用可饱和吸收体减少掺铒光纤放大器增益误差

在系统中引入自振荡激光的掺铒光纤放大器(EDFA)光增益控制 (OGC)是在信道负载变化时在波长增 /减复用系统的残存信道中保持光增益的一种方法。但掺铒光纤放大器会在光增益控制激光波长中出现光谱烧孔 ,导致残存信道产生增益误差。美国康宁公司在光增益控制激光腔中引入可饱和吸收体 ,减少了上述误差。掺铒光纤放大器长 14m。一对波长选择耦合器形成 152 7nm激光波长的环形光增益控制腔 ,每个去耦装置选择一条通道。用可变光衰减器调整腔损耗及放大器反转。可饱和吸收体动态地将腔损耗作为功率的函数加以校正。用 8个分布在 1530～ 156 0…     

单通激光片状放大器的模拟计算分析

介绍了高功率固体激光驱动器中单通片状放大器 (SSA)的模拟和实验研究结果。对放大器能量传输的各环节进行全系统模拟 ,在能源系统优化的前提下 ,对不同抽运条件和不同抽运腔构型放大器的增益特性进行实验研究 ,2 2kV工作电压下 ,获得了 4 9%cm-1的小信号增益系数和 2 4 3%的储能效率。同时还分析了放大器的抽运热畸变及波前变化 ,实验测量了由抽运引起的腔内洁净度变化情况。     

垂直腔半导体光放大器的增益特性数值分析

结合垂直腔半导体光放大器(VCSOAs) 的竖直微型腔结构带来的特性,在反射工作模 式情况下,分析了VCSOAs 的增益特性。通过数值求解激光器单模速率方程,给出了增益、饱和输出功率随泵浦光功率、出射腔面反射率的变化,分析了其功率动态范围。得出了提高腔面反射率能使增益得到增长,以及强泵浦光功率能起到平坦增益,增大增益的作用的结论。总结了VCSOAs 设计中的一些规律,以作实际应用中参考。     

微波固体量子放大器多腔性能分析

本文用腔的等效网络法比较系统地分析了微波固体量子放大器反射式、传输式多腔的性能,其中包括增益带宽乘积以及增益不稳定性等。在分析中计入了顺磁物质导磁率的电抗分量对增益带宽的影响。文中讨论了终端有顺磁物质的反射式耦合腔增益带宽的理论极限。上述结果提供了选取方案的依据。结论中指出,实用小型化的腔式量子放大器,以前腔中无顺磁物质后腔中有顺磁物质的反射式耦合双腔较好。     

影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

为了改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性,基于其结构上的特点,引入了增益增强因子,修正了边界条件,采用建立腔内光子数与输入信号光功率关系的研究方法,分析了影响垂直腔半导体光放大器增益饱和特性因素。并进行了理论分析和实验论证,取得了影响增益饱和特性的4个关键数据。结果表明,有源区截面积、顶层镜面反射率、抽运功率、自发辐射因子影响着增益饱和特性,优化相关参数,可以将输入饱和功率提高到-2dBm。这一结果对如何改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性是有帮助的。     

同步泵浦腔倒空染料激光器的高重复频率放大器

将腔倒空氩离子激光器泵浦的高重复频率放大器和同步泵浦腔倒空若丹明590(R6G)染料激光器一起使用,在重复频率为4MHz下观察到双程增益为7。放大器的增益由波长、泵浦能量、振荡器能量的函数来表征。     

CMOS可变增益放大器设计概述

可变增益放大器是模拟单元电路之一,起着变化增益、调整信号动态范围、稳定信号功率的作用.文章综述了CMOS集成可变增益放大器的研究情况;给出了可变增益放大器的定义、应用、分类和主要指标,描述了多种开环和闭环放大器的结构,分析了相应的增益控制方法及其优缺点;说明了在CMOS工艺下实现放大器增益按指数变化的几种途径.最后,介绍了用于无线数字通信,具有宽带、高线性、低电源电压等高性能可变增益放大器的设计实例.     

有源光纤环形腔中光放大器的作用

有源光纤环形腔中光放大器可以补偿腔内损耗，提高有源腔的有效精细度，但不能减小入射光时间相干性的影响，同时它也会使腔带阻端输出的阻特性变为带通特性，所以对有源环形腔器件，应使用输出特性不随增益变化的带通特性。     

宽带可变增益放大器

本文叙述了用一对差动连接的晶体管作为基本放大器单元的自动增益控制宽带放大器,并提供一附加的晶体管线路,使得放大器的增益成为两晶体管直流偏置电流之比的函数。与两个偏流之比成正比的增益函数能使放大器的增益按双曲线或线性变化。此外,噪声分量以及输出直流分量的变化可通过从外加输入电流中减去一直流分量而实现最小化,该直流分量为放大器最小增益时的输入电流的直流分量减去其值为放大器增益函数的直流分量。     

两种新型泵浦腔结构片状激光放大器性能分析

介绍了两种新型闪光灯泵浦的不同泵浦腔构型片状激光放大器的结构组成，利用行波法对两种放大器的增益性能进行了实验测试，实验结果表明，采用模块化设计的阵列式片状放大器（MSA）比单口径片状放大器（SSA）具有更高的能量转换效率和增益能力。     

一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器

提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1～10.6 GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围.基于Jazz 0.35 μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证.结果表明,在3.1～10.6 GHz的超宽频带内,当电压在0.7～2.0V的范围内变化时,该放大器的动态增益变化范围大于60 dB,3dB带宽大于7 GHz,在整个电压变化范围内,S11和S22均低于-10 dB,在最大增益处,噪声系数小于5dB.     

