共查询到19条相似文献,搜索用时 69 毫秒
1.
给出一种纳米多品硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明.当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃. 相似文献
2.
采用离子束溅射纳米薄膜技术和半导体微细加工技术,将纳米薄膜应变电阻直接制作在金属弹性体上,实现了敏感元件与弹性体的原子结合,有效地解决了传统压力传感器中“零点漂移”技术难题,真正实现了在高温、振动等恶劣环境下的长期稳定性和可靠性。 相似文献
3.
4.
5.
介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃~ 150℃,通用性强. 相似文献
6.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
7.
本文介绍了多晶硅X型压力传感器的设计和制作工艺。对依据理论模型计算的X型压力传感器的灵敏度和实测值进行了比较,两者均吻合较好,对于经受住2.5倍过载的0 ̄6MPa的多晶硅X型压力传感器,灵敏度约为0.7mv/v/MPa,线性度优于0.5%FS。 相似文献
8.
9.
10.
介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理 ,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法 ,实现了宽范围较高的补偿精度。具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上 ,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性 ,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用。经补偿 ,传感器的灵敏温度系数小于 - 1.5× 10 - 4/℃ ,该方法的补偿温度范围为 2 0℃~ +15 0℃ ,通用性强。 相似文献
11.
12.
采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AIN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AIN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系。选用AIN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小。 相似文献
13.
选用敏感材料锆钛酸铅(PZT),优化微机电系统(MEMS)微加工工艺,制作了硅基PZT压电薄膜叉指式电极结构的MEMS压力传感器。在基体Au/Ti/LNO/SiO_2/Si<100>上,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在650℃高温下采用分层退火的方式进行退火,得到厚1.2μm的PZT压电薄膜。薄膜表面均匀,无裂纹。利用光刻工艺和低压溅射工艺得到平行叉指电极。制作完成PZT压电薄膜结构的微压力传感器,在弹性薄膜上施加压力,其电压输出性能较好,说明基于压电薄膜的叉指电极结构可行,为基于纳米纤维结构的微压力传感器的制作奠定了理论基础。 相似文献
14.
15.
MEMS机油压力传感器可靠性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了封装工艺对传感器可靠性的影响。分析和实验结果表明,机油压力传感器封装材料及各个工艺步骤都会影响传感器的性能和可靠性。贴片胶性能不能满足可靠性要求,会引起传感器信号漂移和高温不稳定性;引线键合强度不够,在工作中会断裂;硅油化学稳定和耐温性能不够好,会造成传感器高温输出信号不稳定,硅油中的空气和杂质会造成传感器零点输出偏大,使传感器的精度下降等。 相似文献
16.
研究了封装工艺对传感器可靠性的影响。分析和实验结果表明,机油压力传感器封装材料及各个工艺步骤都会影响传感器的性能和可靠性。贴片胶性能不能满足可靠性要求,会引起传感器信号漂移和高温不稳定性;引线键合强度不够,在工作中会断裂;硅油化学稳定和耐温性能不够好,会造成传感器高温输出信号不稳定,硅油中的空气和杂质会造成传感器零点输出偏大,使传感器的精度下降等。 相似文献
17.
18.
A split-drain magnetic field-effect transistor (MAGFET) based on a nano-polysilicon thin film transistor (TFT) is proposed, which contains one source, two drains and one gate. The sensor chips were fabricated on (100) high resistivity silicon substrate by CMOS technology. When drain-source voltage equals 5.0 V and length and width ratio of the TFT channel is 80 μm/160 μm, the current and voltage magnetic sensitivities of the split-drain MAGFET based on the TFT are 0.018 mA/T and 55 mV/T, respectively. Through adopting nano-polysilicon thin films and nano-polysilicon thin films/high resistivity silicon heterojunction interfaces as the magnetic sensing layers, it is possible to realize detection of the external magnetic field. The test results show that magnetic sensitivity of the split-drain MAGFET can be improved significantly. 相似文献
19.
设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。 相似文献