具有混合I-V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I-V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

静电感应晶体管I—V特性的控制

静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管，类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ，沟道厚度ｄｃ，比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则，方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。     

镜像法分析静电感应晶体管特性

针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小,并随位移栅压一起趋向于0;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大,到一定数值后,电压放大因子趋于常数.最后给出了SIT I-V特性解析表达式,它既适用于类三极管特性(加大栅压下)也适用于混合特性(较小栅压下),且由此得到的I-V特性曲线和实验符合较好.     

双极型静电感应晶体管的温度特性

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流了迁移率μ和邮源极越过势垒的电子数目ｎ。以盯可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。     

双极模式静电感应晶体管特性分析

在新的阻断状态全解析模型基础上,结合已有的理论成果,全面分析了双极模式静电感应晶体管(BSIT)的静态、动态和温度特性,并在分析中更加明确地论证了势垒钉扎等问题,为BSIT的设计提供了理论依据。     

双极型静电感应晶体管特性转变机理分析

本文对双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的工作机理进行了二维分析，给出了明确的ＢＳＩＴ从单极作用机制到双转变过程的物理图象。得到了作用机制转变时的栅压、势分布以及载流子和电场分布等的数值计算结果。     

双极模式静电感应晶体管设计要点

在新的阻断状态解析模型基础上,定量讨论了双极模式静电感应晶体管(BSIT)主要结构参数(外延层杂质浓度N_B、漏源间距w、栅区深度r及栅间距2a)与沟道势垒的关系,同时给出了定性解释。还分析了大注入通态特性与结构参数的关系,为BSIT的关态及通态设计提供了理论依据。     

脉冲法测试静电感应晶体管极间电容

求解S1T对阶跃信号的响应,寻找出各极间电容对上升时间t_r的影响,以此为基础,推算各极间电容,分离出器件线性区的C_(GS)、C_(GD)。实测表明,在器件沟道夹断后,C_(GS)随I_D的上升而略有增加,而不是常规测试的恒定值。     

酞菁铜有机静电感应三极管动作特性研究

介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管.根据对该三极管测试,采用适当的数学工具,对其参数进行计算.通过Ⅰ-Ⅴ方程的拟合,对其动作特性进行了研究.通过对小信号等效电路模型的仿真计算,得出其截止频率,并提出了改善其动作特性的途径.     

埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。     

静电感应晶体管大电流特性的改善

描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因子与几何结构之间的关系,揭示了器件电性能对几何结构和工艺参数的依赖关系. 设计建立了SIT频率参数和功率参数测试方法和电路,深入讨论了封装工艺对SIT电性能的影响.     

双极模式静电感应晶体管及其复合管的原理

静电感应器件通过控制漏和栅的电压来改变沟道中的势垒高度,从而控制来自源区的多数载流子量,并通过静电式控制沟道中的电势分布,来控制电流。本文说明了BSIT单管及大电流高增益复合管的主要工艺过程和工作原理,特别是BSIT由小电流区域变到大电流区域的过程中Ⅰ-Ⅴ曲线的变化及机理。为了更好地了解BSIT的工作原理,针对DX421型BSIT器件作了计算机模拟,最后对其单管和大电流高增益复合管的一些参数如电流放大系数、阻断电压和饱和压降进行了讨论。     

基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究

针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究。仿真得到了反偏栅压约为0 V、漏电压＜20 V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电流约为10-5 A,此时沟道状态为预夹断。当反偏栅压为-1.5 V、漏电压逐渐增大到300 V时,器件表现为类三极管不饱和特性曲线,器件电流约为10-6 A,此时沟道状态为完全夹断,研究结果静电感应晶体管工艺实践提供了参考。     

微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在400MHz时输出功率大于20W、功率增益大于7dB、漏效率大于70%和700MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5dB,漏效率大于50%的高性能静电感应晶体管.