超高亮度蓝色铟镓氮单量了阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时分，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

超高亮度LED的进展

较为详细地叙述了超高亮度发光二极管的进展。从１９９０年日本东芝公司和美国ＨＰ研制成ＩｎＧａＡｌＰ６２０ｎｍ橙色超高亮度ＬＥＤ起，到１９９４年日本日亚公司研制ＧａＮ４５０ｎｍ蓝色超高亮度ＬＥＤ，目前主要是降低成本，实现产业化。     

双段式PBC型1.3μm InGaAsP超辐射发光二极管

本文报导了１．３μｍ超辐射发光二极管的研究成果，室温下，驱动电流为１５０ｍＡ时，单管输出功率可达４．３ｍＷ，光谱半宽为２１ｎｍ。     

掺杂聚合物蓝绿发光二极管

本文报道了用有机染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３分散到聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）中的掺杂聚合物作为有源层制作的蓝绿发光二极管（ＬＥＤ），聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备．ＩＴＯ／Ａｌｑ３：ＰＶＫ／Ａｌ器件在正向偏压为６Ｖ时可以看到蓝绿发光，峰值波长为５１０ｎｍ，最大亮度为１６８ｃｄ／ｍ２．     

铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管

从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色发光二极管，这种器件峰值波垂为４５０ｎｍ，外量子效率是２．７％，在正向电流２０ｍＡ时，亮度达１．２ｃｄ，正向压降为３．６Ｖ，比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高１００倍，其在上全色显示方面具有广阔的应用前景。     

AlGaInP橙色发交二极管的研制

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰ ＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。     

AlGaInP橙色发光二极管的研制

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。     

1.3μm超辐射发光二极管制作和实验

通过在激光二极管端面底高减反膜，实现了辐射发光，制成了超辐射发光二极管，它在较宽的驱动电流范围（３３￣６８ｍＡ）内均呈现超辐射发光特性，对超辐射发光二极管特性进行了研究，实验表明，它的发射谱很宽，在输出功率达１ｍＷ情况下，谱线宽度仍达１５ｎｍ。     

GaN材料生长研究

用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２００～３５０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，双晶衍射半峰宽为７′，室温ＰＬ光谱本征发光波长为３７０ｎｍ，并首次观察到掺ＺｎＧａＮ呈ｐ型电导。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

LiCaPO4:Eu3+材料制备白光LED及其发光特性

采用高温固相法制备了LiCaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、R+或Cl-等对材料发光性质的影响.结果显示,在399 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5DO→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰为612 nm;监测612 nm发射峰,所得激发光谱由O2-→Eu3+电...     

380‐nm Ultraviolet Light‐Emitting Diodes with InGaN/AlGaN MQW Structure

In this paper, we demonstrate the capabilities of 380‐nm ultraviolet (UV) light‐emitting diodes (LEDs) using metal organic chemical vapor deposition. The epi‐structure of these LEDs consists of InGaN/AlGaN multiple quantum wells on a patterned sapphire substrate, and the devices are fabricated using a conventional LED process. The LEDs are packaged with a type of surface mount device with Al‐metal. A UV LED can emit light at 383.3 nm, and its maximum output power is 118.4 mW at 350 mA.     

100lm/W照明用LED大功率芯片的产业化研究

本研究基于蓝宝石图形衬底（PSS）制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。     

多量子势垒电子阻挡层对UV LED 性能的影响

研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层(MQB-EBLs)对InGaN UV LED的效率的影响。分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率(LOP)的主要因素。实验表明,MQB-EBLs的量子阱层和势垒层厚度为分别为2 nm和3 nm时,387 nm UV LED的LOP可显著地提升到8.47 mW。     

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP－MOVPE设备,在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。     

LED芯片DBR反射镜优化设计

讨论了反射镜反射率对LED光提取效率的影响,并基于芯片与封装协同设计的原理,针对蓝光和黄光波段,通过TFcalc膜系仿真软件设计和优化了分布式布拉格反射镜(DBR)膜系。仿真结果表明,单堆栈DBR结构最大反射带宽为134nm,而双堆栈DBR结构最大反射带宽可拓展至216nm。利用参考波长红移的方式,可以缓解DBR反射特性随入射角度增加而出现的反射谱线蓝移现象。金属增强型DBR结构能够减小反射偏振效应,提高反射带宽和平均反射率,并能够减小DBR厚度,从而显著改善芯片的散热性能。     

用于白光LED的掺杂Ce-YAG荧光玻璃的研制

制备并测试了一种新的用于白光LED的掺杂Ce-YAG荧光玻璃。分别在1 300~1 500℃的空气和氮气中制备出Ce-YAG荧光玻璃。在对不同工艺条件下制得的样品进行了对比和分析的基础上,得到了较理想的制备工艺。结果表明,制得的Ce-YAG荧光玻璃被波长为465 nm(蓝色LED的波长)的光波激发,于550 nm处出现发射峰,表明该样品可应用于白光LED的封装。     

可见光诱导血液荧光光谱特性的研究

本文根据多种波长可见光诱导的小白鼠全血荧光光谱，对其产生机理和谱线性进行了研究。实验结果和分析结论表明，用可见光诱导的血液荧光在波长为600nm附近存在比较强的荧光：407nm的光激发血液荧光的量子转换效率最高值，不同波长光诱导的血液荧光光谱特征不尽相同，且573nm和593nm诱导的荧光光谱还出现了Anti-Stodes谱线。本文的研究结果将对LLLIT和LIFST中治疗光波长的选择具有参考价值。     

超高亮度InGaN单量子阱结构绿色LED

发光强度为１２ｃｄ的超高亮度绿色ＩｎＧａＮ单量子阱（ＳＱＷ）结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流２０ｍＡ下分别为３ｍＷ、６．３％、５２０ｎｍ和３０ｎｍ。这种绿色ＩｎＧａＮ单量子阱发光二极管的Ｐ－Ａｌ－ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ｎ－ＧａＮ是用ＭＯＣＶＤ方法生长在蓝宝石衬底上。     

MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.