基于STC5410AD单片机便携式程控电流电压源的设计

该程控电流源电压源是将传统的独立的电流源、电压源、传感器(变送器)的功能集中技术整合在一起,这样就大大提高产品的兼容性和性价比,并且将独立的产品的性能在原来的基础上提高了很多。     

同微处理器配接的低成本程控电压源

本文介绍了几种与微处理器配接的程控电压源实用电路设计,全部电路均由价格低廉的国产器件组成,可用于各种控制系统和测试系统的基准电源。     

可自矫正程控电压源

基于程控电压源的设计，为使其转换结果更为精确，利用A/D、D/A的组合电路进行自动矫正，系统由单片机进行控制，并附有键盘、显示等外围设备，使整个系统趋于实用，同时具有很好的扩展和改进余地、以满足不同要求。     

线性光隔离电路的设计及其在程控电压源中的应用

线性光隔离电路主要用于隔离模拟信号的传送。本文论述了光隔离电路的设计过程及其工作原理,并举例说明了它在程控电压源中的应用。线性光隔离电路由光电耦合器加辅助电路组成,它主要用于隔离传送模拟信号,得到无干扰的信号输出。     

基于微处理器的程控电流源设计

介绍了一种程控电流源的设计方法。该程控电流源输出电流范围为200~2 000 mA,电流频率为50 Hz,根据按键可控制电流的增减,其步进为1 mA。文中采用AT89C51作为控制器输出电流控制字,经过数模转换芯片MAX539进行数模转换以控制运放。仿真结果表明,该设计具有控制精度高,制作简单等优点。     

关于程控交换机配套电源的改进

改进型程控交换机配套电源系统是原DZY02,DPJ12,DPZ08程控交换机配套电源设备的改进升级产品,其外观如图1。它以计算机进行优化设计,采用新结构、新工艺、新元器件:系统中的关键技术部位以进口晶闸管模块替换平板压接结构,以C型铁芯替换拼片铁芯,采用国家新标准的时间继电器、接触器、空气开关等,使各项技术指标和可靠性达到国内领先水平。同时,在系统中配置了具备遥信、遥控、遥测功能的微机监控系统,成为国内同类电源的最佳产品。     

低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制

利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。     

一种新型凹源HV-NMOS器件研究

设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。     

最小共模电压SVPWH调制算法电压源整流器的研究（下）

摘要：本文在基于三相VSR一般数学模型的基础上推导了直流侧共模电压的表达式,分析了理想情况下无死区时和实际情况下有死区时传统SVPWM算法的零矢量和非零矢量对共模电压幅值和谐波分布的影响,并在此基础上提出了一种采用非零矢量等效合成零矢量作用的最小共模电压SVPWM调制算法和共模电压不受死区影响的死区时间设置方法。以上分析得到了MATLAB／SIMULINK仿真分析和变频空调样机的定性验证。结果表明：相比传统采用零矢量的SVPWM算法．最小共模电压SVPWM算法使共模电压的幅值和变化率降低66％,减轻了共模电压干扰。     

基于电流模式的分段补偿电压基准源

设计了一种基于电流模式的电压基准源,基准电压值可灵活调节,范围达几百毫伏到几伏.提出了一种实现形式简单、可扩展性强的新型分段补偿电流产生电路.在-40℃～135℃温度范围内,加入一路分段补偿电流能使电压基准源的温度系数从3×10-5/℃降为2.8×10-6/℃;加入两路补偿电流,得到的温度系数为6×10-7/℃.分段补偿电流对电压基准源的温度特性提升效果明显.     

一种提高自制电压源精度的方法

在典型连续可调电压源电路基础上，介绍了一种提高自制电压源精度的方法。用这种方法制作的电压源具有较高的性价比。实测显示，以此方法制作的5-15V连续可调电压源的输出电压误差小于千分之四。     

基于镜像电流源与电压源偏置的功率放大器

为了进一步提高音响功放的工作稳定性和性能,可采用镜像电流源代替输入级、推动级的集电极负载电阻,能提高功放电路的电压转换速率,采用电压源代替输出级的偏置电阻,使输出级工作于甲乙类状态,有利于提高工作的稳定性,降低非线性失真,功放的性能得到显著提高。而采用镜像电流源与电压源组成动态偏置电路,使输出级在小信号输入时工作在甲乙类状态,大信号输入时工作在甲类状态,既具备甲乙类功放的高效率、低失真,同时又能扩展放大器的动态范围,进一步降低大动态失真,取得明显的效果。     

一种低温度系数带隙基准电压源

描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路。基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,经过Cadence Spectre仿真验证,在-20℃～100℃温度范围内,电压变化范围小于0.5mV,温度系数不超过7×10-6/℃。低频下的电源抑制比为-107dB,在10kHz下,电源抑制比可达到-90dB。整个电路在供电电压大于2.3V时可以实现正常启动,在3.3V电源供电下,电路的功耗约为1.05mW。     

一种用于低压降稳压器频率补偿的压控电流源

利用小信号压控电流源(VCCS)电路产生所需零点,是一种先进的低压降稳压器(LDO)频率补偿方法。文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制(PSR)特性的改善作用,并提出了一种新的VCCS电路结构。该电路结构功耗低、占用面积小,在直到5 MHz的频率范围内,都有近乎理想的性能。采用这种结构的VCCS电路,基于0.5μm CMOS工艺,设计的一款300 mV压降,2.5 V输出电压,最大100 mA输出电流的LDO电路,具有很好的频率响应、瞬态响应和电源抑制特性。该LDO电路所用全部片上电容的总值不到1pF。     

一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源

采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃～120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。     

程控电流源的设计

介绍了一种交流压控电流源,采用了数字电压表技术进行电压测量,再利用单片机的运算功能获得其有效值。通过单片机和数模转换芯片对基准电压进行控制,以达到电压控制电流的目的。而传统的压控电流源完全采用模拟电路来实现,与传统的压控电流源相比,它具有精度高、调整范围宽、智能化程度高等优点,是传统压控电流源的理想替代产品。