中功率砷化镓场效应晶体管

据报导,美国无线电公司采用一层掺铬的高阻砷化镓外延缓冲层作为器件有源区与单晶衬底之间的本体生长衬底之间的隔离,制出了一种革新的中功率砷化镓场效应晶体管(肖特基场效应晶体管)。据称,一个单元的器件在9千兆赫下以1分贝增益压缩,得到了高达300毫瓦的输出功率,5.2分贝的线性增益以及30％的漏极效率。三个单元的器件,在4千兆赫下以1分贝的增益压缩,实现了665毫瓦的输出功率,8分贝的线性     

GaAs双栅功率FET实验研究

本文简单介绍GaAs双栅功率FET的设计考虑、结构、制作工艺和初步实验结果.器件的最佳性能为:4.5千兆赫下输出功率440毫瓦时增益9.4分贝,输出功率660毫瓦时增益3.2分贝,效率均大于20%.     

Q波段砷化镓场效应晶体管放大器和振荡器

在12～20千兆赫的频率范围内研究了肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管。最大有用功率增益的测量表明,在这个范围内,器件具有比预期更高的增益。用带线技术制成了输出功率为4毫瓦的17千兆赫振荡器和功率增益为16分贝的四级14.9千兆赫放大器。     

WTF-631型体效应放大器

研制了一种 X 波段同轴传输线型宽带功率体效应放大器。它具有体积小、重量轻、使用方便、稳定性好等特点。使用 T512型体效应放大二极管,放大器一般指标为:中心频率 f_0=9.0±0.3千兆赫、带宽≥20%、输出功率 P_0=50～100毫瓦、功率增益 G_p=7～10分贝。最佳结果:f_0=8.8千兆赫、带宽42%、P_0=50～100毫瓦、G_p=7～10分贝。放大器通过了环境实验、高温贮存(+85℃、250小时)实验,并且连续工作寿命在250小时以上。进行了两级放大器级联工作,其功率增益能较好地迭加。比较好的结果:中心频率 f_0=9.0千兆赫、带宽22%、输入功率 P_i=1毫瓦、输出功率 P_0=100～155毫瓦、功率增益 G_p=20～22分贝。     

砷化镓多层外延及其在场效应晶体管上的应用

用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲层(n~-)的室温迁移率在6000厘米~2/伏·秒左右,有源层的室温迁移率在4500厘米~2/伏·秒左右。用这种结构的外延片制备的 GaAs 低噪声场效应晶体管,在6千兆赫下,噪声系数(N_F)可达2.7分贝,增益可达9分贝;在12千兆赫下,N_F 为3.68分贝,增益为4.8分贝;制备的功率器件,在6千兆赫下输出功率可达550毫瓦,增益4分贝左右。使用这种系统还试验生长了欧姆接触层(n~+)-有源层(n)-缓冲层(n~-)结构的外延材料,在器件制备上已初步看到 n~+-n-n~-结构比 n-n~-结构有更好的效果。     

14～18千兆赫的砷化镓放大器和振荡器

最近,美帝国际商业机器公司制成了14～18千兆赫的实验性晶体管放大器和振荡器。由于采用了砷化镓晶体管,使它们的频率特性提高了。在室温下,砷化镓晶体管中的电子饱和漂移速度比在硅中大2倍。据报道,在17千兆赫下,振荡器输出为1毫瓦。在14.9千兆赫、150千兆赫的3分贝带宽下,四级窄带放大器产生最大的功率增益为16分贝。在18千兆赫、380兆赫的带宽以上,三级放大器呈现的最大增益为6分贝。电路中所采用的新型晶体管的外推法测量数据表明,晶体管的最高振荡频率实际上在30千兆赫以上。理论计算表明,只要     

简讯

普莱赛公司市售GaAs低噪声场效应管 普莱赛公司已市售GAT—4型和GAT—5型GaAs低噪声场效应管。前者工作频率高达12千兆赫,在4千兆赫下噪声系数为1.8分贝,而增益为12分贝;在10千兆赫下最大可用增益为8.5分贝,噪声系数为3.5分贝。后者工作频率高达18千兆赫,在6千兆赫下,噪声系数为2.5分贝,而增益为8分贝,在10千兆赫下最大可用增益为10.5分贝,噪声系数为3.5分贝。两种管子均为n沟道场效应管。栅电极就采用了肖特基势垒二极管。采用中子辐射技术,在半绝缘衬底和有源层之间制造了缓冲层。市售的有管芯,也有微带线封装的器件。     

砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管微波放大器的设计和性能

本文叙述了一个X波段的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管放大器的设计和性能。该放大器在8.0～12.0千兆赫的频率范围上在典型噪声系数为5.5分贝(最大为6.9分贝)时增益达到20±1.3分贝。输入和输出端的电压驻波比不超过2.5:1。1分贝增益压缩的最小输出功率为 13分贝毫瓦。讨论了实际的宽带耦合网络的设计,这些网络在整个X波段内使放大器的噪声系数最小并保持恒定的增益。     

用于卫星通信的低噪声和线性场效应晶体管放大器

用于通信卫星上的场效应晶体管放大器已取得显著进展。在12千兆赫下,环境温度噪声系数低达4.8分贝,增益为35分贝,而截止点高达+28分贝毫瓦。预计失效前平均时间超过10~6小时。     

