4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究

研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所对应的栅压减小.峰值场效应迁移率和串联电阻的关系可用一个二次多项式来准确描述.详细分析了均匀分布和不均匀分布的界面态对场效应迁移率的影响.对于指数分布的界面态,低栅压下界面态的影响基本上可以忽略不计,随着栅压的增加,界面态的影响越来越显著.     

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。     

采用热增强封装的150V N沟道MOSFET

SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET，其占位面积为2mm×2mm，在10VF具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

逻辑电平沟道MOSFET

HEXFET功率MOSFET适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。该系列基准MOSFET可在4．5V Vgs下实现非常低的RDS（on）,显著改善了热效率。此外,这些器件具有更高的电流额定值,多余瞬变可以带来更多防护频带,     

高性能P沟道MOSFET器件

FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有优异的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用dFDMA905P采用2mm×2mmMicro FET封装.     

30V N沟道MOSFET

该器件采用了N沟道OptiMOS3工艺制造，采用SuperS08封装，最大额定导通电阻仅为1．6mΩ。它具有很低的门极电荷。易于驱动，可以使用成本较低的驱动器。此外。优值系数（FOM）的提高使得驱动器的负荷降低30％，大大降低了驱动器工作温度。     

短沟道MOSFET解析物理模型

本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、ＤＩＢＬ、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得以了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型,模型输出与华晶等榈测试ＭＩＮＩＭＯＳ模拟结果较为吻合,可用于ＶＬＳＩ器件与电路预测模拟。     

80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装中．具有良好的热性能和高效率特性．适用于机顶盒、数玛相机和硬盘驱动器等产品；     

短沟道MOSFET器件物理模型研究

通过求解经修正的二维泊松方程，并考虑了主要的短沟效应和高场效应，得到一个描述短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件Ｉ－Ｖ特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域，对０．８μｍ和１．４μｍ器件的漏极电流特性能较好地描述，可应用于亚微米、深亚微米级ＭＯＳＦＥＴ的电路模拟。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

6AN沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LTC4441新的高可靠性(MP级)版本,该器件是一款6 A N沟道MOSFET栅极驱动器,在-55°C至125°C的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC/DC控制器的输出功率     

短沟道MOSFET度越时间物理模型

叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释，模型 表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％。     

提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法

用HF掺杂薄氧化物层的MOSFET和MOS电容具有优良的电学特性。在本文所研究的有效场范围内,这种器件的有效表面迁移率为一般器件的1.7-2.4倍,这表明用HF增强氧化能得到速度更快的MOS器件。     

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。     

两次硼注入短沟道MOSFET

本文给出了用于高速逻辑电路的两次硼离子注入 n 沟增强型 MOS EFT 器件的阈值电压和电流一电压特性。衬底采用 P 型(100)15Ω cm 的高阻材料,以降低结电容和阈值衬底敏感度。用浅的硼注入来提高阈值电压,之后,再进行一次较深的离子注入,以提高源—漏之间的穿通电压。这种方案特别有利于制作短沟道器件。我们对两次离子注入的器件进行了一维分析,以估测离子注入的剂量和能量对器件阈值电压的影响,同时我们还根据器件的几何尺寸进行了准二维分析,来了解器件的短沟道效应。为了得出电流一电压特性,一维分析用于线性区,而以泊松方程解为基础的准二维分析用于夹断区,以估测空间电荷限制电流。计算结果与实验室试制器件的特性非常符合。