电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器

电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 ,并将它应用于差分四象限模拟乘法器     

硅基单电子晶体管的制备

硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件。大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点。     

金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性、金刚石晶体管的结构和工艺。预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下,连续输出功率200W,在100GHz下,连续输出1W。     

钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE子电路模型 (库 ) ;并利用该模型对由钟控 Neu MOS晶体管构建的电路进行了实时模拟 ,模拟结果与电路特性的实测结果有很好的吻合 ,因此可证明建立的子电路模型 (库 )可用于钟控 Neu MOS晶体管电路的设计和模拟验证。     

采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计

神经 MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文以新开发的神经MOS晶体管的 SPICE宏模型为模拟和验证的工具 ,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法。基于这种设计思想和方法 ,设计了一种大输入范围的低压(± 1 .5V)四象限模拟乘法器电路 ,给出的模拟结果验证了理论分析。     

锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备

设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。     

晶体管的新概念

简要介绍了几种晶体管,包括柔性晶体管、单原子晶体管、单电子晶体管、单自旋晶体管、量子力学晶体管、谐振隧穿晶体管、薄膜晶体管、透明晶体管和纳米晶体管的新概念。     

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件

综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展.针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析.概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径.研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力.     

纳米晶体管研究进展

纳米晶体管是尺寸小于100nm的晶体管。纳米晶体管大大提高了晶体管、集成电路、计算机以及其他电子器件的性能。Intel公司正在进行50nm以下Si晶体管的研制,他们研制的THzCMOS平面晶体管克服了小尺度给纳米晶体管制作所带来的诸如栅极漏电流、关闭状态下的漏电流、电阻增加以及开通电压升高等一系列困难。目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中。     

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的制备方法。研究表明,垂直结构纳米线容易实现高密度生长,而水平结构纳米线有利于逻辑栅的制作。通过比较垂直生长、水平生长、衬底转移和自上而下纳米加工技术制备Ⅲ-Ⅴ族纳米线的工艺优缺点,为水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线在硅衬底上的大面积异构集成及其器件的制作提供了新的解决方案。     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

对称迟后-超前校正的一体化设计方法

本文首先分析了一类迟后-超前校正环节的频率特性,严格证明了在半对数坐标系下,其幅频特性是轴对称的,其相频特性是中心对称的,进而将此类校正环节称为对称迟后-超前校正环节。在校正环节的参数满足一定条件下,本文指出：对称迟后-超前校正环节在超前环节作用的频段内,能提供正的相角和负的幅值。进一步,给出了该校正环节所能提供的近似最大相角和所对应频率,并给出了在该频率点该校正环节的近似幅值。基于这些结论,给出了利用对称迟后-超前环节进行校正的两种一体化设计方法。     

半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。     

SONOS非挥发性存储器件的研究进展

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.     

一种FLASH存储单元的结构及功能分析

讨论了一种新颖的不挥发存储器单元－ＦＬＡＳＨ的结构描述及器件模拟，对实验单元进行了测试，采用了分离电压的方法进行擦操作并进行分析。这种单元占用芯片面积小，很有发展前景。     

Windows操作系统中的USB 2.0体系结构分析

Windows的USB2.0体系结构包括两个重要的核心内容:USB驱动程序栈和USB设备栈.Windows XP 和Windows 2000的驱动程序栈均由主机控制器驱动程序、总线驱动程序和客户设备驱动程序3层构成.Windows XP设备栈包括客户设备栈、基类复合设备、根集线器设备栈和主机控制器设备栈;Windows 2000 USB设备栈由客户设备栈、基类复合设备、根集线器设备栈和主机控制器设备栈构成.在阐述Windows XP 和Windows 2000驱动程序栈的基础上,对两者存在的区别进行了对比分析,对Windows平台下的USB2.0驱动程序开发具有很好的参考价值.     

有机电致发光显示板

本文介绍高性能多层有机电致发光显示器件。该器件可分为三类。多层器件的发光亮度超过１００ｃｄ／ｍ’，驱动电压低于２０Ｖ。文章也介绍了高亮度器件的发光机理和器件的稳定性。     

虚拟字符设备驱动程序在Linux的实现

在Linux系统中,设备驱动程序隐藏了设备的细节,用户程序可以方便地操作设备,但随着硬件产品不断更新,需要不断编写新的驱动程序以支持硬件,通过虚拟字符设备驱动程序的编写,来说明Linux系统中字符设备驱动程序的工作原理。首先介绍了Linux系统中设备驱动程序的基本结构,以及字符设备驱动程序应提供的入口点,最后用进程虚拟字符设备,编写了相应的驱动程序,实现进程间的信息读写。     

新型高压电缆快速充气试验装置的设计

对原有的高压电缆气密性试验装置进行了技术缺陷分析,创新设计了一种新型的高压电缆快速充气试验装置,阐述了新型高压电缆快速充气试验装置的优点,并且对新研制的气密性试验装置进行了试验应用说明。     

A traveling-wave high electron mobility transistor

A traveling-wave high electron mobility transistor (THEMT) is proposed. The device is unique in that it includes an integral distributed load resistor and uses a HEMT as the active device. A rigorous analysis of the device is carried out, using a small-signal equivalent circuit model for an incremental section of the device. Losses and reflected waves are not neglected, as has been done in other work. Treating the device as a four-port network, closed-form expressions for S-parameters are derived. Theoretical calculations, using equivalent circuit parameter values for a HEMT reported in the literature, show that the proposed device is capable of exponential increase in gain with device width. Power gain of more than 10 dB at 50 GHz and remarkably flat response in the frequency range 10-100 GHz are shown to be achievable for a 1-mm-wide device