12位／10位／8位8通道DAC

LTC2636在纤巧4mm×3mmDFN封装和MSOP封装中集成一个精确基准。性能特点：集成精确基准,2．5V10×10^6／℃（LTC2636-L）,4．096V10×10^6／℃（LTC2636-H）最大12位INL误差：     

采用纤巧TSOT-23封装的SPIDAC

LTC2631是12位、10位和8位DAC系列。其非常适用于在光网、RFID系统等应用中微调偏置电压。性能特点：2．5V满标度10×10^-6／℃（LTC2631-L／LJTC2640-L）,4．096V满标度10×10^-6／℃（LTC2631-H／LTC2640-H）;最大A级12位INL误差：1LSB;     

超高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度Z箔电阻。此新型器件可提供±0．05×10^-6／C（当温度介于0～＋60℃之间）及±0．2×10^6／℃（当温度范围在55～＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在＋25℃时最多8W的额定功率±4×10^-6／w（典型值）的优越功率系数（自身散热产生的R）及±0．01％的容差。     

硼硅酸盐玻璃／Al2O3陶瓷LTCC材料的研制

选择邻苯二甲酸二丁酯（DOP）／聚乙二醇（PEG）作为复合增塑剂,经流延制备硼硅酸盐玻璃／Al2O3陶瓷生带,研究生带的力学性能与LTCC基板的理化性能。结果表明：复合增塑剂的增塑效果优于单组份增塑剂,当增塑剂中W（PEG）为30～70％,固含量为86．5～87．3％时,生带拉伸强度为1．94MPa,断裂伸长率为12．07％;烧成LTCC基板具有较低的介电常数（7．1～7．62）,较小的介质损耗（18．4～28．8×10^-4）,合适的热膨胀系数（5．61～6．35×10^-6／℃）,较高的热导率（3．09～3．82W／m·K）,较高的抗弯强度（117～226MPa）。     

LTC2634：12位／10位／8位DAC

Linear推出4通道12位、10位和8位轨至轨数摸转换器（DAC）LTC2634,该器件在3mmx3mmQFN和MSOP封装中集成了一个精确的基准。LTC2634是Linear公司具有内部基准的纤巧12位、10位和8位DAC系列的最新产品。LTC2634加上之前推出的LTC2636八通道DAC和LTC2630／LTC2640单通道DAC,为众多应用提供了小外型DAC的通用选择。     

采用高性能EEPROM的双8位数字电位器

AS1507是256抽头SPI接口非易失性双数字电位器,可提供10、50和100kQ电阻,最大待机电流为500nA,包括CMOS写操作电流在内的最大工作电流只有200μA。它采用2．7～5．5V单电源工作,端到端电阻温度系数为90×10^6／℃,可提供±0．5LSB（最大值）的积分非线性（INL）和±0．5LSB（最大值）的差分非线性（DNL）。一个静音输入信号可将两个电位器寄存器的滑动端归零。     

高精度轴向Z箔电阻

VSA101是一款新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻,旨在满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0～60℃以及55～125℃（＋25℃参考温度）的温度范围内分别具有±0．05×10^-6／℃及±O．2×10^-6／℃的绝对低的TCR、     

高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度z箔电阻,此新型器件可提供±0．05×10-6／℃（当温度介于0～60℃之间）及±0．2×10-6／℃（当温度范围在55～125℃）（参考温度为25℃）的工业级别绝对TCR、在25℃时最多8W的额定功率（符合MILPRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、具有±4×10-6／W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0．01％的容差。     

LTC2636：12／10／8位8通道DAC

Linear推出12位、10位和8位数摸转换器（DAC）系列LTC2636,该系列器件在纤巧4mmx3mm DFN封装和MSOP封装中集成一个精确基准,从而使它们成为今天市场上最小的8通道DAC。LTC2636的小尺寸和内部基准就多种工业和通信应用而言是必要的。光网络就是一个需要在单个紧凑型封装中有多个DAC的应用例子。     

16位增量累加ADC

LTC2470和LTC2472在3mm×3mmDFN和12引线MSOP封装中集成了一个高准确度基准。这些器件集成的1．25V基准提供2×10^-6／℃的漂移性能和0．1％的初始准确度，适用于在空间受限应用中进行准确测量。两款ADC都提供有保证的16位无漏码分辨率和可选的250s／s或1ks／s输出速率。     

