低频负反馈电路噪声性能分析的En—In模型方法

本文提出了一种基于Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的负反馈电路噪声分析方法，针对不同形式负反馈电路噪声分析的需要，分别建立了四种分析模型与Ｅｎ－Ｉｎ模型之间的关系，仿真与测量结果的比较表明：由于本方法中充分考虑了Ｅｎ－Ｉｎ噪声的相关性，因此它在低电路噪声分析中准确的。     

级联电路的En-In噪声性能分析

本文从级联电路的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型出发，分析了Ｆｒｉｉｓ定量的局生，并描述了级联电路Ｅｎ－Ｉｎ噪声的数学模型，模型形式简捷，参数提取方便，便于移植到电路噪声仿真程序中，文中不报前置级联电路的最小噪声条件，由于充分考虑了Ｅｎ与Ｉｎ噪 提的相关性，从而有效地保证了级联电路噪声计算的精度。     

放大器En-In噪声模型的完善及其与Rn-Gn噪声模型的关系

目前，微波低噪声放大器设计中采用的Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳（Ｇｓ≠０）情况，其应用范围有限，特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计。本文对文献［１］提出的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型作了改进，使其不仅适用于高频、窄带，而且也适用于低频、宽带放大器的低噪声设计。进而推导出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型与Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型的等价关系，给出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的测量方法及实测结果。     

低噪声放大器模块化分析与设计的等效噪声模型法

本文以双端口网络的等效噪声模型为依托,通过采用精密测量所得的全参数Ｅｎ－Ｉｎ模型描述有源器件的噪声,以有效地提高低噪声放大器的设计精度;并通过研究Ｅｎ－Ｉｎ模型与其它六种等效噪声模型的谱关系实现噪声网络的模块化分析与设计,从而简化了噪声估算的过程。     

晶体管放大器三种组态的En—In噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键。本文在晶体管三种组态Ｅｎ－Ｉｎ噪声分析等方面给出了若干新结果。     

晶体管放大器三种组态的En—In人噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键．本文在晶体管三种组态Ｅｎ—Ｉｎ人噪声分析等方面给出了若干新结果．     

集成运算放大器同相和反相形式的En—In噪声分析和比较

本文通过分析和比较同相和反相放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声的特点，给出了若干新结果，本文方法在低噪声运放电路设计和运放噪声参数提取中具有十分有重要的意义。     

多级放大器噪声谱矩阵计算及在低噪声设计中应用

本文针对通信接收机噪声性能分析中广泛采用的弗里斯（Ｆｒｉｓ）公式在低噪声设计中的不足，提出了具有复相关系数的放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的谱矩阵形式，推导了多级放大器的噪声谱矩阵计算公式。成功地解决了多级放大器噪声性能分析及低噪声设计必需的噪声参数（最佳源阻抗及最小噪声系数）计算。     

双极型运算放大器的En-In噪声矩阵建模

本文通过描述同相放大器等效输入噪声电压谱密度Ｅｎｉ＾２,导出了一种双极型运放Ｅｎ－Ｉｎ噪声矩阵参数的提取方法。并通过分析复相关系数的相对误差确定了提取准则。与现有方法相比,本文方法不仅可以完整的描述运放的噪声特性,而且还有利于不同运放电路（如宽带前置放大器,有源滤波器）的精确低噪声设计。最后,还充分验证了本文方法的可行性和正确性。     

声频放大器低噪声化的设计

本文首先从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）做了分析，并以实现放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个过程，最后对级联放大器的低噪声设计进行探讨。本文并非从工程设计的角度全面论述低噪声设计的各个方面，而是仅就低噪声设计中需要考虑的一些问题做一概述，从而为一些有志于音响工作的人们研究低噪声系统的设计问题提供方便。     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

2．5Gb／s PIN－HEMT光接收机噪声精确模拟

本文给出了完整的ＰＩＮ和ＨＥＭＴ器件噪声等效电路模型，对２．５Ｇｂ／ｓＰＩＮ－ＨＥＭＴ光接收机噪声和灵敏度进行了精确的分析计算，并讨论了低频闪烁噪声对灵敏度退化的影响，光接收机噪声实测结果与模拟分析结果数据符合很好。     

Pd／In／Pd等组分材料对n型GaAs欧姆接触的比较研究

Ｐｄ／Ｉｎ／Ｐｄ等组分材料对ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触的比较研究《ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ》１９９５年第一期报导了Ｈ．Ｇ．Ｆｕ等对ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触各种组分材料的比较研究，这些组分是Ｐｄ／Ｉｎ／Ｐｄ，Ｐｄ－Ｉｎ／Ｐｄ和Ｐｄ－Ｉｎ。其沉积...     

2.5Gb／sPIN—HEMT光接收机噪声精确模拟

本文给出了完整的ＰＩＮ和ＨＥＭＴ器件噪声等效电路模型。对２．５Ｇｂ／ｓＰＩＮ－ＨＥＭＴ光接收机噪声和灵敏度进行了精确的分析计算，并讨论了低频闪烁噪声对灵敏度退化的影响，光接收机噪声实测结果与模拟分析结果数据符合很好。     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

减小电流并联负反馈电路噪声影响的探讨

利用微变等效电路法,分析电流并联负反馈对电路的噪声影响,得到了电流并联负反馈电路的噪声特性和减小电流并联负反馈电路噪声影响的方法。即:当反馈电阻RC满足低噪声化条件时(RCe2n/i2n),则电流并联负反馈对电路噪声的不利影响就可以减到最小而可以忽略不计,因此,在设计电流并联负反馈电路时应尽可能满足低噪声化条件。     

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究

对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究，认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出，低温下硅双极晶体管１／ｆ噪声的增大，是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计，做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明，在室温（３００Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥８００，ｆ＿Ｌ≤３０Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．５ｎＶ／　　；低温（７７Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥３０，ｆ＿Ｌ≤３００Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．２ｎＶ／。     

用电化学C－V技术研究Ga In P／GaAs异质结界面特性

本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。     

Sn—Zn—In软钎料合金初步研究

对Ｓｎ－Ｚｎ－Ｉｎ钎料合金的性能进行了研究，钎料铺展性和剪切强度试验结果表明，央Ｓｎ－９Ｚｎ－Ｉｎ软钎料合金中，随Ｉｎ含量增加，铺展面积增大，钎焊接头剪切强度降低。钎粒熔点和接头组织等性能的综合分析结果表明Ｓｎ－９Ｚｎ－１０Ｉｎ的性能已接近或超过传统的Ｓｎ－Ｐｂ共晶。