从直流到2千兆赫的单片砷化镓反馈放大器

在低频场效应晶体管放大器中,电阻反馈是一个颇具吸引力的方法。使用此法可以在非常宽的带宽内同时获得平坦的增益和良好的输入-输出电压驻波比。配以简单的匹配电路,该反馈方法可使人们在设计实用的放大器时,需要的芯片面积比常规的匹配方法所需要的小得多。本文所描叙的1.5×1.5毫米芯片可提供10±1分贝的增益,可提供良好的输入和输出电压驻波比以及在5兆赫至2千兆赫范围内饱和输出功率超过 20毫瓦分贝。在最低噪声偏置时,其噪声系数为2分贝,相应增益为9分贝。     

4千兆赫0.5瓦晶体管

美帝休利特-派卡公司制成 HP11型4千兆赫、500毫瓦的晶体管。其管芯图形是星状的,代替了梳状结构。星状图形设计把电流分布在整个管芯内,防止出现过热点。HP11型晶体管是共基极和共发射极结构。在窄频带放大器和振荡器中,共基极结构在额定功率下产生最高增益。例如,在1千兆赫下输出1.25瓦,增益11分贝;在2千兆赫下     

2～18千兆赫中功率GaAs MESFET放大器的设计和性能

本文讨论了一种多级宽带GaAs FET放大器的设计和特性。该放大器在2～18千兆赫频率范围内具有12～20分贝的小信号增益。放大器的1分贝增益-压缩点为13分贝毫瓦,饱和功率输出超过16分贝毫瓦。讨论了使用的宽带匹配技术和折衷处理,还研究了器件参数及其与放大器性能的关系。     

X波段砷化镓金属-半导体场效应晶体管混频器的性能

提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实验表明:它有良好的噪声性能,并可得到大的动态范围以及变频增益。在7.8千兆赫下测得变频增益大于6分贝。在8千兆赫下,平衡的MESFET混频器的噪声系数低至7.4分贝,输出三阶互调截止点为+18分贝毫瓦。     

为毫米波中继器设计的80千兆赫IMPATT放大器

日本富士实验室由X波段IMPATT放大器的换算,设计和研制了环行器耦合的80千兆赫IMPATT放大器,在700兆赫1分贝带宽内输出功率为13.4分贝毫瓦。据该公司报导,电路包括片型二极管支持器和用于二极管和负载之间的阻抗匹配的一个可动波导短路器。     

微波GaAsMESFET的功率和噪声性能达到新水平

在一月份举行的日本电子通信学会半导体、晶体管研究会上,日本电气中央研究所发表了微波GaAsMESFET的研究结果.功率器件在6千兆赫下输出达25瓦,增益3分贝;低噪声器件在4千兆赫下噪声系数为0.7分贝,在12千兆赫下为1.68分贝.该所用内部连接的器件已实现了在6千兆赫下输出15瓦,为进一步提高输出功率,由提高集成度、增加FET的单位栅宽,即栅条长度而获得成功.为设计在10伏偏压下输     

微波场效应晶体管的研制

本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止频率为10千兆赫)。用六个器件并联在3千兆赫下可获得5分贝的增益,输出功率达到800毫瓦。在小信号电平下相互调制分量的测量方法给出-23分贝的三级相互调制分量的结果,对于低的谐波失真来说,这是并未最佳化的器件的典型结果。为了迅速鉴定出制造场效应晶体管的外延材料的质量,采用了水银探针这种技术。从这一工作所得到的结论是欲获较大功率只能靠增大单一器件的尺寸来实现,这是因为在单一基片载体上并联比六个还多的子器件要引起放大器性能的退化。文中对宽为5000微米的自对准栅的器件制造过程作了描述。     

在8千兆赫下输出0.7瓦的砷化镓场效应晶体管

据《Microwaves》杂志报导,1974年在华盛顿召开的电子器件会议上,日本富士通实验室报告了大功率场效应晶体管的研制工作。器件在6伏和45％的效率下,输出功率为0.7瓦,在微带测试电路中,在8千兆赫下,测得最大可用增益为9.3分贝。按每倍频程下降6分贝,由此外推f_(max)为23千兆赫,单向增益为12.7分贝,最大稳定增益为13.7分贝。该器件为梳状源栅金属化结构,由52个肖特基势垒栅并联组成。器件用外延砷化镓     

匹配反馈放大器:砷化镓金属半导体埸效应晶体管的超宽带微波放大

一种从350兆赫至14千兆赫频率范围的超宽带放大器组件已经研制成功。在整个这一40:1带宽范围内最小增益为4分贝,输出功率有13分贝毫瓦。该放大器用负反馈和正反馈回路与一个砷化镓金属半导体场效应晶体管做在一起,该砷化镓金属半导体场效应晶体管的主要特性在于寄生参数低。该晶体管栅极尺寸为800×1微米。文中讨论了砷化镓金属半导体场效应管的工艺和射频性能,也讨论了单端反馈放大器的设计考虑和性能。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

4千兆赫下输出5瓦的功率晶体管

美国微波半导体公司最近报导该公司生产的微波功率晶体管在4千兆赫频率时,功率输出为5瓦,功率增益为4分贝,效率为30％,这一产品的型号为MSC4005,这一系列的MSC4003工作频率在4千兆赫时,输出功率为2.5瓦,增益为6分贝。MSC4001工作在4.5