Z型Ba3Co2Fe24O41软磁铁氧体性能的改善

研究了 Ｚ 型平面六角结构软磁铁氧体（ Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１）的相结构与烧结温度之间的关系，在一般铁氧体工艺条件下， Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１的合成温度高，成相温度范围窄，并对材料的相组成进行了表征。在甚高频段，对 Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１ 的磁性能、介电性能及改善进行了深入的探讨。     

激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

Texas公司数据手册

Ｔｅｘａｓ公司数据手册（按索书号顺序排序）７３．８７２３７０７３．Ｅ２３ＡＢＴＡｄｖａｎｃｄｅＢｉＣＭＯＳＴｅｃｈｎｄｏ吕ｙＤａ！ａＢＯｏ幻：ＡＨｉｇｈ－ＰｅｒｂｒｍａｎｃｅＬｉｎｅｏｆ５－ｖａｎｄ３．３－ｖＰｒｏｄｕｃｏｓ．１９９２．１１６０Ｐ．Ａ...     

La—Ca—Mn—O薄膜的巨磁效应

报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量Ｃａ的调制Ｍｎ＾４＋的含量变化导致磁性结构转变，用双交换模型解释了该象现，对实验给出满意的解释。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

Nd—Fe—B烧结磁体的晶闸相Nd—Fe—O及其对矫顽力的影响

用扫描电子显微镜，分析透射电子显微镜，扫描俄歇多探针，热磁分析，磁性测量处理等方法系统研究了富Ｎｄ的ＮｄｘＦｅ９３－ｘＢ７烧结磁体的晶间微结构和矫顽力。发现在磁体的晶间区域存在一种铁磁性的Ｎｄ－Ｆｅ－Ｏ稳定新相，组成为ＮｄＦｅ２Ｏｘ，居里温度为１４５℃。新相的形成是由于在磁体制备过程中引进相当量的氧以及氧在磁体晶间区域的偏集。     

DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。     

2～18GHz GaAs单片超宽带放大器

介绍了２￣１８ＧＨｚ ＧａＡｓ微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作，给出了主要研究结果：在２￣１８ＧＨｚ频率范围内，管壳封装的两级级联放大器的增益Ｇ＝１３．５￣１８．３ｄＢ，噪声系数Ｆｎ＝４．２￣６．２ｄＢ，输入电压驻波比ＶＳＷＲｉｎ〈２．０，输出电压驻波比ＶＳＷＲｏｕｔ〈２．５。     

GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究

本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊     

染料激光泵浦Nd:GdCOB实现基频光和自倍频光运转

ＮｄＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体。ＢｄＣＯＢ属单斜双轴晶,空间群为Ｃｍ,晶胞参数为ａ＝０．８０９５ｎｍ,ｂ＝１．６０１８ｎｍ,ｃ＝０．３５５８ｎｍ,β＝１０１．２６°。吸收光谱呈强烈偏振特性,Ｅ∥ｘ具有最强的吸收...     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性，大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器，在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

Ka频段GaAs单片平衡混频器

报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。     

掺氧经铋六角钡铁氧体的磁性

已制得组成ＢａＯ（６－ｘ）Ｆｅ２Ｏ３ＸＢｉ２Ｏ３的Ｂａ－Ｍ角铁氧体。式中Ｏ≤Ｘ≤０．４。与Ｂｉ２Ｏ３含量有关的晶格参数没有明显变化。当Ｘ＝０．１５饱和磁化强度有最大值，而矫顽力值在Ｘ＝０．１５左右为最小。这一结果可由Ｂｉ＾５＋的存在使晶格中Ｆｅ＾２＋增多加以说明。     

C波段单片有源环行器

报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测ＦＥＴ的Ｓ参数进行微波ＣＡＤ优化设计，内部包含有３个３００μｍ栅宽的ＦＥＴ，芯片面积１．７ｍｍ×１．９ｍｍ。采用ＧａＡｓ的离子注入平面工艺，芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在３．５～４．５ＧＨｚ内，电路插入损耗约７．５ｄＢ，隔离度为２１～２６ｄＢ，驻波比基本小于２。     

梁式引线GaAs混频二极管对

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底,选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒,ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１,结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ,正向微分电阻为３～６Ω,分布电容较小,结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ,正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中,中频带宽为４～８ＧＨｚ,混频器的变频损耗低于２０ｄＢ,本振功率为１３ｄＢｍ。     

富士通研究所开发3．5V GaAs HBT

富士通研究所开发３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ日本富士通研究所已研制成作为新一代便携电话的３．５ＶＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）和新结构ＨＢＴ。ＧａＡｓＨＢＴ具有与用于便携电话的发射部分的ＧａＡｓＦＥＴ相比，芯片面积减少１／２，大功率增益和单一电源工作等...     

12—18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２－１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器，主要技术指标：工作频率为１２－１８ＧＨｚ，增益Ｇｐ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５：１，噪声系数Ｆａ≤６ｄＢ。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。