N型6H-SiCMOS电容的电学特性

在可商业获得的 N型 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,制备 MOS电容 .详细测量并分析了 6 H- Si C MOS电容的电学特性 ,其有效电荷密度为 4.3× 10 1 0 cm- 2 ;Si C与 Si O2 之间的势垒高度估算为 2 .6 7e V;Si C热生长 Si O2 的本征击穿场强 (用累计失效率 5 0 %时的场强来计算 )为 12 .4MV/ cm ,已达到了制作器件的要求 .     

N型6H-SiC MOS电容的电学特性

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010cm-2;SiC与SiO2之间的势垒高度估算为2.67eV;SiC热生长SiO2的本征击穿场强(用累计失效率50%时的场强来计算)为12.4MV/cm,已达到了制作器件的要求.     

硫离子注入制备N型砷化镓薄层

本文讨论了用S~ 注入掺铬的半绝缘砷化镓衬底以制备N型砷化镓薄层。目的是代替微波低噪声砷化镓肖特基势垒场效应管(SBF-ET)所需的砷化镓薄外延层。注入条件:能量100千电子伏,剂量1.5×10~(13)/厘米~2,退火温度为825℃,退火时间15分钟。已经做出0.2～0.3微米厚的N型薄层,平均载流子浓度为5×10~(16)～1×10~(17)/厘米~3。载流子迁移率在2600～3400厘米~2/伏·秒的范围。薄层厚度和载流子浓度的均匀性是好的。采用双注入即注入S~ 之后,再注入P~ 可以改善注入层的电特性。利用S~ 注入制备的N型砷化镓薄层,已制出肖特基势垒场效应晶体管,其跨导和夹断电压可与气相外延薄层制备的肖特基势垒场效应晶体管相比拟。     

高纯N型砷化镓的总杂质浓度的测定

本工作根据极性半导体的载流子散射机构的基本模型,计算出杂质浓度和迁移率的关系,分析了模型的实验基础,认为在55°K下由载流子的迁移率确定补偿度的方法是有实用价值的。     

超临界掺杂N型砷化镓微波放大机理

业已得到超临界掺杂N型砷化镓转移电子放大器在实验和数字计算两者之间其结果符合的很好。在计算时把一电极附近的适当降低掺杂考虑在内,那末这个结果便确切地予示了小讯号阻抗和伏安特性,包含偏置—产生稳定—不稳定—稳定这一范围。这个结果也证明了用电极控制转移电子放大器的特性方面起主要作用。     

金-砷化镓肖特基势垒电容的测量

一、引言近两年来,在几篇资料中业已讨论了有意义的 n 型 GaAs 肖特基势垒的电容性能。威廉斯观察了在施加于二极管的偏压变为更负值之后电容与时间的关系。这个效应解释为这一时同与来自于耗尽层深杂质中心处电子的发射有关。根据光注入电子电流的平衡电容及时间的变化,他推导出深杂质中心的能量、电子俘获截面和密度。他的所有计算都假设了 C~(-2)和 V     

N型锑化铟的特性

引言几年来锑化铟已用作光电导体。还在五十年代末和六十年代初,已有几篇文章论述了这种材料的光电导寿命。从那时以来,单     

n型4H-SiCMOS电容的特性

在n型4H-SiC外延层上，采用H2, O2合成的办法，热生长30nm的SiO2层，并制备出Al栅MOS电容，完成了C-V特性的测试和分析工作，根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性，并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度. 结果表明H2, O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性，界面态密度较小. n型4H-SiC外延层的掺杂均匀，浓度为1.84e17cm-3.     

提高砷化镓功率MMIC中电容成品率的研究

金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容量影响ＧａＡｓ微波单元集成电路（ＭＭＩＣ）成品率的主要原因之一，ＰＥＣＶＤ氮化硅膜又是影响ＭＩＭ电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析，提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法，结果大大提高了ＭＩＭ电容ＧａＡｓＭＭＩＣ的成品率，降低了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的成本。     

n型4H-SiC MOS电容的特性

在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H2,O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小.n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×1017cm-3.     

n型4H-SiC MOS电容的特性

在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H2,O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小.n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×1017cm-3.     