匹配型微波晶体管放大器

提出了一种采用桥接T型带通滤波器(下面简称为BPF)补偿晶体管增益的匹配型放大器的新方案,报告了设计方法及试验结果。这种匹配型放大器除用在宽频带放大器中表现出阻抗性能良好以外,特别是在多级级联使用时还具有能控制由信号源或负载阻抗变化引起幅频特性变化足够小的优点。这就是说增益补偿电路所采用的桥接T型BPF的特性几乎不随信号源或负载阻抗的变化而变化,因而具有良好的阻抗特性。而且这种结构能广泛适用于具有—6分贝/每倍频程的大部分晶体管。为适用于1.7千兆赫中频放大器,试制指标规定为:带宽400兆赫,增益大于50分贝。结果是四个两级晶体管组成的增益约14分贝的单元放大器串联起来的总增益与各单元放大器增益的简单分贝之和的差在所需带内小于1分贝。大信号输入时的调幅-调相转换增益压缩1分贝时相位变化量小于8°。     

基于腔内光放大器结构的光纤激光器噪声抑制方法

设计了一种将半导体光放大器耦 合于光纤激光器腔内的结构,以抑制光纤激光器的相对强 度噪声。基于半导体光放大器的增益饱和效应,将光纤 激光器在弛豫振荡峰处的相对强度噪声抑制了30 dB。更进 一步地,通过腔内的放大器结构使得放大器内部的光学 强度达到一个稳定态,最终使得激光器的频率噪声没有因 光放大器的加入而产生劣化。     

采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器

射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15dB;噪声系数低于5.5dB,最小噪声系数达到2.6dB.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内.     

红宝石望远镜腔脉冲多程放大器

本文从分析红宝石放大理论出发,计算了各种工作状态下放大器增益与棒长的关系,比较了行波单程放大器、利用偏振面旋转的多程放大器以及望远镜腔多程放大器等的优缺点,采取     

垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

针对研究增益饱和时,现有的垂直腔半导体光放大器(VCSOA)速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题,根据法布里-珀罗腔边界条件,从行波方程和与位置相关的载流子方程出发,引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应,构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布,并分析了反射增益,其结果与已报道的理论及实验基本一致。     

一种可植于软件无线电的低功耗可编程增益放大器

本文提出了一种新的技术,用于优化可编程增益放大器的带宽和功耗的关系。这个可编程增益放大器由三级级联的放大器组成,每一级放大器包括可变增益放大器和直流失调电压消除电路。在消除直流失调的电路中,高通的截止频率可从4 kHz到80 kHz变化。可编程增益放大器芯片使用0.13微米的工艺加工,测试结果表明增益可以从-5dB到60dB连续可调。在 60dB增益模式下,当带宽可从1MHz到10MHz变换,电路消耗的功耗为0.85mA到3.2mA,电源电压为1.2V。它的带内OIP3值为14dBm。     

宽带铋基掺铒光纤放大器的增益箝制研究

应用于动态通信网络中的光放大器需要恒定的信号增益.为此,设计了一个基于环形激光腔结构的宽带铋基掺铒光纤放大器(Bi-EDFA),进行了宽带Bi-EDFA信号增益箝制特性的理论研究.结果表明:通过将放大器输出的一个前向放大自发辐射(ASE)噪声光反馈到输入端,可以实现对1.53 μm波段传输信号的增益箝制.环路损耗越小,...     

一种具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器

设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿。采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75°C温度范围内的变化范围不超过3dB。可变增益放大器的3dB带宽为0.8～3GHz,输入1dB压缩点为-50～-21dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6mW。     

基于FBG铥钬共掺光纤放大器反向ASE的再利用

针对铥钬共掺光纤放大器在放大2μm以上长波段信号光时因存在反向放大的自发辐射(ASE)而造成的放大效率浪费的问题,提出了在放大器输入端插入一个中心波长为1950nm的光纤光栅(FBG)的方案,并从理论上研究了光栅参数对放大器在2μm以上波段增益特性的影响。通过数值模拟给出了几种不同的铥钬掺杂比例下、有无FBG时,放大器对2040nm信号光的增益随光纤长度的变化曲线,分析了插入FBG后放大器最大增益和对应的最佳光纤长度的变化,以及这种变化对铥钬掺杂比例的依赖性。通过模拟放大器输入端的反向ASE光谱,以及抽运光、信号光、ASE与FBG反射光功率沿光纤传输的演化行为,解释了FBG对放大器产生影响的根本原因,并进一步指出为提高放大器长波段增益而加入短波段FBG的适用条件。并初步研究了加入FBG对放大器增益谱及噪声特性的影响。