IR新型同步整流集成电路

国际整流器公司(简称IR)推出专用同步整流集成电路IR1176.该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率.     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

IR新型40V同步整流MOSFET 优化电信和数据通讯应用

电源管理供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET,优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。 IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的     

新型HEXFET功率MOSFET大大改善直流—直流拓扑效率

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列专用拓扑结构HEXFET功率MOSFET,大大改善隔离式及降压式直流一直流变换器的工作效率。随着直流一直流变换器输出电压趋于1V,IR公司的MOSFET将器件的工作效率提高了1％(与采用最佳器件的业界同类型电路相比)。     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新60V、80V和100V的N沟道HEXFET~(R) MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。     

新型60V DirectFET MOSFET

国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I…     

全新直流总线转换器芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)日前推出直流总线转换器芯片组 ,从而重新定义了用于电信及网络系统的48V输入、150W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,它能在小于1.7平方英寸的电路上和20A/150Wout条件下提供96 %以上的效率。该芯片组能节省53 %的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约50个大幅缩减至20个。全新芯片组包含一个IR2085S控制集成电路以及IRF7493原边和IRF6603副边HEXFET功率MOSFET各一对 ,加上用于原边偏压的IRF7380…     

IR推出全新直流总线转换器芯片组

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称IR)推出首个直流总线转换器芯片组系列 ,重新定义用于电信及网络系统的 4 8V输入、15 0W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,能在小于 1.7平方英寸电路占位上 ,于 2 0A/15 0Wout条件下提供 96 %以上的效率。与业界标准的四分一砖设计相比 ,该芯片组能节省 5 3%的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约 5 0个大幅缩减至 2 0个。全新芯片组包含一个IR2 0 85S控制集成电路、IRF74 93原边和IRF…     

微型降压式DC/DC模块LTM46OO

一般的DC/DC变换器集成电路由控制器、MOSFET开关管及一些功能电路组成.近年来,DC/DC变换器采用了同步整流技术,又集成了同步整流的MOSFET.凌特公司最近开发出一种微型降压式DC/DC模块,它不仅集成了控制器、开关及同步整流MOSFET及各种功能电路,并且还把可输出10A电流的电感器、软启动电容器做在一个贴片式IC中,外部只要接上输入、输出电容器及一个设定输出电压的电阻就成为完整的DC/DC模块电源.本文介绍这种微型DC/DC模块LTM4600及其应用电路.     

高效直流/直流变流器集成电路

国际整流器公司 简称IR日前推出IR1175同步整流集成电路SRIC这是业内第一个专用单片集成电路可将隔离式直流／直流变流器的运作效率提高到90％。同时,它还能对栅驱动器进行编程,将同步整流器的损耗降至最低,并确保寄生二极管不导通。高效直流/直流变流器集成电路@小坤     

微型降压式DC/DC模块LTM4600

一般的DC/DC变换器集成电路由控制器、MOSFET开关管及一些功能电路组成。近年来,DC/DC变换器采用了同步整流技术,又集成了同步整流的MOSFET。凌特公司最近开发出一种微型降压式DC/DC模块,它不仅集成了控制器、开关及同步整流MOSFET及各种功能电路,并且还把可输出10A电流的电感器、软启动电容器做在一个贴片式IC中,外部只要接上输入、输出电容器及一个设定输出电压的电阻就成为完整的DC/DC模块电源。本文介绍这种微型DC/DC模块LTM4600及其应用电路。主要特点LTM4600是一种贴片式IC封装的降压式同步整流DC/DC模块。它的…     

IR推出用于2MHz降压转换器的MOSFET

国际整流器公司(IR)最近推出的IRF6607是30V的MOSFET,在降压DC/DC转换器中用作同步整流开关,开关频率高达2MHz.     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

IR推出具有超低导通电阻的MOSFET

国际整流器公司(IR)日前发布了一组电压为75V和100V．专用于AC—DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备业界前所未有的超低导通电阻．能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC—DCSMPS的效率和功率密度。这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC—DC拓扑架构的次边。传统上，在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。     

IR推出60V及75V AC-DC同步整流功率MOSFET

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出为AC-DC同步整流设计的全新60V和75V HEXFET MOSFET产品系列,其应用范围扩展至服务器、笔记本电脑适配器和台式电脑的电源应用。目前,数据处理电路的功率密度和速度都在增加,对高功率密度电源的需求也随之增加。新型IRF     

一种80 MHz隔离式DC-DC变换器

介绍了一种80 MHz隔离式DC-DC变换器,无芯PCB变压器实现了VHF隔离,利用交叉耦合电路和无芯PCB变压器形成持续振荡,采用肖特基二极管作为整流器件,电压反馈环路保证整个系统能够稳定输出。采用FEM和EDA软件实现了无芯PCB变压器的设计和整体电路的仿真。测试结果表明,该变换器能够提供3.3 V隔离电压输出和0.3 W功率输出,效率约为43%。     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

国际整流器公司近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36％。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。