻技术的减化，不仅压缩了工艺流程，降低成本，而且提高生产能力减化工艺也是TFT企业竞争的主要手段之一，因而LG菲利蒲公司靠三道光刻工艺技术将提高TFT—LCD产品的竞争力。     

浅论TFT LCD PCB制作工艺要点

TFTLCD是英文Thin Film Transistor Liquid Crystal Display的缩写,即薄膜晶体管液晶平板显示器,是有源矩阵类型液晶显示器（AM—LCD）中的一种。它因为具有使用特性好：低压应用、低驱动电压、固体化、使用安全性和可靠性高;平板化、轻薄体积小、节省了大量原材料和使用空间;低功耗,它的功耗约为CRT显示器的十分之一;     

阵列波导光栅原理、制作工艺及其性能分析

阵列波导光栅(Arrayed-waveguideGrating，AWG)是密集型波分复用(DWDM)系统中的关键器件之一。本论述了AWG的原理及其制作工艺(主要是反应离子刻蚀和化学气相沉积)，分析了AWG的一些重要性能参数，提出了一些改进其性能的方法。最后，阐述了AWG在波长路由器、光上／下路复用器(OADM)、光交叉互连(OXC)等的应用。     

PECVD a—Si：H薄膜对TFT有源矩阵性能的影响及其淀积工艺研究

分析了a－Si：HTFT有源层──a－Si：H薄膜质量和厚度对于a－Si：HTFT关键性指标（通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率）的影响，深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si：H薄膜组分、结构的影响，并在实验的基础上给出了它们之间的关系曲线，确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的7.5cm372×276象素a－Si：HTFT有源矩阵。     

poly—Si TFT制作工艺探索

对poly-Si TFT的制作工艺进行了研究，采用准分子激光晶体法制备了多晶硅薄膜，并以Mo,Al两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ploy-Si TFT的性能进行了比较。研究了退火其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。     

基于Parylene的柔性微电极阵列微加工工艺研究

基底集成的柔性微电极阵列(MEAs)从一个全新的角度演绎了植入式神经系统,对神经进行电刺激并记录神经电信号.以一种新型聚合物材料聚对二甲苯(parylene)为基底,制备出了用于神经接口的柔性神经微电极阵列.采用MEMS加工技术,设计了一种基于parylene柔性神经微电极阵列的加工工艺方法,并讨论了在流片过程中的关键问题,如掩膜层的选择、电极的剥离及焊接与封装等.该柔性微电极阵列在用于视觉假体的神经接口方面具有独特的应用优势.     

阵列基板铜工艺不良研究

本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施.结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑.使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色.在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤...