一种基于射频导纳式的油水面物位仪的设计选取与应用

随着数字微电子技术和计算机技术的不断发展,物位测量技术发展迅速,利用时间行程原理非接触式测量的超声、雷达等物位测量技术,还有应用较为成熟的电容及各种电子型物位测量技术,都已慢慢成为物位测量方法中的重要手段,与原来机械式的物位测量仪表在各种应用领域优缺点互补。本文介绍了一种基于射频导纳式油水界面物位仪的设计原理分析及选取,并应用于油田项目的油水界面测量。     

γ射线含水仪在油水界面检测中的应用

油田沉降罐的油水界面检测一直是油罐计量领域的一个难题.在分析原油射线含水率检测原理的基础上,提出了应用射线含水仪检测油水界面的方案,提高了沉降罐的油水界面检测的准确性.     

基于探头导纳模型的复介电常数测量技术

基于开口同轴探头的导纳模型,建立被测材料复介电常数与反射系数之间的数值关系。使用矢量网络分析仪测量探头终端的矢量反射系数,利用虚拟仪器构建可视化界面,通过软件编程反演计算来确定被测介质的复介电常数,并对已知材料的测量值、HFSS软件仿真值、模型理论值对比,能够很好地吻合,验证了该模型的准确性。对一些常见介质及吸波材料进行了测量。本方法具有非破坏性,适于现场测量,而且具有设备简单、操作方便直观、测量精度高等优点。     

HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析

采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。     

印制电路板高频介电常数测试技术现状分析

在印制电路板的设计、生产等过程中,板材的介电常数和介质损耗角正切都是影响板材应用性能的重要参数,因此,介电常数的测量准确性十分重要。本文介绍了目前使用的几种高频介电常数测量方法的原理、标准和相关产品,并分析了其优势和不足,以及测量技术的发展趋势。     

TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究

制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(～24)和良好的可靠性。这些都归因于TaON界面层阻挡了O及金属原子向Ge衬底的扩散,抑制了不稳定的低κGeOx的生长,从而改善界面质量,增强器件性能。     

改进的基于Matlab GUI 的微波介电常数测量系统

依据传输线测量方法，结合Matlab GUI 编程技术，实现了一套介质介电常数测量系统，测量了不同介质在L 频 段到X 频段内的介电常数值。该系统直接使用高频信号源作激励，频谱仪作为接收机，简化了测试系统，降低误差。编 写Matlab GUI 人机交互界面求解超越方程，批量计算提高了计算精度和效率。测试结果和介质标称值很接近，对两种材 料应用的研究提供了有力的支持。     

谐振腔微扰法测量原油含水率仿真研究

与传统在线测量原油含水率的方法相比,高频微波谐振腔微扰法具有受外界环境影响小,不受矿化度影响,测量精度高的特点。由于原油和水的介电常数相差较大,微小的含水率变化会引起介电常数较大变化,使得不同含水率原油对微波场的损耗不同。通过软件仿真的方法可以测量出含微扰源(样品原油)的微波谐振腔的谐振频率和品质因数变化情况,根据矩形谐振腔微扰公式可得出样品原油的介电常数,然后将所得结果代入原油含水率和介电常数关系公式求得原油含水率。并且将铝制边界条件和铜制边界条件下所测得的原油介电常数数据与理论值进行分析,求出其相对百分比误差,得出一种较为简单、实用、快速准确的测量中低含水率原油的方法。     

小型射频LC低通滤波器设计

研究射频LC低通滤波器的设计，通过仿真计算研究了以螺旋电感和平板电容作为基本元件的滤波器设计制作在不同介电常数的介质基板上时性能的变化情况，结果表明采用高介电常数的介质基板时滤波器的尺寸可以减小，同时性能指标也可以获得一定的改善。     

微带线法测量介质材料的高温介电常数

微波介质材料的电磁参数决定了其在各领域的应用性能。为探索高温条件下介电常数的变化趋势,文章讨论了设有空气隔热层时的微带线法测量原理,分析了微带线法测量不确定度的影响因素。完成了介质材料1~40 GHz的常温、高温介电常数测量,并对测量结果的不确定度进行评估。测量结果表明:20 GHz以上,介电常数的相对不确定度略有增加,微带线法的测量结果较为准确。     

