宽束冷阴极离子源及其应用

本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。     

霍尔无栅离子源的离子束性能测试

介绍了一种新型离子源－霍尔无栅离子源，并论述了其工作原理。这种源不仅具有大束流、低能量和大辐照面积等优点，而且克服了现有的有栅离子源的技术局限性。实验结果证明，霍尔无栅离子源的离子流分布均匀性较好，离子束能量在30－120eV范围内。     

离子源的溅射特性及其对ZnS薄膜折射率的影响

在离子束辅助镀膜工艺中，离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素。本文对宽速冷阴极离子源溅射特性进行了研究，给出了离子源引出电压与溅射速度的关系。同时研究了离子束对ZnS薄膜折射率的影响。     

End—Hall离子源及其辅助镀膜技术

由西安工业大学自行研制的End-Hall离子源，已经成功在离子辅助镀膜中镀制了ZnS，MgF2，SO2等薄膜，其光学性能，耐磨，耐酸，碱等性能大大提高，近几年来利用中空离子源采用CH4气体成功镀制出类金刚石薄膜红外线光学保护膜材料．