光学光刻——向21世纪挺进

光学光刻———向２１世纪挺进本刊编辑部当前的ＩＣ工业，正在沿着美国半导体工业协会（ＳＩＡ）制订的半导体技术发展蓝图并遵循摩尔定律向前发展。以存储器为代表的ＩＣ技术，已步入了０３５μｍ线宽的６４Ｍ器件批生产阶段；０２５μｍ线宽的２５６ＭＤＲＡＭ的制...     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

亚微米光刻与刻蚀工作研究

采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。     

索尼开发0．18μm工艺的光刻技术

索尼开发０．１８μｍ工艺的光刻技术索尼公司已开发出用于０．１８μｍ工艺的光刻技术。近几年来数字化及多功能设备对大规模、高密度器件及专用集成电路（ＡＳＩＣ）单个芯片的需求大大增加，这就使得光刻技术转向短波长曝光光源，光源也由ｉ线转向准分子激光，同时倾斜...     

离子投影光刻

对于０１３μｍ以下几何作图，离子投影光刻是一种适用的技术。该技术没有光学衍射局限性和电子光刻接近效应，并能使几何图形缩减，进行动态畸变校正。欧州的研究计划正在寻求解决ＩＰＬ方面的技术难题。     

解决0.18μm光刻批量生产的五大技术要素

介绍了解决０．１８μｍ 光刻批量生产的五大技术要素, 即曝光装置、倾斜（离轴） 照明技术、相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光刻胶及工艺     

用折反射步进重复曝光装置进行亚微米作图

介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用于图形中ＤＵＶ灵敏的光致抗蚀剂的工艺情况，将描述其作图装置和它的光路系统、作图片子的ＳＥＭ图像，并讨论进一步提高ＤＵＶ图形分辨率的方法。     

0.5μm光刻采用大数值孔径i线步进机

采用几种实用ｉ线抗蚀剂，０４８ＮＡｉ线５×镜头具有０５μｍ线间对成像能力，焦深大于１μｍ。这种镜头与０４０ＮＡ的ｉ线镜头对比，０４０ＮＡ的ｉ线镜头对于≥０７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，而０４８ＮＡｉ线镜头对于＜０７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，并且可将截止分辨率延伸到０３５μｍ。并探讨了这种镜头吸热效应的相对不灵敏性和这种镜头内Ｈｅ气体的过压作用。假设模拟制作０５μｍ线间对图形的最佳数值孔径在０５～０５５之间，进而提出对０４μｍ线间对图形具有足够焦深，使得ｉ线光刻成为ＤＵＶ光刻技术生产６４ＭＤＲＡＭ器件时代的竞争者。     

扫描电镜在研制新型的半导体微腔激光器─微盘激光器中的应用

本研究用扫描电镜（ＳＥＭ）电子束曝光技术和相应的计算机联机成像程序，在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ液相外延片上形成电子束光刻图形，并采用选择腐蚀等技术，由ＫＹＫＹ－１０００ＢＳＥＭ并附Ｘ射线能谱仪和图像处理系统对研制过程进行监控，成功地在国内首次研制出由ＩｎＧａＡｓＰ单量子阶分别限制的五层四元系组成的新型半导体微盘激光器，微盘直径为２－７μｍ，盘厚０．２－０．４μｍ。这一成功为开展半导体微盘激光器的研究打下了良好的基础。     

0.4μm条宽的光刻

文章讨论了ＭＪＢ３ＵＶ３００型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进，消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用，实现了边缘整齐陡直、０．４μｍ条宽的光刻。     

变形光束的优化增大了焦深

不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜向的图形，可使焦深增大４５％以上。对实际的０．３０μｍ规格以下的器件，用四极照明和环形照明都不可能获得线问对图形的公共焦深。对这种器件，采用新型的变形光束（ＭＢＩ）曝光方法，焦深可增大到１．１μｍ以上。     

解决0.18μm光刻批量生产的五大技术要素

介绍了解决０．１８μｍ光刻批量生产的五在技术要素,即曝光装置,倾斜（离轴）照明技术,相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光刻胶及工艺。     

国外光刻设备集锦

国外光刻设备集锦ＰＡＳ５５００／５００型ＤＵＶ步进扫描光刻系统位于美国亚利桑那州坦佩市的ＡＳＭＬ子公司１９９７年初推出ＰＡＳ５５００／５００型步进扫描式光刻系统，拥有一个可变数值孔径＄Ｘ投影透镜，与ＡＳＭＬ公司的ＡＥＲＩＡＬ照明器结合，可提供０２２...     

远紫外光刻现状及未来

简要评述光学光刻技术由０３５μｍ工艺向０２５μｍ工艺转移中所面临的挑战，及远紫外光刻技术在器件制造中的地位、现状及发展趋势     

φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备

综述了３００ｍｍ／０１８μｍＣＤ对光刻工艺的要求以及光刻设备的发展。     

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

液晶光学相控阵子阵列寻址电极的加工工艺

基于液晶光学相控阵(LCOPA)电极基板的子阵列连接方案,利用电子束直写和激光直写混合光刻技术,进行了通光区域电极条纹、外围电路和子阵列联络孔的微纳米加工工艺研究。结果表明利用激光直写技术,可以形成最小线宽0.5μm的液晶光学相控阵电极图案,曝光时长48 min,具备可制造性。利用富含导电颗粒的SX AR-PC5000/90.1涂层,可以有效解决电子束在绝缘玻璃基底上直写时由电荷积累所产生的电子束曝光场拼接偏移与火花放电等问题,保证了电子束直接曝光子阵列电极上下导电层之间的联络孔套刻精度。利用特定电子束直写对准标记,解决了绝缘体表面在混合光刻中套刻对位精度问题。     

离轴照明研究

在亚μｍｉ线曝光装置上研究了四极、环形、及二元光栅照明对投影光刻分辨力的影响。主要就曝光能量，分辨力改善情况，焦深变化等与传统情况作了比较。研究发现，就分辨力和焦深而言，３种方法均有效；综合利用率，照明均匀性和分辨力提高程度 、二元光栅是罗好的方法，将分辨力从０．８μｍ提高到０．５μｍ，证实了离轴照明对大于０．５μｍ的图形分辨力同样有提高作用。