微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)及微光摄像器件的发展现状。     

用于微光摄像的CCD器件

本文主要介绍了用于微光摄像的薄型，背向照明ＣＣＤ（ＢＣＣＤ）和电子轰击型ＣＣＤ（ＥＢＣＣＤ）。同时对各种微光ＣＣＤ的性能进行了比较。结果表明：ＢＣＣＤ和ＥＢＣＣＤ可提供高对比度和高分辨率的微光图像，这两种ＣＣＤ器件比其它微光ＣＣＤ器件具有更高的微光图像探测能力，可广泛应用于弱目标图像探测，警戒监视，显微摄像，医学图像分析，Ｘ射线诊断和多波段光谱分析等科学研究领域。     

微光CCD摄像器件综合特性的分析与比较

ＣＣＤ的优良特性使其在微光电视技术领域得到了广泛运用。本文对各种微光ＣＣＤ摄像器件的综合特性例如信噪比、探测率、动态范围与计数模式等进行了详细的研究与对比，并得出基本结论。     

微光视频器件及其技术的进展

微光夜视技术作为当今拓展人眼夜间视觉感知的主要技术之一,在军事和民用领域都有广泛的应用。随着数字图像处理技术的发展,微光视频器件为通过图像处理进一步提升夜视图像质量,为与红外热成像的图像信息融合,为提高夜间对目标探测/识别和场景理解能力等方面提供了广泛空间,成为当前国内外夜视技术发展的重要方向之一。论文综述了微光视频器件发展,分析了电真空+固体微光视频成像器件(如像增强CCD/CMOS(ICCD/ICMOS)器件、电子轰击EBCCD/EBCMOS器件等)、全固体微光视频成像器件(如电子倍增CCD器件、超低照度CMOS器件等)的特点和发展趋势,并结合法国PHOTONIS公司的LYNX计划,对微光夜视技术的发展进行了分析和讨论。     

电子倍增CCD微光传感器件性能及其应用分析

阐述了新型微光传感器件电子倍增CCD(EMCCD)的基本工作原理.分析了EMCCD与普通CCD、增强型CCD(ICCD)和电子轰击CCD(EBCCD)器件的优缺点,并对其微光探测能力和信噪比进行了比较.对比介绍当前国外EMCCD芯片及EMCCD摄像机类型,简述了EMCCD在军事、民用方面的应用前景.     

CCD固体摄像器件的发展现状

本文主要介绍国外可见CCD、X射线CCD、电子轰击CCD、虚相CCD、TDI-CCD、向帧速CCD和SuperCCD等固体摄像器件的最新发展现状以及未来发展趋势。     

新型CMOS摄像器件及其应用

一、概述 固体图像传感器分为电荷藕荷式(CCD)和CMOS型两大类,早期由于受集成电路设计和工艺水平的限制,MOS型摄像器件无法克服其灵敏度低和干扰大的缺点。而得不到广泛应用,随着电视技术的发展和集成电路制造工艺的迅速进步,为解决当初MOS型摄像器件的缺点创造了条件。到了八十年代末,英国爱丁堡大学成功地试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件、为实用化打开了道路,CMOS型摄像器件是将图像传感部分和控制电路高集成在同一芯片里,使其体积不仅明显减     

SGN-W6小型宽动态微光摄像组件

该摄像组件采用I-CCD技术和自动控制电路技术，能够在10^-4lx～10^5 lx环境工作照度范围内正常工作。具有动态宽、功耗低、体积小及光动态响应速度快的特点，是可昼夜合一使用的摄像装备。能应用于公安刑侦、边防监视。     

SGN-W6小型宽动态微光摄像组件

该摄像组件采用I-CCD技术和自动控制电路技术,能够在10-41x~1051x环境工作照度范围内正常工作。具有动态宽、功耗低、体积小及光动态响应速度快的特点,是可昼夜合一使用的摄像装备。能应用于公安刑侦、边防监视。摄像组件还适用于水下微光环境作业,可广泛用于探索海洋奥秘、探测和开采海底矿藏、进行水下工程、监视鱼群动向等。性能指标:分辨率/TVL:≥500信噪比/dB:≥40灰度:≥9级探测距离(星光下)/m≥250环境工作照度/1x:10-4~105(光动态范围)功耗/W≤2.5W外形尺寸/mm:132×71×62(不含镜头)工作温度/℃:-20~+50贮存温度/℃:-40~+55SG…     

电子轰击电荷耦合器件的研制

作者采用多碱光电阴极、静电聚焦的电子透镜系统、背照CCD、高密度引脚的玻封结构以及超高真空处理技术,成功研制出了具有实时电子成像功能的电子轰击电荷耦合器件(Electron Bombarded Charge-CoupledDevice,简称EBCCD)。该器件的主要结构和性能参数为:有效光阴极直径18 mm、光谱响应范围400~850nm、光电阴极灵敏度200μA/lm、CCD像素数512×512、暗信号不均匀性18%。图1为该EBCCD样管实物照片,图2为该样管所输出的图像。图1制成的EBCCD样管的实物照片图2 EBCCD的输出图像电子轰击电荷耦合器件是一种对微弱光信号敏感的成像型…     

新型微光成像器件及应用

采用全固态微光成像器件是未来微光成像的发展趋势。介绍了2种全固态微光器件 EMCCD、InxGa1－xAs,分析了其成像性能,描述了其研究现状,对比了传统的真空光电成像与全固态微光成像性能指标,阐明了微光成像器件向着高灵敏度、低噪声、宽光谱响应和强适应能力方向发展。     

491×384元CCD摄像器件

采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作工艺作了详细的介绍。     

InGaAs固体微光器件研究进展

InGaAs器件具有光谱响应宽、量子效率高、响应速度快、数字化读出、高温工作、可靠性好以及寿命长等优点,符合新一代微光器件的发展需求,在国际上成为固体微光器件的一种新选择,获得了重要的发展和应用。文章就 InGaAs 固体微光器件材料属性、器件性能以及成像特点等几方面进行了详细分析,介绍了当前InGaAs器件的发展趋势,以及研制320×256 InGaAs阵列的最新进展。研究结果表明 InGaAs 材料生长及器件工艺具有较好的可控性和稳定性,为实现高性能、实用化的InGaAs固体微光器件提供了技术支撑。     

新型真空摄像器件及其应用

本文介绍近几年出现的真空摄像器件的结构和性能特点及其新应用。     

摄像器件新秀——CMOS微型摄像头

<正> CMOS微型摄像头是充分体现90年代国际视觉技术水平的新一代固体摄像器件。固体摄像器件分为电荷耦合式(CCD)和CMOS型两大类。CMOS型摄像头将图像传感部分和控制电路高度集成在一块芯片上,构成一个完整的摄像器件。 CMOS型摄像头内部结构如图1所示,主要由感光元件阵列、灵敏放大器、阵列扫描电路、控制电路、时序电路等组成。CMOS型摄像头体积很小,机心直径大小近似五分硬币,便于系统安装。这种器件功耗很低,可以使用电池供电,长时间工作,同时具有价格便宜、重量轻、抗震性好、寿命长、可靠性高、工作电压低、抗电磁干扰等特     

CCD摄像器件的市场分析与预测

本文对ＣＣＤ摄像器件的全球市场与国内市场进行了分析与预测。到２０００年，全球市场销售总量约为１９９５年的８倍，国内市场销售总量约为１９９５年的６．５倍。