晶体管参数|h_(fe)|及截止频率f_T的测量

晶体管在射频段使用时人们最感兴趣的h参数是:晶体管短路输入阻抗h_i、晶体管开路输出导纳h_0和晶体管短路电流放大系数h_(fo)关于h_i和h_0可以用普通的射频阻抗(或导纳)电桥通过适当改装后来测量,h_f也可以利用实验室的通用电子设备如信号发生器、高频微伏表等配合起来进行测量.本文仅限于介绍晶体管在射频段共发射极短路电流放大系数的模值     

自动截油排水装置设计研究

油水分离已经成为石油工业中一个不可缺少的重要环节,油水分离设备也已发展成为油田地面工程中最基本、最重要、应用最广的工艺设备之一。一台自动截油排水装置设计就势在必行,本文范围涉及到旋流分离技术、流体力学,在利用重力势能先天条件,根据各个介质的密度不同,从而达到油水的自动分离。     

微带六端口介电常数在线测量系统

本文介绍用微带六端口反射计和开路同轴探头测量介电常数的原理及定标方法。实验数据表明，该测量系统具有较高的测量精度，比较适合于工业环境下介电特性的在线测量。     

低温形成栅介质膜电特性的容—压法分析

采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结果表明，制备出的栅介质膜性质优良。     

用介质柱谐振器法测量低耗介质的微波特性

由于高介电常数，低损耗角的新型材料在微波技术中广泛应用，对介质测量技术提出了更高的要求，两端面由平行导体板短路的介质柱谐振器广泛用于低损耗角介电常数介质的精密测量。本文用并矢格林函数法讨论了测量的基本原理及有关参数的计算公式，同时也给出了实际测量中模式判别方法及测量误差的分析。     

TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理

研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILD TDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILD TDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效.     

微波介质陶瓷介电常数测量的简单方法

应用等效网络法分别测量了空气、聚四氟乙烯及微波介质陶瓷材料片状试样的介电常数。理论分析计算与实验结果表明,该方法在无损测量片状微波介质陶瓷材料试样的介电常数中是可行的,且有模型简单、计算量小、精度较高及操作容易等特点。是一种无损测量片状微波介质陶瓷材料介电常数的简单方法。     

陶瓷介质L波段滤波器设计

介质滤波器是射频及微波通信领域必不可少的元件之一.陶瓷由于其介电常数高、温度稳定性好以及功率高的特性,成为介质滤波器中最常用的一种介质.因此重点研究陶瓷介质滤波器的设计.根据滤波器要求的中心频率确定陶瓷块的尺寸,通过HFSS软件进行仿真.为了使仿真的结果更能符合实际情况,边界条件根据实际介质设置,并不使用理想边界条件....     

复介电常数测量方法——同轴探针法再构建与修正

为提高同轴探针法测量介质的复介电常数的精度,重新对介质的阻抗模型—电容模型进行构建和修正,再分别用修正后的模型和原模型对同一样品进行测量并比较。结果显示两种方法对生物样品的测量结果差别不大,但对虚部较小的介质测量结果有一定的差别。修正后的模型提高了甲醇复介电常数虚部的测量精度,表明该模型比较适合测量虚部较小的介质,在一定程度上扩展了原有模型的适用范围。     

平板介质的微波分裂腔法介电常数测试技术

为实现微波频段平板类介质材料的介电常数的无损测试,研究了分裂式圆柱形谐振腔测试方法。介绍了分裂式圆柱形谐振腔的电磁场分析理论,采用模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场分布的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电常数之间的准确关系。在理论分析的基础上,制作了空腔谐振频率为10 GHz的分裂式谐振腔,并与前期研制的闭式谐振腔进行对比测试,介电常数实部测量结果相对误差小于1%。与国外同类产品进行对比测试,介电常数实部结果基本一致,损耗角正切测量结果更接近于文献参考值。因此,微波分裂腔法能够实现平板介质板材的无损测量,具有准确度高,使用方便等突出优势,可在微波频段内实现介电常数为1～20,损耗角正切为1×10^-3～1×10^-5,板材厚度为0.1～2.0 mm的各类平板介质材料介电常数的准确测试。