氧化改性Ni(OH)2的电化学电容特性研究

为获得高比电容量电极材料,制备出氧化改性Ni(OH)2,并对样品进行了XRD和XPS分析,通过恒流充放电测试分析了氧化改性Ni(OH)2/活性炭非对称型电化学电容器的电容特性,讨论了活性炭与氧化改性Ni(OH)2质量比对比电容量的影响。结果表明,氧化改性Ni(OH)2电容器性能稳定,稳定工作电压可达1.60V;在活性炭与氧化改性Ni(OH)2质量比约为2.7时,比电容量高达93.78F/g。     

N型掺硅砷化镓材料吸收系数的测量及其带尾的研究

引言吸收系数α是表征光在传播过程中由于媒质的吸收而衰减程度的参数,研究α问题是一个既古老又现实的问题,所谓现实是指它对于固体发光器件,是结构设计,工艺设计和器件光学参数研究的依据之一。我们测量N型GaAs:Si材料的吸收系数的目的在于了解在各种不同波长下,GaAs发光管的无源区中光被吸收的程度,并借助于吸收限附近的吸收变化规律定性地分析带尾的影响。同时本报告也给出了样品的制作方法及测量的方法。     

对于N型砷化镓有极低电阻的Ni—AuGe—Ni接触

在n型砷化镓上测量了合金后的Ni-AuGe-Ni接触的接触电阻。接触的质量强烈地受半导体表面予蒸发清洗的影响。与化学腐蚀相比,溅射清洗显著地减小接触电阻,并改善了重复性。最佳的合金循环能得到比目前所具有的水平更低的接触电阻。     

TiO2纳米管阵列的电化学自掺杂及电容特性北大核心

阳极氧化钛箔合成高度有序的TiO2纳米管阵列。通过电化学自掺杂的方法对原始TiO2纳米管阵列电极进行改性,研究了不同掺杂条件对TiO2纳米管阵列电极电化学性能的影响,探索了电化学自掺杂的最佳实验参数。实验结果表明：电化学未掺杂的原始TiO2纳米管阵列电极表现出的最大比电容仅为1.55 mF·cm^-2,在25℃下0.5 mol/L的Na2SO4溶液中,施加5 V电压掺杂30 s后,TiO2纳米管阵列电极导电性显著增强,比电容可达到22.17 mF·cm^-2,是原始TiO2纳米管阵列电极比电容的14.3倍,电化学自掺杂显著提高了TiO2纳米管的导电性及电容性能。同时,电化学自掺杂不会损坏或改变TiO2纳米管的形貌和晶体结构。     

用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性

研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。     

高纯外延N型砷化镓中的X_(1C)导带最小点

对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X_(1C)-Γ_(1C)子带能隙确定为0.38±0.01电子伏,X_(1C)态密度有效质量是0.85±0.10m_e。结果还指出,可能有三个而不是六个 X_(1C)最小点,它们位在区域边缘。     

光电化学法测量N型半导体材料扩散长度

本文提出的拟合法是以光响应作为αW和αL_p的函数,在知道α的情况下,拟合曲线求得L_p值.结合外推法,反过来校正α值,似可以补充外推法的不足和得出较正确的L_p值.我们分别采用拟合和外推两种方法测定扩散长度L_p,已测得的各种半导体材料扩散长度分别为GaP(N_D=3.9 × 10~(19)cm~(-3))L_p= 0.036μm,GaAs(N_D=7 ×10~(17)cm~(-3))L_p=0.8μm,GaAlA_s(N_D=8 ×10~(16)cm~(-3))L_p=0.1μm.     

砷化镓合金型的肖特基势垒接触

已研制了GaAs合金型的肖特基势垒接触。用蒸发含有镍(5～20原子％)的鉑膜和GaAs衬底之间的固—固反应来形成合金层。肖特基势垒接触的电性质和冶金性质是:(1)φ_(BO)=0.95±0.01电子伏和n=1.04±0.02,(2)在高温时接触是稳定的,(3)没有沾污的麻烦问题和氧化物的介入层,(4)没有观察到的由于鉑和镍扩散所引起的不良效应,(5)在介面形成如GaPt,Ga_2Pt和PtAs_2的合金,(6)这些合金型接触对于肖特基势垒器件是有希望的。     

日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究.室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W.电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降.通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度.说明器件的本征层没有完全耗尽.因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论.