箔分压器电阻

这些电阻具有100Ω～20kΩ的电阻范围,在55～125℃（参考值为＋25℃）范围内具有±0．2×10^6／℃的低典型TCR,0．1×10^6／℃的TCR跟踪,±0．005％（50×10^6）的容差匹配,以及在＋70℃、额定功率时长达2000小时的±0．005％负载寿命稳定比率。其他电阻技术需要几秒钟甚至几分钟才能实现稳态热稳定性,而300144Z及300145Z具有不足1s的热稳定性时间。     

集成了高精度电压基准的16位／12位DAC

MAX5138／MAX5139内置电压基准的温度系数为10×10^-6／℃，内部缓冲器为DAC输出提供了增强的负载调节和瞬态干扰抑制能力。DAC输出可通过引脚编程设置在零点／中点位置，确保了器件在上电时进入预置状态，发生电源故障时也可进入预置状态。该输出可提供额外的安全性能，适用于驱动阀门或其他需要在上电时保持关闭的变频器系统。     

可高温工作的多相DC／DC控制器

凌特公司（Linear Technology）推出结温高达140℃仍保证运作及精确度的多相（PolyPhase）降压型同步控制器LTC3731H。这种坚固的DC／DC控制器具有集成的MOSFET驱动器，可为60A～240A的电源设计从3相工作扩展到12相工作。基准电压的准确度非常高，在整个工作温度范围内具有保证的±2％准确度。精确的±5％输出电流匹配通过在输出级间均匀地散布热量，简化了热量管理。     

精确低噪声串联电压基准 针对不同的应用有相应级别

LTC6652非常适用于高性能、高温工业和汽车应用,以及数据采集和医疗仪器应用。性能特点可选电压为1．25V、2．048V、2．5V、3V、3．3V、4．096V和5V;完全规定在-40-＋125℃温度范围内工作;A级有0．05％的初始准确度,5×10^-6／℃的漂移,B级有0．1％初始准确度,10×10^-6／℃漂移;2．1×10^-6（0．1～10Hz）的噪声,±5mA吸收和提供能力,低功率停机：最大值〈2μA;300mV压差;最大电压调节为50ppm／V;最大负载调节为75×10^-6／mA;无须外部负载电容器;8引脚MSOP封装。     

一种2 V, 9 μA, 15 × 10-6/℃高电源抑制CMOS带隙电压基准源

通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR。基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源。该带隙电压基准源采用TSMC0．6μm、两层POLY、两层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0．0528mm^2。测试结果表明：其最大工作电流为9μA;在2～5V工作电压下温度系数为15×10^-8／℃;线调整率为50μV／V;100kHz的PSR为-70dB。仿真与测试结果验证了该方法的有效性。     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2×15W功率,为4（2提供1×30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2×6W功率,为4Ω负载提供1×12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

低成本、同步DC／DC控制器

MAX15026能够驱动外部MOSFET输出高达25A的电流。该器件工作干4．5～28V宽输入电压范围,集成了精度为±1％的电压基准,可提供0．6V至输入电压的85％范围内的高精度输出电压。器件的开关频率（200kHz～2MHz）、外部补偿网络及电流限制均可进行调节,在空间、性能和成本方面对设计进行优化。     

长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10^-6、4.19×10^-6A;黑体探测率分别为1.5×10^9、6.7×10^9cm.Hz^1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器（QWIP）材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。     

SOT23封装的串联电压基准

LT6654专门为在-40～＋125℃的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0．05％初始准确度、10×10^6温度漂移和仅为1．6×10^6的低频噪声。LT6654可在比输出仅高100mV的电源上工作,而且在电源电压高达36V时保持仅为5×10^-6／V的电压调节误差。其他特性：1．6×10^-6PP噪声（0．1～10HZ）;±10mA吸收和供应能力;100mV压差电压;电源电压高达36V;负载调节：8×10^-6／mA（最大值）;电压调节：5×10^-6／V（最大值）;现已提供2．5V电压版本。     

双路输出、同步DC／DC控制器

MAX15023能够驱动外部MOSFET,每通道至少可提供12A输出电流。该器件工作于4．5～28V宽输入电压范围,集成了精度为±1％的电压基准,可提供0．6V至输入电压的85％范围内的高精度输出电压。器件的开关频率（200kHz～1MHz）、外部补偿网络及电流限制均可进行调节,在空间、性能和成本方面对设计进行优化。