双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究

采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。     

双极晶体管的高温变剂量率辐照效应

研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤,发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估.     

不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。     

双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性

不同类型和型号的国产及进口双极晶体管的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明：在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。     

不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应

对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明：同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强（ELDRS）效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。     

不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究.结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化...     

加固的MOS／SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果

本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。     

变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用

对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的~(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。     

工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响

对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管的结果显示,发射极面积越小,损伤越大;不同掺杂浓度的LPNP管的结果则表明,轻掺杂的发射极比重掺杂的具有更高的辐射敏感性。对各种实验现象的损伤机理进行了较详细的分析。     

γ射线预辐照对水仙生长的影响

花卉大多在春季开放,其他季节开花的花卉品种较少,冬季更少,水仙能在冬季开花,自然令人注目。水仙属石蒜科多年生草本植物,在我国已有一千多年的培育历史。作为观赏花为很多     

不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。     

线缆瞬态辐照响应的数值研究

应用Holland细线模型和时域传输线模型,并结合实验结论,对裸线、带保护层导线以及同轴电缆3种线缆的瞬态响应进行了数值研究。结果表明：对于裸线,负载较小时,负载的变化对负载电压电流、负载功率和负载能量的影响不大,负载较大时,对响应的影响较大;负载增大时,负载电流响应脉宽增加、幅度减小,负载功率存在最大值,但负载吸收能量却一直增大;负载响应与导线半径成正比、与光子能量成反比。对于带保护层导线,变化保护层厚度时,负载响应存在峰值。相同光子能量和芯线半径条件下,带保护层导线比裸线的响应小,同轴电缆比带保护层导线的响应小,减小幅度与光子能量有关。     

模数转换器的^60Coγ射线和电子辐照效应

研究了ＣＭＯＳ模数转换器ＡＤＣ０８１６的＾６０Ｃｏγ射线和电子辐照效应及退火特性，并通过分析ＡＤＣ的电离辐射损伤机制，对其辐射敏感参数，敏感部位和失效模式进行了探讨。     

双极晶体管不同温度的退火效应与机理

研究了双极晶体管不同温度下的退火效应,发现双极晶体管的退火与温度有关,而且不同类型晶体管的退火效应是有差异的,最后文章讨论了其中可能的内在机制。     

pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应

对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ场效应管进行了Ｘ射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验；通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。     

区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究

现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用.本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系.测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合.     

SBS的辐照效应研究

研究了室温下苯乙烯-丁二烯-苯乙烯（Styrene-Butadiene-Styrene.SBS）在^60Coγ射线下的辐照效应。采用傅立叶红外光谱（Fourier-transform infrared spectroscopy,FT-IR）、差示扫描分析（Differential scanning calorimetry,DSC）、热重分析（Thermal gravimetric analysis,TG）、扫描电镜（Scaning electron microscopy,SEM）、动态剪切流变（Dynamic shear rheology,DSR）等分析方法对辐照产物进行了表征。辐照产物经红外光谱分析,未发现有氧化物生成;SBS辐照后发生交联反应,随着吸收剂量的升高,不溶于甲苯的交联SBS量增加;DSC和TG表明辐照后材料的柔性聚丁二烯嵌段和刚性聚苯乙烯嵌段的玻璃化温度向高温方向移动,同时有更高的玻璃化温度点形成,耐高温物质量增加;动态剪切流变分析表明辐照后出现新的网络松弛行为,吸收剂量越高,材料的损耗因子峰越明显;辐照后SBS剪切粘度变大,储能模量增加,损耗模量下降,材料的温度敏感性下降;扫描电镜分析表明SBS辐照后抗氧化性能也得到了提高。     

重离子辐照模拟的实验验证(英文)

采用正电子湮没寿命技术研究了等效剂量的5.28×1016cm-2 85 MeV氟离子和3×1020cm-2En≥1 MeV中子辐照的α-Al2O3中产生的辐射损伤及其细致的热退火行为。实验结果表明重离子辐照的α-Al2O3中的正电子湮没寿命及其强度与中子辐照的α-Al2O3中的完全符合,从实验上验证了重离子辐照可以很好地模拟中子(质子)的辐照。     

辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响

为研究辐照温度对线性稳压器的电离辐射效应的影响,选取三个公司生产的同一型号线性稳压器7805在不同温度条件下进行60Co?电离辐射效应试验。结果表明:辐照温度的增加使三款线性稳压器输出电压的辐射损伤增大;使国家半导体公司和安森美半导体公司稳压器的线性调整率及国家半导体公司的输入电流敏感参数的辐射损伤减小。结合双极晶体管的空间辐照效应模型,对双极线性稳压器不同温度条件下的辐射损伤效应进行了分析和讨论,表明辐照温度对线性稳压器的辐射敏感参数的影响主要取决于陷阱电荷。     

γ射线辐照草莓的协同保鲜效应的研究

本文研究了商品等级草莓在储存期间的变化规律。在延长草莓货架寿命方面,使用1kGy、2kGy或3kGy剂量的单纯γ辐照方法。其效果未能优于单纯冰箱冷藏方法。研究表明,γ辐照和冷藏相结合的方法,可以产生协同效应,显示了引人注目的实用价值。