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相似文献
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1.
低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究   总被引:6,自引:2,他引:4  
为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870~950℃的温度范围内研制出压敏场强为210~260 V/mm,漏电流小于1 mA,非线性系数大于40的压敏电阻器。本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响。用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论。  相似文献   

2.
ZnO压敏电阻器复合添加剂制备技术   总被引:4,自引:2,他引:4  
论述了利用化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器复合添加剂的原理和方法,讨论了氨水、碳酸氢铵等8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果表明,合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件,可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比,并可降低烧结温度和成本,有广阔的推广应用价值。  相似文献   

3.
4.
本文对ZnO压电阻器在不同的交直流负荷长期作用下的性能作了对比,并对其性能变化模式做一些探讨。  相似文献   

5.
影响氧化锌压敏瓷喷雾造粒粉体性能的因素   总被引:7,自引:0,他引:7  
采用喷雾造粒技术制备氧化锌压敏电阻用粉体,其料浆的组成、造粒机的使用条件等因素对颗粒性能均有直接影响。  相似文献   

6.
7.
液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用Co、Mn、Al等元素液相掺杂,制得了高能和高压ZnO压敏电阻器,通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较,结果表明,掺同样含量Co时,液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的I-V曲线上翘,将Co的含量减半,得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ZnO压敏电阻器配方中,采用Al液相掺杂,能有效地改善大电流区的非线性。  相似文献   

8.
压敏电阻器工业的关键技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
发展氧化锌压敏电阻器应抓好大生产技术、测试评价技术和应用技术。生产技术关键是解决瓷料配方和瓷体均匀性,即掺杂配比及添加杂质的均匀分布问题。测试评价包括陶瓷特性、电特性、稳定性和可靠性几个方面。  相似文献   

9.
低压大通流氧化锌压敏陶瓷材料   总被引:8,自引:0,他引:8  
提出了一种研制低压大通流压敏陶瓷材料的方法。根据已有的微观结构和导电机理的理论,着重研究了添加剂TiO2对器件性能的影响,对得到的结果进行了分析和讨论。认为在六元配方基础上,加入适量的TiO2和H3BO3并对器件进行热处理,可得到质量较好的产品  相似文献   

10.
11.
采用直流磁控溅射工艺实现氧化锌压敏陶瓷的金属化,提出以三层电极膜系(镍铬/铜/银)的结构来获得更优的机械性能和电性能。与传统丝印烧结银浆金属化工艺相比,磁控溅射工艺绿色环保,溅射电极的厚度可控,与基底的附着力更强,且具有更优的电性能。研究结果表明,采用磁控溅射工艺,膜层附着力可以从9.7 MPa提高到13.9 MPa;器件的非线性系数和压敏电压分别增加了45.5%和5.6%,漏电流降低了55%;经过125℃、100h的高温负荷寿命试验后,压敏电压变化率从1.32%降低到了0.61%。对于氧化锌压敏电阻,磁控溅射法制备的三层膜电极的电气性能、机械性能和可靠性均远优于烧银电极,具有良好的应用前景。  相似文献   

12.
在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1xDyx)TiO3,外加适量的CuO、MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器瓷料。利用Dy3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒细化的作用,达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目的。大生产瓷料主要性能:er为7 200~ 8 000,tgd为(1.0~1.1)?02,ΔC/C,30℃时为(30~40)%,+85℃时为(50~53)%,交流抗电强度EAC为3.5~4.1 MV/m。  相似文献   

13.
张欣  许毓春 《压电与声光》1996,18(3):201-203
介绍了ZnO陶瓷的负阻特性,主要研究了MnO2掺杂和Ni2O3掺杂对ZnO陶瓷负阻特性的影响。  相似文献   

14.
施主半导化BaTiO3 PTC陶瓷的电压效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
周锋  孙慷 《压电与声光》1996,18(2):122-125
利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型,研究了BaTiO3基PTC陶瓷材料的电压效应。结果表明,PTC陶瓷材料的电压系数与施主浓度、表面态密度、晶粒尺寸和晶粒尺寸分布等有关。这些结果与已有实验结果相符,它们为PTC陶瓷电压效应的设计与测量提供了理论基础。  相似文献   

15.
高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对Pb_(0.99)Bi_(0.01)(Zr_(0.94)Ti_(0.06))O_3和Pb_(0.99)Bi_(0.01)(Zr_(0.61)Ti_(0.39))O_3两种主配方掺入Mn、Nb、Co、Ni、w等元素,制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂PZT热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量,第一种配方的典型电学参数为:ε_r=219;tgδ=0.0078(20℃,1kHz);p=4.43×10 ̄(-8)c/cm ̄2·K。  相似文献   

16.
介绍了“高低电压器”课程教学改革的实施办法和体会,其中包括教学内容、教学实践环节、教学方法和教学质量考核等四个方面。  相似文献   

17.
高性能SrTiO_3基高压瓷介电容器材料   总被引:8,自引:2,他引:6  
研究了在SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系中分别添加CaTiO3和MgTiO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTiO3、CaTiO3、MnO2、Nb2O5、SiO2对SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系介质材料进行改性,制得εr=1500~2000耐压Eb≥12 MV/m、损耗tgδ≤6×104的高压瓷介电容器材料。  相似文献   

18.
高电压梯度的ZnO变阻器   总被引:6,自引:2,他引:4  
通过超细粉碎和低温烧结工艺.制造成了具有高电压梯度的ZnO变阻器.本文简要报告高电压梯度的ZnO变阻器的制造工艺和性能.  相似文献   

19.
介绍雷达CRT显示器压电陶瓷变压器高压电源的基本结构和工作原理;从压电陶瓷变压器基本特性入手,分析压电陶瓷变压器高压电源的环境适应性及电磁兼容性,表明它能满足雷达可靠性要求.  相似文献   

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