硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

正电子湮没多普勒展宽数据的稳定和修正

本文介绍了在正电子湮没多普勒展宽测量中如何利用参考谱线去稳定和修正正电子湮没谱线的线型参数。     

水结构的正电子湮没研究

正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰人有相同的电子结构，由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成３－水分子集团，这个基团的范德瓦尔斯散力的作用下生成宏观水，水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。     

半导体中的正电子湮没研究

根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子f(r_i,E_g)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:     

用正电子湮没方法研究有机导体

本工作用正电子湮没方法研究了几种新的电荷转移复合物型的有机导体。测定了在这些材料中正电子湮没的线形参数S、湮没寿命和3γ湮没相对产额。实验结果见下表。     

高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响

从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。     

富勒烯晶体的正电子湮没寿命

系统研究了室温下石墨及富勒烯晶体的正电子湮没寿命，发现Ｃ６０及Ｃ６０／Ｃ７０的寿命值分别为３７９ｐｓ和３８８ｐｓ，并给出纯Ｃ７０的双寿命拟合值为２５８ｐｓ和４１０ｐｓ。     

纳米材料与C60的正电子湮没研究

综述了纳米材料与Ｃ６０的主要结构特征，良好的物理性能以及使用正电子湮没方法的一些研究工作，如研究纳米材料的界面结构，热稳定性和压力效应，测量Ｃ６０的正电子寿命，指出了用正电子湮没研究这两类材料的意义及目前存在的一些问题。     

电子辐照Ni_3Al的正电子湮没研究

Ni_3Al是一种金属间化合物,其结构与有序合金Cu_3Au相同,是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温,成分范围为72.5～77at.％,化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni_3Al,到接近熔点附近仍保持有序结构。     

正电子在不同结晶度Teflon中的湮没特性

本文通过寿命谱和多普勒增宽谱测量来了解正电子在不同结晶度Teflon中的湮没机制。同时为获得长寿命驻极体提供信息。用FWHM=440ps的寿命谱仪测量了由等温退火和淬火而获得不同结晶度的Teflon样品。用X衍射测得等温退火样品的结晶度为74％称TEF~((c)),而淬火样品几乎看不到结晶峰称TEF~((α))。用对~(106)Ru的分辨率为1.14keV的高纯锗测量两种不同结晶度的多普勒增宽谱,算得S参数见表。     

γ辐照LiF晶体的正电子湮没

实验所用的晶体沿〈100〉解理。~(60)Coγ辐照剂量分别为5×10~4rad、5×10~5rad、1×10~6rad、5×10~6rad、1×10~7rad。吸收光谱测量使用岛津UV-360型光谱仪。为计算色心密度,全部测量均设置于同一吸收档。正电子寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪。谱仪的双高斯分辨函数的参数为:半高宽度W_1=(0.35±0.02)ns,W_2=(0.46±0.04)ns,相对强度I_1=(68.7±1.0)％,I_2=(31.3±1.0)％,中心相对位移为(0.061±0.002)ns。正电子源为10μCi的~(22)Na,每个谱总计数不少于9×10~5,环境温度T=23.5±0.5℃。数据处理采用positronfit程序在B—1955计算机上进行。     

等离子体表面处理的正电子湮没研究

本文将正电子湮没技术用于等离子体喷涂的研究。测量了等离子体喷涂合金的缺陷以及缺陷的退火效应，观察到了正电子寿命的一些异常现象。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

正电子湮没对研究热平衡点缺陷的应用

根据有关理论,在热平衡下单、双空位浓度C_(1v)、C_(2v)之间的关系为C_(2v)=1/2+Zexp(ΔS_(2v)K)exp(H_v~B/KT)(C_(1v))~2ΔS_(2v)是双空位间的组合熵。若不考虑三空位和更多空位的成团,则晶体内总空位浓度为C_v′=C_(1v)+2C_(2v)。假定晶体内还存在点缺陷(如某种间隙),由推导可得