IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管(IGBT)的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用.重点讨论IGBT模块在铁路客车DC 600V供电系统逆变器中的应用与保护.IGBT模块具有损耗小,便于组装,开关转换均匀等优点.应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过栽、过热等保护功能,保证DC 600 V供电系统安全、可靠地运行.     

DC 600V在铁路空调客车供电系统的应用

简要的回顾了铁路空调客车的供电方式，重点介绍空调客车DC600V供电系统，并介绍了DC600V供电系统在运用中存在的主要问题并提出解决的方法。     

DC 600V在铁路空调客车供电系统的应用

简要的回顾了铁路空调客车的供电方式.重点介绍空调客车DC 600 V供电系统,并介绍了DC 600 V供电系统在运用中存在的主要问题并提出解决的方法.     

25T型空调客车DC600V/DC110V8kW充电系统应用研究

分析25T型空调客车DC600V/DC110V 8 kW充电系统的组成,重点研究充电系统的PWM高频桥式整流电路和DC/DC电压变换电路的特点、实现方法和保护,阐述充电系统、保护系统的工作过程,分析表明,该充电系统达到国内先进水平.     

IGBT在照相机闪光灯电路中的应用

介绍IGBT在照相机闪光灯电路中的应用。     

IGBT的发展与应用

介绍中压大功率整流器件的发展和主流结构，重点分析IGBT器件的结构特点和最新发展动向，讨论IGBT器件应用中应注意的具体技术问题。     

3300V沟槽栅IGBT的衬底材料的优化设计

使用TCAD仿真软件对3 300 V沟槽栅IGBT的静态特性进行了仿真设计.重点研究了衬底材料参数、沟槽结构对器件击穿电压、电场峰值等参数的影响.仿真结果表明,随衬底电阻率增加,击穿电压增加,饱和电压和拐角位置电场峰值无明显变化;随衬底厚度增加,击穿电压增加,饱和电压增加,拐角位置电场峰值降低;随沟槽宽度增加,饱和电压降低,击穿电压和拐角位置电场峰值无明显变化;随沟槽深度增加,饱和电压降低,击穿电压无明显变化,拐角位置电场峰值增加;随沟槽拐角位置半径增加,击穿电压和饱和电压无明显变化,但拐角位置电场峰值减小.选择合适的衬底材料对仿真结果进行实验验证,实验结果与仿真结果相符,制备的IGBT芯片击穿电压为4 128 V,饱和电压约为2.18 V.     

中频加热系统IGBT控制、驱动及保护电路设计

介绍了中频加热系统中IGBT控制、驱动及保护电路的工作原理，详细论述了以集成锁相环LM565为核心元件的IGBT互补对称控制信号产生电路、高速光耦HP3101实现的IGBT驱动与融离电路以及电流互感器和窗口电压比较器实现的IGBT过渡保护电路的设计方法。     

客车DC600V供电电源主电路的设计

为了提高客车DC600 V供电电源的功率因数,减小输出电压的波动,对主电路提出了基于"二极管不控整流+IGBT降压斩波"的设计。通过对主电路的PSIM仿真,表明该电路能够大幅提高DC600 V电源的功率因数,而且使输出电压稳定在600 V左右,达到了设计目的,能满足对客车供电的质量需求,保证用电设备的正常工作。     

650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage, BV),影响IGBT器件BV的因素包括：平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO₂中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT器件耐压能力的重要因素是芯片终端结构的设计,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了BV的提升,为了能够减少曲率效应和增大BV,可以采取边缘终端技术。通过Sentaurus TCAD计算机仿真软件,采取横向变掺杂(Variable Lateral Doping, VLD)技术,设计了一款650 V IGBT功率器件终端,在VLD区域利用掩膜技术刻蚀掉一定的硅,形成浅凹陷结构。仿真结果表明,这一结构实现了897 V的耐压,终端长度为256μm,与同等耐压水平的场限环终端结构相比,终端长度减小了19.42%,且最大表面电场强度为1.73×10⁵ V/cm,小于硅的临界击穿电场强度(2.5×10⁵ V/cm);能在极大降低芯片面积的同...